The utility model relates to the technical field of isolating switch, in particular to an overvoltage resisting device suitable for GIS equipment. Anti overvoltage device for GIS device, which comprises a device body, which is arranged on the conductive rod is connected with moving contact GIS devices on the device body comprises a sleeve is arranged on the conductive rod is connected with moving contact on the anti overvoltage unit, the annular structure of the anti overvoltage unit, by at least two layer ring structure the anti overvoltage layer from the inside out and stacked together, any anti overvoltage layer are made of nanocrystalline magnetic core; the outer surface of the radiating unit is provided with a resistance voltage unit supporting the bottom surface of the heat radiating unit is attached to the outer surface of the anti overvoltage unit. Due to the adoption of the technical scheme, the utility model is easy to manufacture and install, eliminates the transient overvoltage generated by the GIS equipment in the operation of the disconnecting switch, protects the equipment, improves the safety of operation, and realizes the maintenance effect of the equipment without stopping.
【技术实现步骤摘要】
适用于GIS设备的抗过电压装置
本技术涉及隔离开关
,具体涉及一种适用于GIS设备的抗过电压装置。
技术介绍
变电站、电厂和大型工厂的输配电设施常会使用到GIS设备来实现改变电路连接、使线路和设备与电源隔离、电气设备的倒闸操作、连通和切断电流电路的功能。GIS是由断路器、母线、隔离开关、电压互感器、电流互感器、避雷器、套管、接地刀等元件组合而成高压配电装置,其内充有一定压力的SF6绝缘气体,使得其相对于传统隔离开关而言具有较好的灭弧效果和绝缘性能。GIS设备在分合闸操作时,由于动、静触头的移动速度较慢,超高压导致触头间多次预击穿或重击穿,从而导致产生较高电压幅值的瞬态过电压。瞬态过电压可造成GIS设备本体、带绕组的设备和二次设备的受损。传统的做法是在回路中设置合闸电阻来抵抗瞬态过电压的伤害。合闸电阻通常采用铁氧体磁环制成,而铁氧体由于其自身的材质特性,其磁导率随着高温将发生较大变化,在100摄氏度~150摄氏度之间存在临界温度,约为120摄氏度,当到达临界温度后,铁氧体的磁导率将迅速下降至0,从而导致磁环的吸收能力迅速降低,磁环本体温度飙升直至导致损坏而造成 ...
【技术保护点】
适用于GIS设备的抗过电压装置,包括装置本体,其设置于连接GIS设备中的动触头的导电杆上,其特征在于,所述装置本体包括套设在连接动触头的导电杆上的抗过电压单元,所述抗过电压单元为环形结构的抗过电压单元,其由至少两层环状结构的抗过电压层由内而外相互层叠贴合后组成,任一所述抗过电压层均为纳米晶磁芯制成的抗过电压层;所述抗过电压单元的外部设有一与其配套的散热单元,所述散热单元设置于所述抗过电压单元的外表面,所述散热单元的底面贴合于所述抗过电压单元的外表面。
【技术特征摘要】
1.适用于GIS设备的抗过电压装置,包括装置本体,其设置于连接GIS设备中的动触头的导电杆上,其特征在于,所述装置本体包括套设在连接动触头的导电杆上的抗过电压单元,所述抗过电压单元为环形结构的抗过电压单元,其由至少两层环状结构的抗过电压层由内而外相互层叠贴合后组成,任一所述抗过电压层均为纳米晶磁芯制成的抗过电压层;所述抗过电压单元的外部设有一与其配套的散热单元,所述散热单元设置于所述抗过电压单元的外表面,所述散热单元的底面贴合于所述抗过电压单元的外表面。2.根据权利要求1所述的适用于GIS设备的抗过电压装置,其特征在于,所述散热单元采用一金属散热器,所述金属散热器的底面贴合于所述抗过电压单元的环状的外表面。3.根据权利要求2所述的适用于GIS设备的抗过电压装置,其特征在于,所述散热单元采用具有复数片...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈春华,季学平,
申请(专利权)人:科磁电子科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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