量子点膜片及其制备方法、背光模组技术

一种量子点膜片，包括依次设置的第一阻隔层、第一量子点层、基底层、第二量子点层、第二阻隔层，所述第一量子点层包括均匀分散于聚合物材料中的绿光量子点，所述第二量子点层包括均匀分散于聚合物材料的红光量子点，所述第一阻隔层沉积在所述第一量子点层上，所述第二阻隔层沉积在所述第二量子点层上。本发明专利技术的量子点膜片性能优异、适合产业化。

【技术实现步骤摘要】
量子点膜片及其制备方法、背光模组
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种用于背光显示领域的量子点膜片。
技术介绍
量子点是LCD背光源显示产品提高色域的一种有效方法。相比于普通白光LED，使用量子点膜片搭配蓝光LED，可将LCD的色域由原来的70％NTSC提高至100％NTSC以上，从而展现更好的色彩饱和度。现有量子点膜片由两张阻隔膜中间夹层量子点层组成，呈三明治结构，其制作工艺主要包括：通过涂布工艺将两张阻隔膜和混有红绿光量子点的高分子胶液涂覆成膜，并经固化而成。该阻隔膜由有机基底上沉积无机镀层构成。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型量子点膜片，解决现有技术的量子点膜片成本高、自吸收大且很难做薄的问题。本专利技术提供了一种量子点膜片，包括依次设置的第一阻隔层、第一量子点层、基底层、第二量子点层、第二阻隔层，所述第一量子点层包括均匀分散于聚合物材料中的绿光量子点，所述第二量子点层包括均匀分散于聚合物材料的红光量子点，所述第一阻隔层沉积在所述第一量子点层上，所述第二阻隔层沉积在所述第二量子点层上。优选地，所述基底层厚度范围为25微米‐100微米，所述第一量子点层和所述第二量子点层厚度范围为20微米‐50微米。优选地，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的厚度范围为200纳米‐2微米。优选地，所述基底层为由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成的聚酯膜。优选地，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层均包括无机镀层和保护涂层。优选地，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层包括交替的有机层和无机镀层，以及保护涂层。优选地，所述无机镀层为氧化铝层或者氧化硅层。优选地，所述量子点膜片的厚度不超过120微米。优选地，所述量子点膜片的厚度不超过100微米。优选地，所述绿光量子点和红光量子点包括以下物质中的至少一种：硒化镉、硫化镉、碲化镉、硒化锌、磷化铟、砷化铟、钙钛矿。本专利技术还提出了一种背光模组，所述背光模组包括如上所述的量子点膜片。本专利技术还提出了一种量子点膜片的制备方法，包括以下步骤：获得绿光量子点胶液和红光量子点胶液；将绿光量子点胶液和红光量子点胶液分别涂布在在聚酯类基底层的上表面和下表面，固化形成第一量子点层、聚酯类基底层、第二量子点层的复合结构；在所述复合结构的上表面和下表面分别沉积第一阻隔层和第二阻隔层。优选地，所述沉积通过磁控溅射、等离子化学气相沉积或者原子气相沉积实现。本专利技术的新型量子点膜片，改变了现有技术的量子点膜片结构设计，简化了工艺，有效降低了成本，更容易获得较薄的量子点膜，且避免了红绿量子点混合造成的自吸收现象。附图说明图1是本专利技术中量子点膜片的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式，对本专利技术实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护范围。参考图1，本专利技术公开了一种新型量子点膜片100，包括依次设置的第一阻隔层102、第一量子点层104、基底层106、第二量子点层108、第二阻隔层110。第一量子点层104包括均匀分散于聚合物材料112中的绿光量子点114，第二量子点层108包括均匀分散于聚合物材料112中的红光量子点116。第一阻隔层102沉积在第一量子点层104上，第二阻隔层110沉积在第二量子点层108上。第一阻隔层102和第二阻隔层110结构相同。第一阻隔层102包括用于阻隔水氧的无机镀层118和保护涂层120。无机镀层118设置在邻近第一量子点层104的一侧，保护涂层120设置在远离第一量子点层104的一侧。无机镀层118是指由无机材料构成的水氧阻隔能力强的阻隔层，无机材料通过在原子级别的致密排列达到有效阻挡水气和氧气的效果。在一个优选的实施方式中，无机镀层118包括氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化锆、氮化锆、氮氧化锆、氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、石墨烯中的至少一种。在一个优选的实施方式中，无机镀层118为氧化铝层或者氧化硅层。无机镀层118的沉积方法优选包括喷射、溅射、蒸镀、真空沉积、等离子化学气相沉积或者原子层沉积。在一个优选的实施方式中，无机镀层118通过磁控溅射形成。保护涂层120的材料优选为丙烯酸树脂，厚度为8‐12微米。保护涂层120包括聚硅树脂、聚环氧树脂、聚氨酯、聚碳酸酯、聚氟树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲醛、聚乙烯、聚偏氯乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚四氟乙烯、聚乙烯醇丁缩醛、聚丙烯、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯丙烯腈树脂、聚哥伦比亚树脂、聚CR-39树脂、聚OZ系列树脂、聚TS-26树脂、聚APO树脂、聚MR树脂、聚MH树脂、聚NAS树脂、聚ADC树脂、聚TOPAS树脂、聚ARTON树脂中至少一种。优选地，保护涂层120中添加有5％‐10％的扩散粒子，粒子粒径为5‐10微米。第二阻隔层110与第一阻隔层102的组成结构相同。基底层106优选为聚酯类材料，优选地，基底层106为由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成的聚酯膜。优选地，基底层106中添加有5％‐10％的扩散粒子，粒子粒径为5‐10微米。基底层不仅起到分离红绿量子点层的作用，还使第一量子点层、基底层、第二量子点层形成的复合结构更好的适应无机阻隔层的沉积，避免因量子点层较软、沉积应力过大而导致量子点膜片卷曲和开裂问题。在一个优选实施方式中，量子点膜片100的厚度不超过120微米，其中基底层106厚度范围为25微米‐100微米，第一量子点层104和第二量子点层110厚度范围均为20微米‐50微米。优选地，量子点膜片100的厚度不超过100微米。更优选地，量子点膜片100的厚度不超过80微米。绿光量子点114和红光量子点116包含硅类量子点、IIB‐VIA族化合物量子点、IIIA‐VA族化合物量子点、VA‐VIA族化合物量子点、钙钛矿量子点和上述各种量子点的混合物中的一种。IIB‐VIA族化合物量子点包含从由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe组成的组中选择的一种。IIIA‐VA族化合物量子点包含从由GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs和InAlPAs组成的组中选择的一种。在一个优选实施方式中，量子点为核壳结构。在一个优选实施方式中，绿光量子点和红光量子点包括以下物质中的至少一种：硒化镉、硫化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点膜片，其特征在于，包括依次设置的第一阻隔层、第一量子点层、基底层、第二量子点层、第二阻隔层，所述第一量子点层包括均匀分散于聚合物材料中的绿光量子点，所述第二量子点层包括均匀分散于聚合物材料的红光量子点，所述第一阻隔层沉积在所述第一量子点层上，所述第二阻隔层沉积在所述第二量子点层上。

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜片，其特征在于，包括依次设置的第一阻隔层、第一量子点层、基底层、第二量子点层、第二阻隔层，所述第一量子点层包括均匀分散于聚合物材料中的绿光量子点，所述第二量子点层包括均匀分散于聚合物材料的红光量子点，所述第一阻隔层沉积在所述第一量子点层上，所述第二阻隔层沉积在所述第二量子点层上。2.根据权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述基底层厚度范围为25微米‐100微米，所述第一量子点层和所述第二量子点层厚度范围为20微米‐50微米。3.根据权利要求1或2所述的量子点膜片，其特征在于，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的厚度范围为200纳米‐2微米。4.根据权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述基底层为由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成的聚酯膜。5.根据权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层均包括无机镀层和保护涂层。6.根据权利要求5所述的量子点膜片，其特征在于，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层包括交替...

【专利技术属性】
技术研发人员：马卜，唐柳，程方亮，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32