控制器与参考电压产生方法技术

一种控制器，包括输入/输出电路以及参考电压产生电路。输入/输出电路包括多个接收电路，其中各接收电路用以接收及处理各数据位，以产生各输出位。参考电压产生电路耦接至输入/输出电路，包括多个电路单元，用以提供多个参考电压。电路单元的其中一者耦接接收电路的其中一者，用以提供参考电压至对应的接收电路，并且接收电路根据参考电压处理数据位。

Controller and reference voltage generation method

A controller, including an input / output circuit and a reference voltage generator circuit. The input / output circuit includes a plurality of receiving circuits, wherein each receiving circuit is used to receive and process each data bit to generate each output bit. The reference voltage generation circuit is coupled to the input / output circuit, including a plurality of circuit units to provide multiple reference voltages. One of the circuit units is coupled to one of the receiving circuits to provide the reference voltage to the corresponding receiving circuit, and the receiving circuit processes the data bits according to the reference voltage.

【技术实现步骤摘要】
控制器与参考电压产生方法
本专利技术关于一种控制器，特别是一种可为各个位提供对应的参考电压的内存控制器。
技术介绍
在现有的计算机系统中，双倍速率同步动态随机内存(DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory，缩写为DDRSDRAM)的物理层接口(PHYInterface)是一个定义为连接内存控制器和内存设备，包含DDRl、DDR2、DDR3及DDR4等的标准协议规范。这个协议定义了所有的信号、信号之间的关系、时序以及信号如何通过这套接口进行内存和内存控制器之间的传输。现有技术中，内存控制器先通过地址总线脚位给出地址信号，然后再通过控制脚位选择给出读写控制信号，地址信号和读写控制信号通过物理层接口进入物理层，DDR物理层中的接收器根据读写控制信号，接收内存控制器方向传来的数据信号，或者返回从内存读回来的数据信号。于从内存读取数据时，内存控制器必须根据频率信号对数据信号进行取样以取得数据内容。因此，如何准确地取样自内存读取的数据为影响内存控制器产品优劣的关键因素。
技术实现思路
本专利技术公开一种控制器，包括输入/输出电路以及参考电压产生电路。输入/输出电路包括多个接收电路，其中各接收电路用以接收及处理各数据位，以产生对应的各输出位。参考电压产生电路耦接至输入/输出电路，包括多个电路单元，用以提供多个参考电压。电路单元的其中一者耦接接收电路的其中一者，用以提供参考电压至对应的接收电路，并且接收电路根据参考电压处理数据位。本专利技术公开一种参考电压产生方法，适用于控制器，其中控制器包括输入/输出电路与参考电压产生电路，输入/输出电路包括多个接收电路，用以接收及处理多个数据位，参考电压产生电路包括多个电路单元，该方法包括：由各电路单元提供各参考电压至对应的各接收电路；以及由各接收电路根据对应的参考电压处理对应的各数据位，以产生各输出位。附图说明图1是本专利技术的一实施例所述的控制器方块图。图2是本专利技术的一实施例所述的输入/输出电路与参考电压产生电路示意图。图3是本专利技术的一实施例所述的一接收电路与一电路单元的等效电路图。图4是本专利技术的一实施例所述的一控制器与外接内存的示意图。图5是本专利技术的一实施例所述的参考电压产生方法流程图。图6是本专利技术的一实施例所述的电压校正方法流程图。图7是本专利技术的一实施例所述的参考电压产生电路中电容与电阻的设计示意图。图8是本专利技术的一实施例所述的参考电压与系统高电压的电压比值与频率变化的关系图。具体实施方式为使本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明。图1是根据本专利技术的一实施例所述的控制器方块图。根据本专利技术的一实施例，控制器100可为内存控制器或者控制器芯片，例如，DDR控制器，用以控制DDR的运作。控制器100可至少包括输入/输出电路110、参考电压产生电路120、逻辑电路130以及监测电路140。为了清楚陈述本专利技术的概念，图1所显示的是一简化过的方块图，其中仅与本专利技术相关的组件显示于图中。然而，值得注意的是，控制器100当可包含其他未显示于图中的组件，因此本专利技术并不限于图1所显示的内容。一般而言，控制器100可透过至少一个信道自外接的内存装置接收数据及/或传送数据至外接的内存装置。一个信道可用以传送八个字节(Byte)的数据，而各字节包含八位(bit)的数据。根据本专利技术的一实施例，输入/输出电路110可包括多个接收电路(图1中未示)，其中各接收电路用以接收及处理一位的数据(一数据位)，根据此数据位产生一输出位。根据本专利技术的一实施例，参考电压产生电路120耦接至输入/输出电路110，包括多个电路单元，用以提供多个参考电压。值得注意的是，根据本专利技术的一实施例，参考电压产生电路120可为各接收电路提供对应的参考电压，因此，于本专利技术的实施例中，各接收电路可自不同的电路单元接收对应的参考电压，并根据接收到的参考电压处理数据位，以产生对应的输出位。换言之，于本专利技术的实施例中，参考电压可以是独立地针对每位产生、调整与控制，以下将有更详细的介绍。逻辑电路130耦接至参考电压产生电路120，用以控制电路单元的运作，其中根据本专利技术的一实施例，各电路单元被独立地控制，使参考电压产生电路可产生具有相同或不同电平值的多个参考电压。监测电路140耦接至输入/输出电路110，以在电压校正流程监测各接收电路所产生的输出位。监测电路140还耦接至逻辑电路130，用以将监测各接收电路所产生的输出位的结果反馈至逻辑电路130，作为逻辑电路130进一步控制参考电压产生电路120的电路单元运作的依据。图2是根据本专利技术的一实施例所述的输入/输出电路与参考电压产生电路示意图。输入/输出电路210可包括多个接收电路，例如，接收电路211-0、211-1、…211-6与211-7。参考电压产生电路220可包括主电路221与多个子电路，例如子电路222-0、222-1、…222-6与222-7。根据本专利技术的一实施例，主电路210与一个子电路可组成一个电路单元，一个电路单元对应一个接收电路，用以提供对应的参考电压至对应的接收电路。如图2所示，子电路222-0、222-1、…222-6与222-7分别耦接至接收电路211-0、211-1、…211-6与211-7，用以提供其所产生的参考电压至对应的接收电路，并且使得接收电路根据接收到的参考电压处理数据位。根据本专利技术的一实施例，主电路可耦接至系统高电压VDD与接地电压GND，根据该系统高电压VDD与接地电压GND分别为子电路提供高电压以及低电压。子电路根据该高电压与低电压产生对应的参考电压。主电路与子电路可分别包含多个主动组件及/或被动组件，以及至少一个开关装置，其中该些组件可等效为一个电阻串，藉由控制开关装置，可调整输出的参考电压的电平值。值得注意的是，为了清楚陈述本专利技术的概念，图2是处理一字节数据的输入/输出电路与参考电压产生电路示意图，但本专利技术并不限于仅配置这样数量的接收电路与电路单元。如上述，接收电路与电路单元的数量可根据所需的通道的数量而决定。图3是根据本专利技术的一实施例所述的接收电路与一个电路单元的等效电路图。如图所示，该个电路单元320包含主电路321与一个子电路322。如上述，主电路321包含多个主动组件及/或被动组件，以及至少一个开关装置。如上述，该个子电路322也包含多个主动组件及/或被动组件。因主动组件及/或被动组件可等效为一个电阻串，故图3的等效电路图中，主电路321与该个子电路322可分别等效为包含至少一个电阻串。如图3所示，该个子电路322还包含一个多路选择器MUX。逻辑电路130可控制该电路单元320中主电路321的开关装置中各开关的通断，以及控制该电路单元320中该个子电路322的多路选择器MUX使该个子电路322输出被设定至最佳电平值的参考电压VREF。根据本专利技术的一实施例，所述的最佳电平值为可使对应的接收电路311具有最大工作范围或最小错误率的该参考电压VREF的电平值。如图3所示，接收电路311可包含处理电路RX，用以根据接收到的参考电压VREF处理数据位DATA，以产生输出位ZI。由于参考电压VREF于电压校正流程皆已被设定至最佳电平值，因此，接收电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制器，包括：输入/输出电路，包括多个接收电路，其中各接收电路用以接收及处理各数据位，以产生各输出位；以及参考电压产生电路，耦接至该输入/输出电路，包括多个电路单元，用以提供多个参考电压，其中该等电路单元的其中一者耦接至该等接收电路的其中一者，用以提供参考电压至对应的该接收电路，并且该接收电路根据该参考电压处理该数据位。

【技术特征摘要】
1.一种控制器，包括：输入/输出电路，包括多个接收电路，其中各接收电路用以接收及处理各数据位，以产生各输出位；以及参考电压产生电路，耦接至该输入/输出电路，包括多个电路单元，用以提供多个参考电压，其中该等电路单元的其中一者耦接至该等接收电路的其中一者，用以提供参考电压至对应的该接收电路，并且该接收电路根据该参考电压处理该数据位。2.如权利要求1所述的控制器，其中该参考电压产生电路还包括主电路与多个子电路，该主电路耦接至该多个子电路，并且其中各电路单元由该主电路与该多个子电路的其中一者组成。3.如权利要求1所述的控制器，还包括：逻辑电路，耦接至该参考电压产生电路，用以控制该等电路单元的运作，其中各电路单元皆被独立控制，使该参考电压产生电路产生具有相同或不同电平值的该等参考电压。4.如权利要求3所述的控制器，还包括：监测电路，耦接至该输入/输出电路，在电压校正流程监测各所述接收电路所产生的该输出位。5.如权利要求4所述的控制器，其中于该电压校正流程中，该逻辑电路控制各所述电路单元调整该参考电压的电平值，该监测电路监测各所述接收电路根据不同电平值的该参考电压所产生的该输出位的内容，以为各接收电路决定最佳电平值。6.如权利要求5所述的控制器，其中该逻辑电路更根据对应的该最佳电平值控制各电路单元，使得各电路单元所输出的该参考电压的电平值设定为该最佳电平值。7.如权利要求1所述的控制器，其中该控制器为一DDR内存控制器。8.一种参考电压产生方法，适用于控制器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明禄，姜凡，夏佳佳，
申请(专利权)人：上海兆芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31