可控硅功率调制器制造技术

本发明专利技术公开了可控硅功率调制器，A与B接调功调压器F1的输入端，且A1接调功调压器F1的输出端；A与C接调功调压器F2的输入端，且B1接调功调压器F2的输出端；B与C接调功调压器F3的输入端，且C1接调功调压器F3的输出端；F1、F2和F3的结构相同；IC3的两个输入端分别连接VIN1和VIN2，且IC3的一个输出端连接IC1的正电源接口，IC3另一个输出端接口连接R1的一端，R1的另一端连接IC1的反相输入端。本发明专利技术可控硅功率调制器，F1、F2和F3形成了新的三相输出端A1、B1和C1，从而可以很容易的调整A1、B1和C1任意两者之间的电压和功率，进而可以很好的应用于发电机励磁系统。

Silicon controlled power modulator

The invention discloses a silicon controlled power modulator, A and B power adjusting input voltage regulator F1, and A1 with adjustable power output adjustable voltage regulator F1; A and C input power regulator F2, and B1 power output terminal voltage regulator F2; B and C input power regulator F3, and C1 power output terminal voltage regulator F3; F1, F2 and F3 structure of the same; the two input terminals are respectively connected with the IC3 VIN1 and VIN2, and an output end of IC3 is connected to IC1 power supply interface, the other end of the IC3 an output interface connected to the R1, the other end is connected to the inverting input of R1 IC1. The invention of SCR power modulator, F1, F2 and F3 formed a new three-phase output terminal of the A1, B1 and C1, which can be easily adjusted between A1, B1 and C1 at both voltage and power, and can be well applied in generator excitation system.

【技术实现步骤摘要】
可控硅功率调制器
本专利技术涉及发电控制领域，具体涉及可控硅功率调制器。
技术介绍
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。目前可控硅在发电机励磁领域应用较少，主要是因为无法对三相电路中的任意两相进行调功调压，从而很难应用于发电机励磁系统。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有的可控硅调功调压器无法对三相电路中的任意两相进行调功调压，从而很难应用于发电机励磁系统，目的在于提供可控硅功率调制器，解决上述问题。本专利技术通过下述技术方案实现：可控硅功率调制器，包括三相电接口A、B和C，还包括调功调压接口A1、B1和C1；所述A与B接调功调压器F1的输入端，且A1接调功调压器F1的输出端；所述A与C接调功本文档来自技高网...

【技术保护点】
可控硅功率调制器，其特征在于，包括三相电接口A、B和C，还包括调功调压接口A1、B1和C1；所述A与B接调功调压器F1的输入端，且A1接调功调压器F1的输出端；所述A与C接调功调压器F2的输入端，且B1接调功调压器F2的输出端；所述B与C接调功调压器F3的输入端，且C1接调功调压器F3的输出端；所述F1、F2和F3的结构相同，且F1包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、电容C1、运算放大器IC1、脉冲分配器IC2、整流器IC3、双向晶闸管VS、第一输入端VIN1、第二输入端VIN2、输出端VOUT1、触点开关S和三极管T1；所述IC3的两个...

【技术特征摘要】
1.可控硅功率调制器，其特征在于，包括三相电接口A、B和C，还包括调功调压接口A1、B1和C1；所述A与B接调功调压器F1的输入端，且A1接调功调压器F1的输出端；所述A与C接调功调压器F2的输入端，且B1接调功调压器F2的输出端；所述B与C接调功调压器F3的输入端，且C1接调功调压器F3的输出端；所述F1、F2和F3的结构相同，且F1包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、电容C1、运算放大器IC1、脉冲分配器IC2、整流器IC3、双向晶闸管VS、第一输入端VIN1、第二输入端VIN2、输出端VOUT1、触点开关S和三极管T1；所述IC3的两个输入端分别连接VIN1和VIN2，且IC3的一个输出端连接IC1的正电源接口，IC3另一个输出端接口连接R1的一端，R1的另一端连接IC1的反相输入端；所述C1的一端连接于IC1的正电源接口，C1的另一端接地，所述IC1的同相输入端连接IC1的负电源接口并接地；所述IC...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐丽，唐建华，
申请(专利权)人：重庆赛能软件技术有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50