The invention discloses a method for realizing the thermal oxidation passivation layer of the battery chip manufacturing method, which is characterized in that the silicon wafer has been formed P N junction in high temperature furnace, silicon surface under high temperature and oxidant for oxidation reaction of a layer of SiO2 film after the subsequent routine. The invention increases a oxidation process in the traditional battery technology, to form a layer of dense oxide layer of good SiO2, can play a passivation effect, reduce the surface activity, increase the surface cleaning procedure, to avoid the surface layer and the formation of impurity recombination centers, in order to reduce the surface recombination velocity of minority carriers. Thus, the battery pressure is increased and the efficiency of the battery is improved.
【技术实现步骤摘要】
实现热氧化钝化层电池片制作的方法
本专利技术属于光伏
，具体是一种实现热氧化钝化层电池片制作的方法。
技术介绍
晶体硅太阳电池的高效转换效率是在高质量的衬底硅材料基础上得到的是晶体太阳能电池成的主要原因。为减低成本，降低电池片厚度成为体硅太阳电池发展的一个重要趋势。随着这一趋势产生的问题就是电池表面复合严重化。这就为晶体硅表面钝化技术提高挑战。为了保证晶体硅太阳能表面钝化技术的研究是必不可少的，今后晶体硅太阳能表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热门问题之一。可以说，当今高效晶体硅太阳电池都是利用良好的表面钝化技术来降低半导体的表面活性，使表面的复合速率降低。其主要方式就是饱和半导体表面处的悬挂键。降低表面活性，增加表面的清洁程序，避免由于表面层引入杂质而形成复合中心，以此来降低少数载流子的表面复合速度。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对
技术介绍
中存在的问题，提出一种实现热氧化钝化层电池片制作的方法。技术方案是将已经形成P-N结的硅片放入高温炉中，硅片表面在高温下与氧化剂进行氧化反应生成一层SiO2膜。优选的，所述氧化反应是采用闭管热氧化方法。具体的，电池片制作的完整流程为：S1：选取P型晶体硅片，将晶体硅片经过常规制绒、扩散、刻蚀工序；S2：将P型晶体硅片放入氧化炉管中，采用闭管热氧化方式，实现晶体硅片的正面氧化；S3：再经过常规丝网印刷和快速烧结工序，制备获得太阳能电池片。优选的，步骤S2中：将刻蚀后的P型晶体硅片放入氧化工序的石英管内，反应条件：O2：7-8L/M，H2：10-12L/M，时间t：2-5min，温度T：700-780℃，本实施例生...
【技术保护点】
一种实现热氧化钝化层电池片制作的方法，其特征在于将已经形成P‑N结的硅片放入高温炉中，硅片表面在高温下与氧化剂进行氧化反应生成一层SiO2膜后再进行常规的后续工序。
【技术特征摘要】
1.一种实现热氧化钝化层电池片制作的方法，其特征在于将已经形成P-N结的硅片放入高温炉中，硅片表面在高温下与氧化剂进行氧化反应生成一层SiO2膜后再进行常规的后续工序。2.根据权利要求1所述的实现热氧化钝化层电池片制作的方法，其特征在于所述氧化反应是采用闭管热氧化方法。3.根据权利要求2所述的实现热氧化钝化层电池片制作的方法，其特征在于电池片制作的完整流程为：S1：选取P型晶体硅片，将晶体硅片经过常规制绒、扩散、刻蚀工序；S2：将P型晶体硅片放入氧化炉管中，采用闭管热氧化方式，实现晶体硅片的正面氧化；S3：再...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊华，李慧，陈克，徐建，俞超，徐强，
申请(专利权)人：东方环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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