线性传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了线性传感器，包括至少一个磁电阻，所述磁电阻是由一个磁电阻元件或多个磁电阻元件并联和/或串联组成，所述磁电阻元件包括自由层、隔离层以及参考层，所述自由层和参考层分别位于隔离层的两侧，参考层的磁矩与所述参考层所在的平面平行，自由层的磁矩与所述参考层所在的平面不平行。该线性传感器具有尺寸小、成本低、饱和场大、灵敏度高的优点。

Linear sensor

The utility model discloses a linear sensor, comprising at least one magnetic resistance, the magnetic resistance is controlled by a magnetic resistance element or a plurality of magnetic resistance elements and / or parallel series, the magnetoresistive element includes a free layer, isolation layer and a reference layer, the free layer and a reference layer on both sides respectively. Located in the isolation layer, magnetic reference layer and the reference plane parallel to the magnetic moment, the free layer and the reference plane is not parallel. The linear sensor has the advantages of small size, low cost, large saturation field and high sensitivity.

【技术实现步骤摘要】
线性传感器
本技术涉及磁性传感器领域，特别是线性传感器。
技术介绍
磁性传感器广泛应用于新能源、智能交通、工业控制、智能家电以及智能电网等领域。常用的磁性传感器以霍尔元件或电感线圈为敏感元件，该类传感器由于其灵敏度和精度较低，需要设置额外的磁芯，而磁芯具有体积大、成本高以及磁滞的缺陷。近年来，以高精度和高灵敏度的磁电阻元件（巨磁电阻元件或磁性隧道结元件）为敏感元件的线性传感器越来越成为主流，尤其磁性隧道结元件（MTJ，MagneticTunnelJunction）。磁电阻元件是一种多层膜结构，包括纳米级厚度的薄膜自由层（FreeLayer）、隔离层（Spacer）以及参考层（ReferenceLayer），参考层具有第一磁矩，且该磁矩不随外磁场变化。通常，自由层的磁矩平行于膜面，该类磁电阻元件被称为面内磁隧道结，但是该类磁电阻元件具有饱和场较小的缺陷，在外磁场H作用下很容易饱和，且其线性度不高，其典型的R-H（电阻-外磁场）曲线如图2所示。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供线性传感器，该线性传感器具有尺寸小、成本低、饱和场大、灵敏度高的优点。本技术为解决上本文档来自技高网...

【技术保护点】
线性传感器，其特征在于，包括至少一个磁电阻，所述磁电阻是由一个磁电阻元件或多个磁电阻元件并联和/或串联组成，所述磁电阻元件包括自由层、隔离层以及参考层，所述自由层和参考层分别位于隔离层的两侧，参考层的磁矩与所述参考层所在的平面平行，自由层的磁矩与所述参考层所在的平面不平行。

【技术特征摘要】
1.线性传感器，其特征在于，包括至少一个磁电阻，所述磁电阻是由一个磁电阻元件或多个磁电阻元件并联和/或串联组成，所述磁电阻元件包括自由层、隔离层以及参考层，所述自由层和参考层分别位于隔离层的两侧，参考层的磁矩与所述参考层所在的平面平行，自由层的磁矩与所述参考层所在的平面不平行。2.根据权利要求1所述的线性传感器，其特征在于，自...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建国，
申请(专利权)人：无锡乐尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32