一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用技术

技术编号:16447785 阅读:68 留言:0更新日期:2017-10-25 12:46
本发明专利技术提供了一种反铁电陶瓷材料、其制备方法及其应用,该反铁电陶瓷材料具有式I所示通式:(Pb0.97La0.02)(Zr0.95Ti0.05)1+yO3;式I中,‑0.05≤y≤0.05。该反铁电陶瓷材料具有式I所示通式,为非均匀非化学计量比的反铁电陶瓷。与现有技术相比,该非化学计量比的反铁电陶瓷材料具有良好的储能特性。实验结果表明:在190~210℃、饱和电场下,储能效率为82.1%~93.1%;在190~210℃温度范围内、饱和电场下,储能密度为0.83~0.98J/cm

Non uniform stoichiometric antiferroelectric ceramics, preparation method and application thereof

The present invention provides an anti ferroelectric ceramic material and its preparation method and application thereof, the anti ferroelectric ceramic material has shown in formula I formula: (Pb0.97La0.02) (Zr0.95Ti0.05) 1+yO3; I = y = 0.05, 0.05. The antiferroelectric ceramic material has the general formula of formula I, which is an inhomogeneous non stoichiometric antiferroelectric ceramic. Compared with the existing technology, the non stoichiometric antiferroelectric ceramic material has good energy storage characteristics. The experimental results show that the energy storage efficiency is 82.1% ~ 93.1% at 190~210 and saturated electric field, and the energy storage density is 0.83 ~ 0.98J/cm in the temperature range of 190~210 degrees and saturated electric field

【技术实现步骤摘要】
一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用
本专利技术涉及反铁电陶瓷
,尤其涉及一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用。
技术介绍
反铁电材料是在一定温度范围内相邻离子联线上的偶极子呈反平行排列,宏观上自发极化强度为零,无电滞回线的材料。目前发现的反铁电材料的结构类型主要有两种:一是NaNbO3基型,其反平行偶极子是沿着假立方钙钛矿晶胞边的对角线,另一种是PbZrO3基型,其反平行偶极子是沿着假立方钙钛矿面的对角线。其中,PbZrO3基型的反铁电材料可以在电场作用下发生从反铁电到铁电相的转变,并伴随很大的应变及电荷释放,因此是一种具有重要作用价值的反铁电材料。反铁电陶瓷介质就是由反铁电体PbZrO3或者以锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷为基的固溶体所组成。反铁电陶瓷是较好的高压陶瓷介质材料。锆钛酸铅镧陶瓷(PLZT)是属PZT锆钛酸铅系压电陶瓷。现有报道对PLZT材料性能进行了大量研究,如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷。然而用非均匀化学计量比方法制备PLZT陶瓷并对其铁电性能的研究还未见报道。专利
技术实现思路
有鉴于此,本本文档来自技高网
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一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用

【技术保护点】
一种反铁电陶瓷材料,具有式I所示通式:(Pb0.97La0.02)(Zr0.95Ti0.05)1+yO3 式I;式I中,‑0.05≤y≤0.05。

【技术特征摘要】
1.一种反铁电陶瓷材料,具有式I所示通式:(Pb0.97La0.02)(Zr0.95Ti0.05)1+yO3式I;式I中,-0.05≤y≤0.05。2.根据权利要求1所述的反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述-0.03≤y≤0.05。3.根据权利要求1所述的反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述y=0.05、y=0.03、y=0.01、y=-0.03或y=-0.01。4.根据权利要求1所述的反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述反铁电陶瓷材料在190~210℃、饱和电场下,储能效率为82.1%~93.1%。5.根据权利要求1所述的反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述反铁电陶瓷材料在190~210℃、饱和电场下,储能密度为0.83~0.98J/cm3。6.一种权利要求1所述的反铁电陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:将PbO、ZrO2、TiO2和La2O3混合,得到混料,混料在球磨介质下...

【专利技术属性】
技术研发人员:牛中华蒋艳平唐新桂刘秋香
申请(专利权)人:广东工业大学
类型:发明
国别省市:广东,44

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