一种用于石墨烯表面改性的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于石墨烯表面改性的方法，所述石墨烯材料表面改性是指在一定的真空环境下、使用一种或多种等离子体源进行组合将一种或多种不同特性的金属或金属化合物材料沉积于不同型态的石墨烯表面，通过上述表面改性过的石墨烯具备单一纳米结构的金属复合体或使石墨烯具备超导、超顺磁特性的微米或纳米尺寸的功能性材料。

A method for surface modification of graphene

The invention relates to a method of surface modification of graphene. The graphene material surface modification refers to the combination of the metal or metal compound material depositing one or more different characteristics in different types of graphene surface using one or more plasma source in vacuum environment, functional. Through the above material graphene surface modified metal complexes with single nano structure or graphene with superconductivity, super paramagnetic properties of micron or nanometer size.

【技术实现步骤摘要】
一种用于石墨烯表面改性的方法
本专利技术涉及一种用于石墨烯表面改性的方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种材料的单一特性已不能满足产品的使用要求，釆用跨领域的技术来提升材料特性，特别是近几年微米、纳米尺寸的粉体材料得到大量开发和应用，其中石墨烯是一种已知的世上最薄、最坚硬的纳米材料，它几乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；导热系数高达5300W/m.K，高于碳纳米管和金刚石，而电阻率只约10-6Ω·cm，比铜或银更低，为世上电阻率最小的材料。具备超大的比表面，但石墨烯在使用上难以分散和与其它材料难以复合使用，通过改性能有效地将纳米金属或金属化合物以纳米型态来改性石墨烯，通过改性可扩大石墨烯的应用领域、并发挥石墨烯的固有特性。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题和市场需求，本专利技术的目的是提供料一种可实现对多种型态的石墨烯表面进行改性的方法。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种用于石墨烯表面改性的方法，该方法包括：在设定真空环境下，使用一种等离子体源或多种等离子体源的组合将至少一种金属与/或至少一种金属合金与/或至少一种半导体与/或至少一种金属化合物与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于石墨烯表面改性的方法，其特征在于：该方法包括：在设定真空环境下，使用一种等离子体源或多种等离子体源的组合将至少一种金属与/或至少一种金属合金与/或至少一种半导体与/或至少一种金属化合物与/或至少一种非金属化合物材料沉积于所述的石墨烯表面。

【技术特征摘要】
1.一种用于石墨烯表面改性的方法，其特征在于：该方法包括：在设定真空环境下，使用一种等离子体源或多种等离子体源的组合将至少一种金属与/或至少一种金属合金与/或至少一种半导体与/或至少一种金属化合物与/或至少一种非金属化合物材料沉积于所述的石墨烯表面。2.根据权利要求1所述的一种用于石墨烯表面改性的方法，其特征在于：所述的等离子体源包括磁控溅射离子源、多弧金属或合金离子源、气体离子源。3.根据权利要求1所述的一种用于石墨烯表面改性的方法，其特征在于：沉积于所述石墨烯表面的材料中的金属为Ag、Cu、Al、Zn、Mg、Ti、Cr、Ni、Co、Sn、Au中的一种或多种组合，沉积于所述石墨烯表面的材料中的金属合金为选自Ag、Cu、Al、Zn、Mg、Ti、Cr、Ni、Co、Sn、Au中任意两种或两种以上金属组成的合金。4.根据权利要求1所述的一种用于石墨烯表面改性的方法，其特征在于：所述的半导体为Si。5.根据权利要求1所述的一种用于石墨烯表面改性的方法，其特征在于：沉积于所述石墨烯表面的材料中的金属化合物为金属氧化物、金属氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰育辉，章兰乔，
申请(专利权)人：上海乔辉新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31