锰铜分流器的引线结构、PCB板及PCB板的走线结构制造技术

本发明专利技术公开了一种锰铜分流器的引线结构、PCB板及PCB板的走线结构，锰铜分流器的第一电流采样端和第二电流采样端位于锰铜分流器的同侧，第二电流采样端受外部交变磁场干扰；第一采样信号线在与锰铜分流器平行设置的PCB板上形成一个环形走线，并以平行或者双绞的方式与第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样，以将外部交变磁场干扰引入第一电流采样端，使第一电流采样端受到与第二电流采样端受到的外部交变磁场干扰大小相同的外部交变磁场干扰。本发明专利技术采用改变锰铜分流器的电流采样端在PCB板上的走线方式，将交变磁场对第二电流采样端的干扰引进第一电流采样端，两者干扰相互抵消，从而防止交变磁场对锰铜分流器的采样干扰。

【技术实现步骤摘要】
锰铜分流器的引线结构、PCB板及PCB板的走线结构
本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种锰铜分流器的引线结构、PCB板及PCB板的走线结构。
技术介绍
锰铜分流器广泛运用于仪表测量电流领域，可用于对通讯系统、电子整机、自动化控制的电源等的回流、限流、均流的取样检测。锰铜分流器具有稳定性好、温度变化量小的特点。该器件作为电子式电能表的电流采样器件，已经有几十年的历史，直至今日仍作为一种不可缺少的采样器件进行使用。现有的锰铜分流器通常通过固定紫铜片固定于电子设备的进线端，锰铜分流器的电流取样端与电子线路PCB板之间用二条电流取样信号线相连接，取样信号线采用立式走线方式或是直接焊接在PCB板上。由于锰铜分流器采集的电流信号非常微小，一般是微伏级的，所以传统的这种直接安装在端子上或者串联在继电器上的走线方式，特别容易受交变磁场的干扰，从而导致电流采样和计量不准确。根据法拉第电磁感应定律，线圈产生的感应电动势计算公式为：E＝NdΦ/dt(其中φ＝BS，B为磁场强度，S为有效面积，N＝1)，当有交变磁场干扰时，在锰铜本身、线缆与锰铜的间隙或是PCB板和锰铜的间隙都有闭合环路，在采样端就会产生相应的感应电动势，该感应电动势经过后续电路放大、AD转换后严重影响电流采样的准确性。现有的某些不法分子便利用现有基于锰铜采样的电能表易受外部交变磁场影响不能准确计量的缺陷进行窃电，经测算利用该手段窃电导致的误差随交变磁场强度的强弱而变化，最大误差可以达到100％。此外，对锰铜分流器自身设计中内部的交变电磁干扰也不容忽视，例如，工频变压器漏磁影响表计运行误差；三相表三锰铜对称式接法，相与相之间电磁感应电流过大，小信号影响严重等。因此，如何抵抗外界交变磁场对锰铜分流器的干扰，是一个函待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种抗外界交变磁场干扰的锰铜分流器的引线结构、PCB板及PCB板的走线结构，主要用于电能表领域的抗外界交变磁场干扰的锰铜电流采样器件。本专利技术提供的锰铜分流器的引线结构，所述锰铜分流器包括第一电流采样端和第二电流采样端，其特征在于，所述第一电流采样端连接有第一采样信号线，所述第二电流采样端连接有第二采样信号线；所述第一电流采样端和第二电流采样端位于所述锰铜分流器的同侧；所述第二电流采样端受外部交变磁场干扰；所述第一采样信号线，在与所述锰铜分流器平行设置的PCB板上形成一个环形走线，并以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样，以将外部交变磁场干扰引入所述第一电流采样端，使所述第一电流采样端受到与所述第二电流采样端受到的外部交变磁场干扰大小相同的外部交变磁场干扰。作为一种可实施方式，所述锰铜分流器垂直焊接在第一PCB板上；所述锰铜分流器的一侧平行设置有第二PCB板；所述第一采样信号线从所述第一电流采样端走到所述第二PCB板上，形成一个环形走线后，回到所述第一PCB板上，最后以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样。作为一种可实施方式，所述锰铜分流器平行焊接在第三PCB板上；所述第一采样信号线从所述第一电流采样端走到所述第三PCB板上，形成一个环形走线后，以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样。本专利技术提供了一种PCB板，包括基板，所述基板上布置有上述任一项所述的锰铜分流器的引线结构。本专利技术提供了一种电能表，包括锰铜分流器，所述锰铜分流器采用上述任一项所述的锰铜分流器的引线结构。本专利技术提供了一种PCB板的走线结构，包括第一PCB板、第二PCB板以及垂直焊接在所述第一PCB板上的锰铜分流器；所述锰铜分流器包括第一电流采样端和第二电流采样端；所述第二电流采样端受外部交变磁场干扰；所述第一电流采样端连接有第一采样信号线，所述第二电流采样端连接有第二采样信号线，所述第一电流采样端和第二电流采样端位于所述锰铜分流器的同侧；所述第二PCB板，位于所述锰铜分流器的一侧，且与所述锰铜分流器平行设置；所述第一采样信号线从所述第一电流采样端走到所述第二PCB板上，形成一个环形走线后，回到所述第一PCB板上，最后以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样。本专利技术提供了一种PCB板的走线结构，其特征在于，包括PCB板以及平行焊接在所述PCB板上的锰铜分流器；所述锰铜分流器包括第一电流采样端和第二电流采样端；所述第二电流采样端受外部交变磁场干扰；所述第一电流采样端连接有第一采样信号线，所述第二电流采样端连接有第二采样信号线，所述第一电流采样端和第二电流采样端位于所述锰铜分流器的同侧；所述第一采样信号线从所述第一电流采样端走到所述PCB板上，形成一个环形走线后，以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样。与现有技术相比，本技术方案具有以下优点：本专利技术提供的锰铜分流器的引线结构、PCB板及PCB板的走线结构，采用改变锰铜分流器的电流采样端在PCB板上的走线方式，增加环路面积，从而将交变磁场对第二电流采样端的干扰，同时引进第一电流采样端，让第一电流采样端也受到大小相同的交变磁场干扰，两者干扰相互抵消，从而防止交变磁场对锰铜分流器的采样干扰。不仅可以解决外部交变磁场的干扰，同时也能够解决对内部自身工频变压器漏磁和三相表三锰铜对称式方案的相与相之间的电磁感应互扰。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的PCB板的走线结构示意图；图2为本专利技术实施例二提供的PCB板的走线结构侧示图；图3为本专利技术实施例二提供的PCB板的走线结构俯示图。具体实施方式以下结合附图，对本专利技术上述的和另外的技术特征和优点进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的部分实施例，而不是全部实施例。本专利技术提供的锰铜分流器的引线结构，通过改变传统的引线结构，从而防止交变磁场对锰铜分流器的采样干扰，其主要用于电能表领域的抗外界交变磁场干扰的锰铜电流采样器件。锰铜分流器具有三端，分别为电压采样端、第一电流采样端和第二电流采样端，第一电流采样端连接有第一采样信号线，第二电流采样端连接有第二采样信号线。本专利技术提供的锰铜分流器的引线结构，其第一电流采样端和第二电流采样端位于锰铜分流器的同侧；第二电流采样端受外部交变磁场干扰；第一采样信号线，在与锰铜分流器平行设置的PCB板上形成一个环形走线，并以平行或者双绞的方式与第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样，以将外部交变磁场干扰引入第一电流采样端，使第一电流采样端受到与第二电流采样端受到的外部交变磁场干扰大小相同的外部交变磁场干扰。其采用改变锰铜分流器的电流采样端在PCB板上的走线方式，增加环路面积，从而将交变磁场对第二电流采样端的干扰，同时引进第一电流采样端，让第一电流采样端也受到大小相同的交变磁场干扰，两者干扰相互抵消，从而防止交变磁场对锰铜分流器的采样干扰。不仅可以解决外部交变磁场的干扰，同时也能够解决对内部自身工频变压器漏磁和三相表三锰铜对称式方案的相与相之间的电磁感应互扰。本专利技术通过增加引线的环路面积，将磁场干扰也同时引进第一电流采样端，让其也受到大小相同的交变磁场干扰，两者相互抵消从，而防止交变磁场对锰铜分流器的采样干扰。其实现方式可以有多种，例如，可以将锰铜分流器垂直焊接在第一PCB板上，然后在锰铜分流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锰铜分流器的引线结构，所述锰铜分流器包括第一电流采样端和第二电流采样端，其特征在于，所述第一电流采样端连接有第一采样信号线，所述第二电流采样端连接有第二采样信号线；所述第一电流采样端和第二电流采样端位于所述锰铜分流器的同侧；所述第二电流采样端受外部交变磁场干扰；所述第一采样信号线，在与所述锰铜分流器平行设置的PCB板上形成一个环形走线，并以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样，以将外部交变磁场干扰引入所述第一电流采样端，使所述第一电流采样端受到与所述第二电流采样端受到的外部交变磁场干扰大小相同的外部交变磁场干扰。

【技术特征摘要】
1.一种锰铜分流器的引线结构，所述锰铜分流器包括第一电流采样端和第二电流采样端，其特征在于，所述第一电流采样端连接有第一采样信号线，所述第二电流采样端连接有第二采样信号线；所述第一电流采样端和第二电流采样端位于所述锰铜分流器的同侧；所述第二电流采样端受外部交变磁场干扰；所述第一采样信号线，在与所述锰铜分流器平行设置的PCB板上形成一个环形走线，并以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样，以将外部交变磁场干扰引入所述第一电流采样端，使所述第一电流采样端受到与所述第二电流采样端受到的外部交变磁场干扰大小相同的外部交变磁场干扰。2.根据利要求1所述的锰铜分流器的引线结构，其特征在于，所述锰铜分流器垂直焊接在第一PCB板上；所述锰铜分流器的一侧平行设置有第二PCB板；所述第一采样信号线从所述第一电流采样端走到所述第二PCB板上，形成一个环形走线后，回到所述第一PCB板上，最后以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样。3.根据利要求1所述的锰铜分流器的引线结构，其特征在于，所述锰铜分流器平行焊接在第三PCB板上；所述第一采样信号线从所述第一电流采样端走到所述第三PCB板上，形成一个环形走线后，以平行或者双绞的方式与所述第二采样信号线一起连接到芯片的AD采样。4.一种PCB板，包括基板，其特征在于，所述基板上布置有上述权利要求1至3任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊震，
申请(专利权)人：杭州海兴电力科技股份有限公司，宁波恒力达科技有限公司，湖南海兴电器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33