一种高精度温度传感器制造技术
A high precision temperature sensor
The invention discloses a high precision temperature sensor, including bandgap reference circuit, bandgap reference circuit module includes two generation PTAT reference current bipolar junction transistor input two bipolar junction transistor voltage was VBEH high voltage low voltage signal and the VBEL signal, the signal input VBEH high voltage signal and VBEL output low voltage signal to the signal output end of the data selector, data selector end through the input of the first buffer connected first-order modulator. The invention eliminates the bandgap reference circuit module amplifier offset voltage of offset and current mirror mismatch error resistance and BJT bipolar junction transistor. The cause, so as to enhance the precision measurement of the temperature sensor, suitable for application.
【技术实现步骤摘要】
一种高精度温度传感器
本专利技术属于集成电子电路领域，具体涉及一种高精度温度传感器的设计。
技术介绍
目前，我国集成电子电路行业发展迅速，度温度传感器的种类也很多，但是仍然面临着很多方面的挑战，需求寻找满足客户的解决方案。传统传感器使用的是双极型晶体管的基极发射极电压VBE作为测温信号，通过直流低频信号直接测量出温度的变化。从集电极电流IC就是指的集电极电流和基极-发射极电压VBE就是指的基极—发射极电压之间著名的指数关系，可以得到VBE与绝对温度T的关系函数。VBE(T)几乎是温度的线性函数，其典型的斜率是-2mV/K。如果集电极电流比是常数，两个不同集电极电流IC1和IC2驱动的晶体管VBE的差值ΔVBE就是指的基极—发射极电压的差值与绝对温度成正比关系(PTAT)在一个带隙基准电压源中，放大的ΔVBE加到VBE上产生一个与温度无关的基准电压VREF就是指的基准电压，在后面的ADC指的模数转换器中可以利用这些量准确的测量出与温度正比的物理量，从而计算得到比较准确的温度值。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足，提供一种高精度温度传感器，可以有...
【技术保护点】
一种高精度温度传感器，包括带隙基准电路模块(1)，其特征在于：所述带隙基准电路模块(1)包括两个生成PTAT基准电流的双极结型晶体管，VBEH高电压信号和VBEL低电压信号分别输入两个所述双极结型晶体管电压，所述VBEH高电压信号和VBEL低电压信号还输出至所述数据选择器(2)的信号输入端，所述数据选择器(2)的信号输出端通过第一缓冲器(3)连接一阶调制器(4)的输入端。
【技术特征摘要】
1.一种高精度温度传感器，包括带隙基准电路模块(1)，其特征在于：所述带隙基准电路模块(1)包括两个生成PTAT基准电流的双极结型晶体管，VBEH高电压信号和VBEL低电压信号分别输入两个所述双极结型晶体管电压，所述VBEH高电压信号和VBEL低电压信号还输出至所述数据选择器(2)的信号输入端，所述数据选择器(2)的信号输出端通过第一缓冲器(3)连接一阶调制器(4)的输入端。2.根据权利要求1所述的一种高精度温度传感器，其特征在于：还包括时钟控制模块(5)，所述时钟控制模块(5)的信号输出端分别连接所述带隙基准电路模块(1)、所述数据选择器(2)和所述一阶调制器(4)。3.根据权利要求1所述的一种高精度温度传感器，其特征在于：所述带隙基准电路模块(1)还包括第一恒流源(1.1)和第二恒流源(1.2)，两个所述双极结型晶体管分别记为第一双极结型晶体管Q1和第二双极结型晶体管Q2；所述第一恒流源(1.1...
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