一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法技术

一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法，该方法是对熔体抽拉非晶微丝进行电解抛光，工艺参数为：阴极电流密度为100A/dm

A modulation method of melt extraction to improve GMI effect in amorphous microwires lafay

An improved method of melt pump modulation of giant magneto impedance effect in amorphous microwires now, the method of melt extracted amorphous microwires of electrolytic polishing process parameters: the cathodic current density was 100A/dm

【技术实现步骤摘要】
一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法
本专利技术涉及一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法。
技术介绍
非晶微丝具有独特的巨磁阻抗(GiantMagneto-impedance，GMI)效应而受到国际学术界广泛的关注，所谓巨磁阻抗效应是指磁性材料的交流阻抗随着外加磁场的微小变化而发生显著改变的现象。依据这一特性，巨磁阻抗(GMI)磁敏传感器得到开发。(参见V.Zhukova,M.Ipatov,A.Zhukov.“ThinMagneticallySoftWiresforMagneticMicrosensors”.Sensors.2009,9:9216-9240.)。目前，在巨磁阻抗效应研究方面，非晶微丝主要集中在玻璃包裹法、水纺法与熔体抽拉法获得，相对于玻璃包裹丝存在玻璃层不利于电路连接，水纺丝易晶化且直径相对较粗等特点，熔体抽拉丝制备相对稳定，直径也在10～80μm间，便于电路间接与电子封装。为了提高磁敏感器件的阻抗响应特性，应用前往往需要进行必要的调制处理，常采用真空退火、磁场退火、电流退火、应力退火、激光退火等释放残余较大内应力，改善各向异性，但诸多方法中，并未本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法，其特征是：具体步骤如下：(1)选取直径35μm，长度为22mm的熔体抽拉Co68.15Fe4.35Si12.25B13.75Nb1Cu0.5非晶微丝，将所述非晶微丝一端固定于平口铜质夹具，另一端浸入电解液中进行电解抛光处理，其中，阳极材料为所述非晶微丝，阴极材料为99.99％纯铜片，电流密度为100A/dm

【技术特征摘要】
1.一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法，其特征是：具体步骤如下：(1)选取直径35μm，长度为22mm的熔体抽拉Co68.15Fe4.35Si12.25B13.75Nb1Cu0.5非晶微丝，将所述非晶微丝一端固定于平口铜质夹具，另一端浸入电解液中进行电解抛光处理，其中，阳极材料为所述非晶微丝，阴极材料为99.99％纯铜片，电流密度为100A/dm2～150A/dm2，电解抛光时间为360s～600s，电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东明，孙剑飞，王桂强，吴志颖，
申请(专利权)人：渤海大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21