The invention discloses a microwave dielectric material with a near zero resonant frequency temperature coefficient and a preparation method thereof. The chemical composition of microwave dielectric materials is: (1
【技术实现步骤摘要】
一种近零谐振频率温度系数的微波介质材料及其制备方法
本专利技术属于电子陶瓷及其制造领域，特别涉及一种近零谐振频率温度系数的微波介质材料及其制备方法，该微波介质材料用于制备介质基板、天线和谐振器等微波元器件。
技术介绍
微波介质材料是指应用于微波频段（300MHz~300GHz）电路中作为介质并完成一种或多种功能的陶瓷，主要用于制备谐振器、滤波器、介质天线、介质导波回路等微波元器件。近年来，随着微波元器件不断向低成本化、高频化以及轻量化方向的发展，这要求微波介质材料具有优良的微波介电性能（高的Q×f值，低的介电常数、近零的τf值）、低的生产成本、低的密度。尽管目前报道了很多性能优异的微波介电材料，比如：Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，Ba(Mg1/3Nb2/3)O3，Ba(Y1/2Ta1/2)O3。但是较大的谐振频率温度系数限制了其在商业上的应用。目前最常用的调节温度系数的方法主要有以下三种：（1）添加具有相反温度系数的材料形成混合相；（2）添加具有相反温度系数的材料形成固溶体；（3）开发新体系。目前，使用最多的方法是添加具有相反温度系数的材料形成混合相。专利技术...
【技术保护点】
一种近零谐振频率温度系数的微波介质材料，其特征在于该近零谐振频率温度系数的微波介质材料的化学组成式为：(1‑
【技术特征摘要】
1.一种近零谐振频率温度系数的微波介质材料，其特征在于该近零谐振频率温度系数的微波介质材料的化学组成式为：(1-x)(3MgO-Al2O3-3TiO2)-xCaTiO3，其中x为摩尔分数，且0.1≤x≤0.3。2.一种如权利要求1所述的近零谐振频率温度系数的微波介质材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：(1)以纯度≥99%的Al2O3、MgO和TiO2为主要原料，先按3MgO-Al2O3-3TiO2进行称量，然后混合制得混合料；按照无水乙醇与混合料质量比为1:1的比例向混合料中加入无水乙醇，采用湿磨法混合4小时，磨细后在120~140℃下烘干，以60目的筛网过筛，过筛后压制成块状，然后以5℃/min的升温速率将压制的块状原料由室温升至1225℃并在此温度下保温4小时，制成3MgO-Al2O3-3TiO2样品，将制得的3MgO-Al2O3-3TiO2样品粉碎，分别按照无水乙醇与粉料质量比为1:1的比例向粉料中加入无水乙醇，放入尼龙罐中球磨4小时后取出，放入烘炉内在120~140℃下烘干，制得3MgO-Al2O3-3TiO2粉体；(2)以纯度≥99%的CaCO3和TiO2为主要原料，按CaTiO3进行称料，然后混合制得混合料...
【专利技术属性】
技术研发人员：周焕福，黄瑾，陈秀丽，阮红，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45
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