一种LED彩灯闪烁电路制造技术

技术编号:16389707 阅读:69 留言:0更新日期:2017-10-16 11:36
本实用新型专利技术是一种LED彩灯闪烁电路,包括至少两组依次亮、熄的LED灯,所述的任一一组LED灯电路均包括一MOS管、一栅极电阻、一源级电阻、一电解电容;电源正极通过栅极电阻接MOS管的栅极、通过源极电阻接MOS管源极,MOS管的漏极接电源地,至少一颗LED灯设置在MOS管的源极与漏极之间,MOS管的栅极同时还通过电解电容接前一组LED灯电路的MOS管的源极,电解电容的阳极接前一组LED灯电路的MOS管的源极。本实用新型专利技术提供了一种简洁实用且成本低廉的LED彩灯闪烁电路。

【技术实现步骤摘要】
一种LED彩灯闪烁电路
本技术涉及LED彩灯闪烁电路。
技术介绍
LED彩灯闪灯是城市亮化工程的主要光源,五颜六色的彩灯张点得城市五彩缤纷,特别是节日时,使用彩灯闪烁更显节日气芬。目前LED彩灯闪烁电路都采用单片机控制,单片机可以控制彩灯按照非常漂亮的图案闪烁,但成本比较高,对于某些只需要让彩灯按照一顺序依次闪烁的LED彩灯,由于采用单片机,成本比较高,不能满足用户经济实用的要求。
技术实现思路
本技术的目的在于:提供一种成本低结构简单的LED彩灯闪烁电路。本技术的技术方案:一种LED彩灯闪烁电路,包括至少两组依次亮、熄的LED灯,所述的任一一组LED灯电路均包括一MOS管、一栅极电阻、一源级电阻、一电解电容;电源正极通过栅极电阻接MOS管的栅极、通过源极电阻接MOS管源极,MOS管的漏极接电源地,至少一颗LED灯设置在MOS管的源极与漏极之间,MOS管的栅极同时还通过电解电容接前一组LED灯电路的MOS管的源极,电解电容的阳极接前一组LED灯电路的MOS管的源极。本技术提供了一种简洁实用且成本低廉的LED彩灯闪烁电路。进一步的,上述的LED彩灯闪烁电路中:栅极电阻远大于源极电阻。以下将结合附图和实施例,对本技术进行较为详细的说明。附图说明图1为本技术实施例的电路原理图。具体实施方式实施例1,本实施例是一种连环闪烁的LED彩灯,如图1所示,本实施例中,具有多组LED灯,并联在电源正负极之间,如图所示为K组,在实践中K可以为一个较大的数,如50等,每组有n颗LED灯,有一MOS管,有一MOS管源极电阻、栅极电阻,还有一个电解电容,实践中,源极电阻要比栅极电阻小得多,本实施例中源极电阻为470欧姆,栅极电阻为10千欧姆,本实施例中电源直接使用目前在学流行的移动电源,输出为5V,整个LED彩灯的电源接头X可以是一个USB接头,在MOS管导通时,理想情况下,该组LED灯电路中的电源只有0.01A,电阻功率只有0.05W。本实施例中,LED彩灯闪烁电路由k只MOS管,和k×n只LED组成的循环灯。电路是这样工作的,当电源一接通,k只MOS管就要争先导通,但由于元器件有差异,只有某一只管子最先导通。假如MOS管Q1最先导通,那么MOS管Q1集电极电压下降,使电解电容C1的左端接近零电压,由于电解电容器两端的电压不能突变,所以MOS管Q2基极也被拉到近似零电压,使MOS管Q2截止。MOS管Q2集电极为高电压,那么接在MOS管Q2的源极与地之间n个LED发光二极管就亮了。此刻MOS管Q2集电极上的高电压通过电解电容器C2使MOS管Q3基极电压升高,MOS管Q3也将迅速导通。因此在这一段时间内,只有MOS管Q2截止,其它MOS管都导通,集电极均为低电压,只有接在MOS管Q2集电极上的发光二极管亮,而其余发光二极管不亮。随着电源通过电阻R21对C1的充电,使MOS管Q2基极电压逐渐升高,当超过0.2伏时,MOS管Q2由截止状态变为导通状态,集电极电压下降,发光二极管LED21、LED22、LED23…LED2n熄灭。与此同时MOS管Q2集电极电压的下降通过电容器C2的作用使MOSQ3的基极电压也下跳,MOSQ3由导通变为截止。接在MOSQ3集电极上的发光二极管就亮了。如此循环,电路中MOS管便轮流导通和截止,k组发光二极管就不停地循环发光。改变电容的容量可以改变循环灯循环的速度。本文档来自技高网...
一种LED彩灯闪烁电路

【技术保护点】
一种LED彩灯闪烁电路,包括至少两组依次亮、熄的LED灯,其特征在于:所述的任一一组LED灯电路均包括一MOS管、一栅极电阻、一源级电阻、一电解电容;电源正极通过栅极电阻接MOS管的栅极、通过源极电阻接MOS管源极,MOS管的漏极接电源地,至少一颗LED灯设置在MOS管的源极与漏极之间,MOS管的栅极同时还通过电解电容接前一组LED灯电路的MOS管的源极,电解电容的阳极接前一组LED灯电路的MOS管的源极。

【技术特征摘要】
1.一种LED彩灯闪烁电路,包括至少两组依次亮、熄的LED灯,其特征在于:所述的任一一组LED灯电路均包括一MOS管、一栅极电阻、一源级电阻、一电解电容;电源正极通过栅极电阻接MOS管的栅极、通过源极电阻接MOS管源极,MOS管的漏极接电源地,至...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙惠孙志
申请(专利权)人:湖南城市学院
类型:新型
国别省市:湖南,43

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