【技术实现步骤摘要】
高速微波放大光电探测器
本技术涉及一种光电探测器,特别是涉及高速微波放大光电探测器。
技术介绍
目前市场上普遍使用的探测器均是普通光电探测器,光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。现有技术中的光电探测器其宽带较窄,噪声大,增益低,规格少等不足。
技术实现思路
针对上述现有技术中的不足之处,本技术旨在提供一种高速微波放大光电探测器,其结构简单,光电混合集成,操作方便,宽带宽,高增益,低噪声,气密性封装且成本低。为实现上述目的,本技术的技术方案:一种高速微波放大光电探测器,该系统主要包括探测器芯片、光电转换器、放大电路、控制电路与驱动电路,所述探测器芯片输入端连接光信号输入端,探测器芯片输出端连接光电转换器输入端,光电转换器输出端连接放大电路输入端,放大电路输入端连接控制电路输出端,控制电路输出端连接驱动电路输入端,驱动电路输出端连接探测器芯片输入端,所述放大电路输出端输出射频信号,直流电信号接入所述控制电路。本技术的有益效果:与现有技术相比,本技术高速微波放大光电探测器结构设计简单合理,光电混合集成,操作方便,宽带宽,产品质量高,高增益,低噪声,气密性封装且成本低。附图说明图1是本技术的功能框图;图2是本技术中探测器芯片内部结构示意图。附图中1.探测器芯片;2.光电转换器;3.放大电路;4.控制电路;5.驱动电路;6.光信号输入端;7.n电极;8.n型InP半导体衬底;9.n型InP缓冲层;10.i型 ...
【技术保护点】
一种高速微波放大光电探测器,其特征在于:包括探测器芯片(1)、光电转换器(2)、放大电路(3)、控制电路(4)与驱动电路(5),所述探测器芯片(1)输入端连接光信号输入端(6),所述探测器芯片(1)输出端连接所述光电转换器(2)输入端,所述光电转换器(2)输出端连接所述放大电路(3)输入端,所述放大电路(3)输入端连接所述控制电路(4)输出端,所述控制电路(4)输出端连接所述驱动电路(5)输入端,所述驱动电路(5)输出端连接所述探测器芯片(1)输入端,所述放大电路(3)输出端输出射频信号,直流电信号接入所述控制电路(4)。
【技术特征摘要】
1.一种高速微波放大光电探测器,其特征在于:包括探测器芯片(1)、光电转换器(2)、放大电路(3)、控制电路(4)与驱动电路(5),所述探测器芯片(1)输入端连接光信号输入端(6),所述探测器芯片(1)输出端连接所述光电转换器(2)输入端,所述光电转换器(2)输出端连接所述放大电路(3)输入端,所述放大电路(3)输入端连接所述控制电路(4)输出端,所述控制电路(4)输出端连接所述驱动电路(5)输入端,所述驱动电路(5)输出端连接所述探测器芯片(1)输入端,所述放大电路(3)输出端输出射频信号,直流电信号接入所述控制电路(4)。2.根据权利要求1所述的高速微波放大光电探测器,其特征在于:所述探测器芯片(1)主要为InGaAs型探测器芯片,包括外延片与其背面形成欧姆接触的n电极(7),所述的外延片自n型InP半导体衬底(8)上连续生长:一n型InP缓冲层(9);一i型InGaAs吸收层(10);一n型InP过渡层(11);一n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族顶层(12),所述n型In...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖楠,刘均,刘浪,周淼,
申请(专利权)人:重庆霓扬科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:重庆,50
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