一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器制造技术

一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号。

A low noise, low power, high gain, high linearity wideband low noise amplifier

A low inductance power high gain high linearity broadband low noise amplifier, an amplifying unit, a multiplexing unit, cascade unit, load unit, feedback, matching unit, current mirror unit and reverse isolation of input and output; the RF input signal amplifying unit connected, output amplifying unit are respectively connected to the multiplexing unit and cascade output unit. The cascade unit is respectively connected with the load unit, matching unit, feedback and reverse isolation of input and output, input, output feedback unit is connected in the current mirror unit is connected with feedback amplifying unit, reverse isolation output matching unit outputs the RF output signal.

【技术实现步骤摘要】
一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器
本专利技术涉及射频接收机系统中的低噪声放大器，尤其是一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器。
技术介绍
低噪声放大器是无线接收机中的第一级有源电路，它本身应具有很低的噪声并提供足够的增益以抑制后续电路的噪声。在设计时，需要面临各种各样的设计指标要求，例如：较小的芯片面积、低噪声、低功耗、高增益、高线性度和较宽的带宽。由于有些设计指标之间本身存在矛盾，例如低噪声和高线性度，因此在设计时往往很难全部兼顾，需要进行折中或者采用一些技术手段。有源电阻负反馈结构放大器由于不采用或很少采用电感，通常占用的芯片面积较小，因此广泛应用于低成本的宽带低噪声放大器的设计中，主要原因是其具有较宽的输入匹配特性和一定的电压增益，传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器电路如图1所示。信号由晶体管M1栅极输入，晶体管M1的漏极接负载电阻RL，信号最后由晶体管M1的漏极输出。通过调整M1的宽长比及栅极偏置电压，可以调整流经M1的电流大小。为了实现宽带匹配，M1的漏极输出信号通过晶体管M2和电流源I1组成的源级跟随器电路由晶体管M2的源级输出，晶体管M2源级输出的信号通过反馈电阻RF返回到晶体管M1的栅极。通过调整晶体管M1的宽长比和栅极偏置电压，进而改变M1的跨导gm，可以获得不同的电压增益。通过优化晶体管M1的跨导gm和反馈电阻RF值的大小，从而使其输入阻抗与50欧姆天线匹配，获得良好的宽带输入匹配特性。为了提高电路的反向隔离度和输出匹配特性，晶体管M1漏极输出信号通过晶体管M3和电流源I2组成的源级跟随器电路由晶体管M3的源级输出。该结构具有较宽的输入带宽和增益带宽，同时具有一定的电压增益。但是，传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器具有以下缺点：第一是功耗大，传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器的输入阻抗近似为(1+gm2RF)/gm2(1+gm1RL)，其中gm1为输入晶体管跨导，gm2为源级跟随晶体管M2的跨导。为了获得一定的电压增益和实现输入阻抗与50欧姆天线的匹配，必须通过增加工作电流以提高输入管的跨导，同时调整反馈电阻RF和负载电阻RL的值使上式近似等于50欧姆。第二是增益低，传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器的增益很大程度上取决于共源级晶体管M1的增益，由于反馈电阻RF的存在，使其增益有一定的损失，因此，尽管该放大器是两级级联放大器，具有一定的电压增益，但是增益较低。第三是隔离度差，传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器中的隔离度较差，将导致输出端的信号通过反馈回路返回到输入端，难以满足系统对隔离度指标的要求。最后是噪声大，传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器的噪声系数较大，往往超过4dB。
技术实现思路
本专利技术的目的是为克服传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器的不足，提供一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，能在保证宽带特性基础上，降低放大器的功耗和噪声，提高放大器的增益、隔离度和线性度。本专利技术采取的技术方案如下：一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，其特征在于：设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号，其中：放大单元包括NMOS管M1，NMOS管M1的栅极连接射频输入信号RFin，晶体管M1的栅极偏置电压由输入匹配反馈单元和电流镜单元提供；复用单元包括PMOS管M2、PMOS管M4、电阻RB1及电容C1，PMOS管M2的栅极连接放大单元中NMOS管M1的栅极，PMOS管M2源极连接PMOS管M4的漏极和电容C1的一端，PMOS管M4的栅极通过电阻RB1连接偏置电压VB1，PMOS管M4的源极连接电容C1的另一端并与电源VDD连接；级联单元包括NMOS管M3，NMOS管M3的源极分别连接放大单元中NMOS管M1的漏极和复用单元中PMOS管M2的漏极；负载单元包括电阻RL，电阻RL的一端连接级联单元中NMOS管M3的漏极，电阻RL的另一端连接电源VDD；输入匹配反馈单元包括NMOS管M5、NMOS管M6、偏置电阻R1、反馈电阻RF、反馈电容CF和电容C2，NMOS管M5的栅极连接级联单元中NMOS管M3的漏极，NMOS管M5的漏极连接电源VDD，NMOS管M5的源极连接NMOS管M6的漏极和栅极并连接偏置电阻R1的一端，偏置电阻R1的另一端连接电容C2的一端和级联单元中NMOS管M3的栅极，电容C2的另一端接地，NMOS管M6的源极连接反馈电阻RF与反馈电容CF并联后的一端，反馈电阻RF与反馈电容CF并联后的另一端连接放大单元中NMOS管M1的栅极；电流镜单元包括电阻R2，电阻R2的一端连接输入匹配反馈单元中NMOS管M6的源极，电阻R2的另一端接地；反向隔离输出匹配单元包括PMOS管M7、PMOS管M10、NMOS管M8、NMOS管M9、电阻RB2、电阻RB3、交流反馈电容C3和输出匹配电阻Rout；PMOS管M7的源极和PMOS管M10的源极均连接电源VDD，PMOS管M7的栅极通过电阻RB2连接偏置电压VB2，PMOS管M7的漏极与PMOS管M10的栅极、NMOS管M8的漏极以及交流反馈电容C3的一端连接在一起，NMOS管M8的栅极连接级联单元中NMOS管M3的漏极，NMOS管M8的源极与PMOS管M10的漏极、NMOS管M9的漏极以及输出匹配电阻Rout的一端连接在一起，NMOS管M9的栅极连接交流反馈电容C3的另一端并通过电阻RB3连接偏置电压VB3，NMOS管M9的源极接地，输出匹配电阻Rout的另一端输出射频输出信号RFout。本专利技术的优点及显著效果：采用CMOS工艺，在设计射频电路中具有较大优势，电路结构中不含片内电感，大大减小了芯片面积。除此之外，对传统的宽带电路结构进行了改进，在改善噪声性能与增益的同时，将功耗大幅度降低，使电路具有较大的增益带宽与较宽的输入匹配带宽，且具有较高的线性度和较小的噪声系数。(1)低功耗。在实现50欧姆宽带输入阻抗匹配要求下，采用本专利技术可以大幅度降低功耗，通过电流复用技术可以将工作电流降至8mA(3V电源电压下)，而传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器，需要约13mA的工作电流(3V电源电压下)。(2)高增益。本专利技术通过两级电流复用技术，在保证工作电流不变的情况下，在射频信号输入放大单元增加一级共源共栅放大器构成复用单元，极大提高了输入级的有效跨导gm，同时在反向隔离输出匹配单元中也采用了一级共源共栅放大器构成电流复用单元，这些技术的采用，大大提高了电压增益。在相同功耗条件下(3V电源电压下，工作电流8mA)，本专利技术相对于传统的两级级联结构的有源电阻负反馈低噪声放大器和仅输入级采用电流复用技术的放大器相比，其电压增益大幅提高，见图4。(3)高隔离度。本专利技术中采用的共源共栅极电流复用技术，极大地提高了放大器的整体隔离度，相比传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，其特征在于：设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号，其中：放大单元包括NMOS管M1，NMOS管M1的栅极连接射频输入信号RFin，NMOS管M1的栅极偏置电压由输入匹配反馈单元和电流镜单元提供；复用单元包括PMOS管M2、PMOS管M4、电阻RB1及电容C1，PMOS管M2的栅极连接放大单元中NMOS管M1的栅极，PMOS管M2源极连接PMOS管M4的漏极和电容C1的一端，PMOS管M4的栅极通过电阻RB1连接偏置电压VB1，PMOS管M4的源极连接电容C1的另一端并与电源VDD连接；级联单元包括NMOS管M3，NMOS管M3的源极分别连接放大单元中NMOS管M1的漏极和复用单元中PMOS管M2的漏极；负载单元包括电阻RL，电阻RL的一端连接级联单元中NMOS管M3的漏极，电阻RL的另一端连接电源VDD；输入匹配反馈单元包括NMOS管M5、NMOS管M6、偏置电阻R1、反馈电阻RF、反馈电容CF和电容C2，NMOS管M5的栅极连接级联单元中NMOS管M3的漏极，NMOS管M5的漏极连接电源VDD，NMOS管M5的源极连接NMOS管M6的漏极和栅极并连接偏置电阻R1的一端，偏置电阻R1的另一端连接电容C2的一端和级联单元中NMOS管M3的栅极，电容C2的另一端接地，NMOS管M6的源极连接反馈电阻RF与反馈电容CF并联后的一端，反馈电阻RF与反馈电容CF并联后的另一端连接放大单元中NMOS管M1的栅极；电流镜单元包括电阻R2，电阻R2的一端连接输入匹配反馈单元中NMOS管M6的源极，电阻R2的另一端接地；反向隔离输出匹配单元包括PMOS管M7、PMOS管M10、NMOS管M8、NMOS管M9、电阻RB2、电阻RB3、交流反馈电容C3和输出匹配电阻Rout；PMOS管M7的源极和PMOS管M10的源极均连接电源VDD，PMOS管M7的栅极通过电阻RB2连接偏置电压VB2，PMOS管M7的漏极与PMOS管M10的栅极、NMOS管M8的漏极以及交流反馈电容C3的一端连接在一起，NMOS管M8的栅极连接级联单元中NMOS管M3的漏极，NMOS管M8的源极与PMOS管M10的漏极、NMOS管M9的漏极以及输出匹配电阻Rout的一端连接在一起，NMOS管M9的栅极连接交流反馈电容C3的另一端并通过电阻RB3连接偏置电压VB3，NMOS管M9的源极接地，输出匹配电阻Rout的另一端输出射频输出信号RFout。...

【技术特征摘要】
1.一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，其特征在于：设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号，其中：放大单元包括NMOS管M1，NMOS管M1的栅极连接射频输入信号RFin，NMOS管M1的栅极偏置电压由输入匹配反馈单元和电流镜单元提供；复用单元包括PMOS管M2、PMOS管M4、电阻RB1及电容C1，PMOS管M2的栅极连接放大单元中NMOS管M1的栅极，PMOS管M2源极连接PMOS管M4的漏极和电容C1的一端，PMOS管M4的栅极通过电阻RB1连接偏置电压VB1，PMOS管M4的源极连接电容C1的另一端并与电源VDD连接；级联单元包括NMOS管M3，NMOS管M3的源极分别连接放大单元中NMOS管M1的漏极和复用单元中PMOS管M2的漏极；负载单元包括电阻RL，电阻RL的一端连接级联单元中NMOS管M3的漏极，电阻RL的另一端连接电源VDD；输入匹配反馈单元包括NMOS管M5、NMOS管M6、偏置电阻R1、反馈电阻RF、反馈电容CF和电容C2，NMOS管M5的栅极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智群，罗磊，程国枭，王欢，黎飞，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32