低EMI非对称中心抽头整流电路制造技术

本发明专利技术涉及直流/直流变换领域，旨在提供一种低EMI非对称中心抽头整流电路。其原边为半桥LLC拓扑，后级为中心抽头整流电路，功率变压器原副边绕组采用交错绕的绕组结构，且定义变压器绕组的同名端标识为正端另一为负端；第一整流二极管的阴极与第二副边绕组的负端连接至输出滤波电容的正端；第二整流二极管的阳极与第一副边绕组的负端连接至输出滤波电容的负端；且第一整流二极管的阳极与第一副边绕组的正端相接，第二整流二极管的阴极与第二副边绕组的正端相接。本发明专利技术减小了共模电流及其造成的干扰，消除或缓解了变压器原副边之间共模电流对励磁电感电流的抽流效应，减小桥壁开关管的死区时间，提高变换器转换效率。

Low EMI asymmetric center tapped rectifier circuit

The present invention relates to the DC / DC converter field, and aims to provide a low EMI asymmetric center tap rectifier circuit. The primary side half bridge LLC topology, the second is a center tapped rectifier circuit, power transformer winding with staggered winding structure and transformer winding around, definition of name end is identified as a negative end end; the positive end of the negative end of the cathode and the second secondary windings of the first rectifier diode connected to the output filter capacitor; negative terminal negative end of the anode and the first secondary winding second rectifier diode connected to the output filter capacitor; the positive end and the first anode rectifier diode and the first secondary winding is connected with the cathode and second secondary windings of second rectifier diode is connected with the end. The invention reduces the interference of common mode current and the resulting, eliminate or ease between transformer common mode current flow pumping effect on excitation inductance current, dead time, reduce the bridge wall switch tube, improve the converter efficiency.

【技术实现步骤摘要】
低EMI非对称中心抽头整流电路
本专利技术属于直流/直流变换领域，涉及一种能够减小变换器共模电流的整流电路结构。更具体的说，本专利技术涉及一种针对有两个副边绕组的功率变压器实现低共模干扰电流的非对称结构中心抽头整流电路。
技术介绍
电磁干扰(ElectromagneticInterference简称EMI)，指电磁波与电子元件作用而产生的干扰现象，有传导干扰和辐射干扰两种。电容性输出中心抽头整流电路(如图1)因其结构简单、无输出电感，容易实现整流管的软开关等众多优势，被广泛地应用于DC-DC谐振变换器的整流结构中。但高频功率变压器漏感及引线电感等，与副边整流管的寄生输出结电容在换流时极易产生电压寄生振荡，增加整流管的电压应力。因此，在实际应用中仍需采用辅助的电压缓冲吸收电路或者选用相对耐压高的输出整流管。从而增加了辅助损耗或导通损耗，降低了变换器整体转换效率。在高频DC-DC变换器中，变压器原副边绕组一般采用交错绕的方法来减小涡流损耗。如图2所示，将原边绕组分为第一绕组P1和第二绕组P2，然后将副边绕组置于原边第一绕组和第二绕组之间。但也会因此带来较大的原副边寄生电容(如图3)。开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低EMI非对称中心抽头整流电路，其原边为半桥LLC拓扑，后级为中心抽头整流电路，包括一组桥臂、谐振电感(Lr)、谐振电容(Cr)、两个整流二极管(D1，D2)，以及一个功率变压器(T1)；功率变压器(T1)包括原边绕组(P)、第一副边绕组(Sa)和第二副边绕组(Sb)，功率变压器(T1)原副边绕组采用交错绕的绕组结构，且定义变压器绕组的同名端标识为正端另一为负端；其特征在于：两个整流二极管(D1，D2)中，第一整流二极管(D1)的阴极与第二副边绕组(Sb)的负端连接至输出滤波电容(C0)的正端；第二整流二极管(D2)的阳极与第一副边绕组(Sa)的负端连接至输出滤波电容(C0)的负端；且第一...

【技术特征摘要】
1.一种低EMI非对称中心抽头整流电路，其原边为半桥LLC拓扑，后级为中心抽头整流电路，包括一组桥臂、谐振电感(Lr)、谐振电容(Cr)、两个整流二极管(D1，D2)，以及一个功率变压器(T1)；功率变压器(T1)包括原边绕组(P)、第一副边绕组(Sa)和第二副边绕组(Sb)，功率变压器(T1)原副边绕组采用交错绕的绕组结构，且定义变压器绕组的同名端标识为正端另一为负端；其特征在于：两个整流二极管(D1，D2)中，第一整流二极管(D1)的阴极与第二副边绕组(Sb)的负端连接至输出滤波电容(C0)的正端；第二整流二极管(D2)的阳极与第一副边绕组(Sa)的负端连接至输出滤波电容(C0)的负端；且第一整流二极管(D1)的阳极与第一副边绕组(Sa)的正端相接，第二整流二极管(D2)的阴极与第二副边绕组(Sb)...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴新科，蓝桂星，张思亮，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33