This invention relates to a method of adding copper activated two MgB2 superconducting block first sintering; the precursor powder MgB2 powder added in 1 ~ 5wt.% and copper in agate mortar mixing, in under the pressure of 2 to 8MPa and then put into cylindrical pieces; thermogravimetry differential thermal analyzer, high pure argon gas flow in the atmosphere is heated to 800 to 1000 DEG C after holding for 0 ~ 20 minutes of sintering; then dropped to 600 to 700 DEG C after holding for 0 ~ 3 hours, and finally to 10 to 40 DEG /min the speed of cooling to room temperature. Prepared by the invention has high MgB2 superconducting material carrier is by adding copper technology used to obtain the first sintering method, stable material structure, the critical temperature is higher, and has a current carrying capacity of the best in all the first preparation of MgB2 superconducting block; the preparation method is simple. Strong controllability, no pollution, wide material source, low preparation cost, has extensive application prospect in engineering.
【技术实现步骤摘要】
铜添加活化二硼化镁超导块体先位烧结的方法
本专利技术属于超导
,特别提出通过铜掺杂活化MgB2超导块体先位烧结制备技术。
技术介绍
新型高温超导材料、超导物理及应用研究一直是近些年的热门研究领域,2001年初Nagamatsu等人发现超导临界转变温度(Tc)39K的MgB2新超导体,引起科学界广泛的关注。MgB2具有结构简单,相干长度长,临界电流密度较高,化学性能稳定等优良的特性。众所周知,在高温超导体发现之前,常规金属或合金超导体的Tc长期得不到提高。此前金属超导体的冠军是Nb3Ge,其Tc=23K。MgB2超导电性的发现,一举将常规超导体的Tc提高了17K。它是迄今发现的临界温度最高的简单、稳定的金属化合物超导材料,也是一种更有希望实用化的超导材料。因此,其超导电性一经发现,便吸引了全世界超导物理学家强烈的研究兴趣。MgB2超导材料主要有两种制备方法:原位法和先位法。两种方法最主要的区别在于所选择的前驱体粉末不同。原位法是以Mg粉和B粉的均匀混合物作为前驱体粉,然后进行热处理获得MgB2超导材料。该方法制备的MgB2超导体特点是晶粒间连接好,容易引入磁通钉扎中心,临界电流密度性能较好;但缺点是致密度低、多孔且易被氧化。先位法是以MgB2粉末作为前驱体粉末,经过热处理,即获得具有实用价值的MgB2超导材料。该方法的特点是制备工艺简单、烧结致密度高且超导线带材有效载流面积大。但是先位法制备的MgB2超导材料的晶间连接性较弱,导致其临界电流密度比较低,有待进一步改善。前期研究发现通过不同温度的保温烧结能够在一定程度上改善先位法制备MgB2的晶间连接性, ...
【技术保护点】
一种铜添加活化二硼化镁超导块体先位烧结的方法;其特征是步骤如下:(1)将前驱粉MgB2粉中添加1~5wt.%的铜粉在玛瑙研钵中充分混合,然后在2~8MPa的压力下制成圆柱小片;(2)然后,放入热重差热分析仪或者管式烧结炉中,在流动的高纯氩气的气氛下,升温速率升至800~1000℃后烧结;然后降至600~700℃后,以10~40℃/min的冷却速度降至室温得到烧结样品。
【技术特征摘要】
1.一种铜添加活化二硼化镁超导块体先位烧结的方法;其特征是步骤如下:(1)将前驱粉MgB2粉中添加1~5wt.%的铜粉在玛瑙研钵中充分混合,然后在2~8MPa的压力下制成圆柱小片;(2)然后,放入热重差热分析仪或者管式烧结炉中,在流动的高纯氩气的气氛下,升温速率升至800~1000℃后烧结;然后降至600~700℃后,...
【专利技术属性】
技术研发人员:马宗青,程芳,刘永长,余黎明,李冲,刘晨曦,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:天津,12
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