一种新型高压双极单管结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型高压双极单管结构，包括基板和氧化层，所述基板的埋层上方靠近氧化层的一侧上设置有磷桥和P‑基区，P‑基区上设置有P基区，P基区上设置有N+发射区，磷桥与埋层相连；所述P‑基区外环绕设置有第一N+环，第一N+环外环绕设置有第一P‑环，磷桥外环绕设置有第二P‑环，所述第一P‑环和第二P‑环外环绕设置有第二N+环，所述基板和氧化层之间填充设置有外延层。本实用新型专利技术的一种新型高压双极单管结构，与现有技术相比，增加了一层副基区层即P‑基区，在P‑基区上设置P基区和N+发射区，P‑基区、N+环和P‑环的结构使电场分布平缓，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，提高了器件各项耐压参数。

A new type of high voltage bipolar single tube structure

The utility model discloses a novel high voltage bipolar tube structure, including the substrate and the oxide layer, the substrate of the buried layer near the top oxide layer is arranged on the side of the bridge and the P phosphorus base, P base is arranged on the P base, P base is arranged on the N+ launch area,. With the buried layer P bridge; the P base area are arranged around the first N+ ring, the first N+ ring are arranged around the first P ring, P bridge are arranged around second P ring, the first P ring and second P rings are arranged around second N+ ring, between the substrate and the oxide layer is provided with a filling epitaxial layer. The utility model relates to a novel high voltage bipolar tube structure, compared with the prior art, a layer of the base layer is P side base increase, P base and N+ emission region is set in the P base on P structure, base, N+ ring and P ring so that the electric field distribution of flat the electric field distribution is relatively flat, while the base width increases, the pressure of the device to improve the parameters.

【技术实现步骤摘要】
一种新型高压双极单管结构
：本技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种新型高压双极单管结构。
技术介绍
：目前双极集成电路芯片中的单管都是由基区、发射区、磷桥和埋层组成的，耐压参数最高只能达到100V左右，通过工艺来提升单管的耐压的方案已经做到了极致，为了进一步提高单管的耐压参数，目前通常采用其他DMOS、JFET等其他器件，或者采用双芯片封装的方式来实现产品的整体耐压的提升，但是两种方法有一定的局限：A：采用DMOS、JFET工艺会导致工艺复杂度加大，产品制造成本提升。B：采用双芯片封装后续的封装成本提升。
技术实现思路
：本技术的目的是为了解决现有技术中的问题，提供一种通过新增P-基区、N+环和P-环的结构，使电场分布平缓，提高器件各项耐压参数的新型高压双极单管结构。为了达到上述目的，本技术的技术方案是：一种新型高压双极单管结构，包括基板和氧化层，所述基板上设置有的埋层，所述埋层上方靠近氧化层的一侧上设置有磷桥和P-基区，所述P-基区上设置有P基区，所述P基区上设置有N+发射区，所述磷桥与埋层相连；所述P-基区外环绕设置有第一N+环，所述第一N+环外环绕设置有第一P-环，所述磷桥外环绕设置有第二P-环，所述第一P-环和第二P-环外环绕设置有第二N+环，所述基板和氧化层之间填充设置有外延层。所述第一P-环和第二P-环的相连通。所述氧化层上设置有第一引线端、第二引线端和第三引线端，所述第一引线端穿过氧化层与磷桥相连，所述第二引线端穿过氧化层与P基区相连，所述第三引线端穿过氧化层与N+发射区相连。所述第二N+环外环绕设置有隔离层，所述隔离层的上下两侧分别与基板以及氧化层相连。本技术的有益效果是：本技术的一种新型高压双极单管结构，与现有技术相比，增加了一层副基区层即P-基区，在P-基区上设置P基区和N+发射区，同时在P-基区外环绕设置有第一N+环，第一N+环外环绕设置有第一P-环，磷桥外环绕设置有第二P-环，第一P-环和第二P-环外环绕设置有第二N+环，P-基区、N+环和P-环的结构使电场分布平缓，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，提高了器件各项耐压参数。附图说明：图1为本技术的结构示意图；图2为图1中A-A向的剖视图。具体实施方式：实施例1如图1-2所示的一种新型高压双极单管结构，包括基板（1）和氧化层（9），所述基板（1）上设置有的埋层（2），所述埋层（2）上方靠近氧化层（9）的一侧上设置有磷桥（3）和P-基区（4），所述P-基区（4）上设置有P基区（41），所述P基区（41）上设置有N+发射区（42），所述磷桥（3）与埋层（2）相连。所述P-基区（4）外环绕设置有第一N+环（5），所述第一N+环（5）外环绕设置有第一P-环（6），所述磷桥（3）外环绕设置有第二P-环（61），所述第一P-环（6）和第二P-环（61）外环绕设置有第二N+环（51），所述基板（1）和氧化层（9）之间填充设置有外延层（7）。所述第一P-环（6）和第二P-环（61）的相连通，第一P-环（6）和第二P-环（61）可以共用一条侧边。所述第二N+环（51）外环绕设置有隔离层（8），所述隔离层（8）的上下两侧分别与基板（1）以及氧化层（9）相连，隔离层（8）用来隔离单管内部结构和外部结构。所述氧化层（9）上设置有第一引线端（91）、第二引线端（92）和第三引线端（93），所述第一引线端（91）穿过氧化层（9）与磷桥（3）相连，所述第二引线端（92）穿过氧化层（9）与P基区（41）相连，所述第三引线端（93）穿过氧化层（9）与N+发射区（42）相连。氧化层（9）起到绝缘隔离作用，第一引线端（91）、第二引线端（92）和第三引线端（93）分别对应连接磷桥（3）、P基区（41）以及N+发射区（42），即三极管的集电极、基极和发射极，便于高压双极单管的连接应用。采用本技术的高压双极单管结构后，器件单边结在P-基区、N+环和P-环的作用，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，使得器件的各项耐压得到了明显的提升，以现阶段最高耐压工艺SB60V工艺的单管进行对比，具体数据如下：　SB60V工艺本专利工艺Vceo71V≥120VVcbo95V≥200VVcs90V≥150VVbs80V≥150V从数据可以发现，各项耐压参数提升明显，最终能达到120V以上，从而使产品在高压工作时具有优势。本实施例的一种新型高压双极单管结构，与现有技术相比，增加了一层副基区层即P-基区，在P-基区上设置P基区和N+发射区，同时在P-基区外环绕设置有第一N+环，第一N+环外环绕设置有第一P-环，磷桥外环绕设置有第二P-环，第一P-环和第二P-环外环绕设置有第二N+环，P-基区、N+环和P-环的结构使电场分布平缓，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，提高了器件各项耐压参数。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型高压双极单管结构，其特征在于：包括基板（1）和氧化层（9），所述基板（1）上设置有的埋层（2），所述埋层（2）上方靠近氧化层（9）的一侧上设置有磷桥（3）和P‑基区（4），所述P‑基区（4）上设置有P基区（41），所述P基区（41）上设置有N+发射区（42），所述磷桥（3）与埋层（2）相连；所述P‑基区（4）外环绕设置有第一N+环（5），所述第一N+环（5）外环绕设置有第一P‑环（6），所述磷桥（3）外环绕设置有第二P‑环（61），所述第一P‑环（6）和第二P‑环（61）外环绕设置有第二N+环（51），所述基板（1）和氧化层（9）之间填充设置有外延层（7）。

【技术特征摘要】
1.一种新型高压双极单管结构，其特征在于：包括基板（1）和氧化层（9），所述基板（1）上设置有的埋层（2），所述埋层（2）上方靠近氧化层（9）的一侧上设置有磷桥（3）和P-基区（4），所述P-基区（4）上设置有P基区（41），所述P基区（41）上设置有N+发射区（42），所述磷桥（3）与埋层（2）相连；所述P-基区（4）外环绕设置有第一N+环（5），所述第一N+环（5）外环绕设置有第一P-环（6），所述磷桥（3）外环绕设置有第二P-环（61），所述第一P-环（6）和第二P-环（61）外环绕设置有第二N+环（51），所述基板（1）和氧化层（9）之间填充设置有外延层（7）。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆辉，张晓新，余庆，赵铝虎，陈昂，周卫宏，潘国刚，张洪波，张敏森，
申请(专利权)人：华越微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33