形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜技术
【技术实现步骤摘要】
形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜
本专利技术涉及在薄膜电容器等中在显示高可调谐性的同时能够降低介电薄膜的介电损耗并保持优异的漏电流特性的形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜。在本说明书中，“可调谐”是指响应于施加电压的变化而改变静电电容的能力，而“可调谐性”是指静电电容的可变性或变化的速率。
技术介绍
薄膜电容器由上电极、下电极和在上述电极之间形成的介电层组成，薄膜电容器作为可变电容元件（可调谐元件）被用于高频可调谐装置，例如高频过滤器、高频天线和相移器。薄膜电容器作用为响应于两电极间施加电压的变化而引起静电电容变化的电容器。在组成这些薄膜电容器的介电层中使用由具有高介电常数的钙钛矿型氧化物，例如钛酸锶(SrTiO3)、钛酸锶钡(BST)或钛酸钡(BaTiO3)形成的介电薄膜。用于形成介电薄膜的方法的实例包括物理汽相生长方法，例如真空沉淀、溅射或激光烧蚀；化学汽相生长方法，例如化学气相沉积(CVD)；和化学溶液沉积(CSD)方法，例如溶胶凝胶法或金属有机分解法(MOD)（参见例如日本未审查专利申请...
【技术保护点】
一种用于形成介电薄膜的组合物，所述介电薄膜为钛酸锶钡介电薄膜，所述用于形成介电薄膜的组合物包括：用于形成薄膜的混合的复合金属氧化物形式的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1‑xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，在该通式中，0.2＜x＜0.6，并且0.9＜y＜1.1；其中，所述液体组合物由有机金属化合物溶液组成，其中，用于组成所述复合金属氧化物A的原料、用于组成所述复合氧化物B的原料和用于组成所述复合氧化物C的原料溶于有机溶剂中，其中用于组成所述复合金属氧化物A的原料以得到上述通式中表...
【技术特征摘要】
2011.12.20 EP 11306708.61.一种用于形成介电薄膜的组合物，所述介电薄膜为钛酸锶钡介电薄膜，所述用于形成介电薄膜的组合物包括：用于形成薄膜的混合的复合金属氧化物形式的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，在该通式中，0.2＜x＜0.6，并且0.9＜y＜1.1；其中，所述液体组合物由有机金属化合物溶液组成，其中，用于组成所述复合金属氧化物A的原料、用于组成所述复合氧化物B的原料和用于组成所述复合氧化物C的原料溶于有机溶剂中，其中用于组成所述复合金属氧化物A的原料以得到上述通式中表明的金属原子比的比例溶于有机溶剂中，所述复合氧化物B与所述复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，并且所述复合氧化物C与所述复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。2.如权利要求1所述的形成介电薄膜的组合物，其中，用于组成所述复合金属氧化物A的原料为一种化合物，在所述化合物中，有机基团通过它的氧原子或氮原子连接至金属元素。3.如权利要求2所述的形成介电薄膜的组合物，其中，用于组成所述复合金属氧化物A的原料为选自由金属醇盐、金属二醇复合物、金属三醇复合物、金属羧酸盐、金属-β-二酮酸盐复合物、金属-β-二酮酯复合物、金属-β-亚氨基酮复合物和金属-氨复合物组成的组中的至少一种化合物。4.如权利要求1所述的形成介电薄膜的组合物，其中，用于组成所述复合氧化物B的原料为一种化合物，在所述化合物中，有机基团通过它的氧原子或氮原子连接至元素铜(Cu)。5.如权利要求4所述的形成介电薄膜的组合物，其中，用于组成所述复合氧化物B的原料为选自由羧酸盐化合物、硝酸盐化合物、醇盐化合物、二醇化合物、三醇化合物、β-二酮酸盐化合物、β-二酮酯化合物、β-亚氨基酮化合物和氨化合物组成的组中的至少一种化合物。6.如权利要求5所述的形成介电薄膜的组合物，其中，所述羧酸盐化合物为环烷酸铜、正辛酸铜、2-乙基己酸铜、正庚酸铜、正己酸铜、2-乙基丁酸铜、正戊酸铜、异戊酸铜、正丁酸铜、异丁酸铜或丙酸铜。7.如权利要求5所述的形成介电薄膜的组合物，其中，所述硝酸盐化合物为硝酸铜。8.如权利要求1所述的形成介电薄膜的组合物，其中，用于组成所述复合氧化物C的原料为一种化合物，在所述化合物中，有机基...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边敏昭，樱井英章，曽山信幸，纪尧姆·盖冈，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，意法半导体公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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