包括迭层结构的有机发光显示装置制造方法及图纸

技术编号:16347722 阅读:39 留言:0更新日期:2017-10-03 22:57
提供了一种有机发光显示(OLED)装置,所述有机发光显示装置包括包含发光区和外围区的基底。辅助电源线设置在外围区中。下电极设置在发光区中。像素限定层设置在基底上,并暴露下电极的一部分和辅助电源线的一部分。第一公共层设置在像素限定层和下电极上,并暴露辅助电源线。发光结构设置在第一公共层上。发光结构暴露辅助电源线。第二公共层设置在发光结构上,第二公共层覆盖发光结构并暴露辅助电源线。上电极设置在第二公共层上并接触辅助电源线。

【技术实现步骤摘要】
包括迭层结构的有机发光显示装置
本专利技术的示例性实施例总体上涉及有机发光显示装置。更具体地,本专利技术构思的示例性实施例涉及包括迭层结构的有机发光显示装置和制造该包括迭层结构的有机发光显示装置的方法。
技术介绍
因为平板显示(FPD)装置比阴极射线管(CRT)显示装置轻薄,所以FPD装置广泛地用作显示装置。FPD装置可以是液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置等。OLED装置可以比LCD装置具有更高的亮度和更宽的视角。另外,因为OLED装置不需要背光,所以OLED装置可以比LCD装置更薄。在OLED装置中,电子和空穴通过阴极和阳极注入到有机薄层中,然后在有机薄层中复合以产生激子。因此,可以发射特定波长的光。一些OLED装置可以设有迭层结构(tandemstructure)为特征。在迭层结构中,多个发光层和多个电荷产生层彼此交替地堆叠。OLED装置的迭层结构可以由此发射白光。由于包括迭层结构的OLED装置的尺寸增大,因此包括在OLED装置中的阴极的电阻会增大。当阴极的电阻增大时,会在OLED装置中产生IR降(例如,电压降)。在此情况下,因为由于IR降而彼此不同的电压电平会被施加到OLED装置的多个像素,所以OLED装置会显示具有不均匀亮度的图像。
技术实现思路
根据本专利技术的示例性实施例,有机发光显示(OLED)装置包括迭层结构。迭层结构包括多个发光层和多个电荷产生层。根据本专利技术的示例性实施例,提供了一种制造包括迭层结构的OLED装置的方法。OLED装置的迭层结构包括多个发光层和多个电荷产生层。根据本专利技术的示例性实施例,OLED装置包括包含发光区和外围区的基底。辅助电源线设置在基底的外围区中。下电极设置在基底的发光区中。像素限定层设置在基底上。像素限定层暴露发光区中的下电极的一部分,像素限定层暴露位于外围区中的辅助电源线的一部分。第一公共层设置在像素限定层和下电极上。第一公共层暴露辅助电源线。发光结构设置在第一公共层上。发光结构暴露辅助电源线。发光结构包括:第一发光层;第一电荷产生层,设置在第一发光层上;第二发光层,设置在第一电荷产生层上。第二公共层设置在发光结构上,第二公共层覆盖发光结构。第二公共层暴露辅助电源线。上电极设置在第二公共层上。上电极接触辅助电源线。在本专利技术的示例性实施例中,OLED装置还包括置于像素限定层与基底之间的平坦化层,平坦化层包括暴露辅助电源线的一部分的第一开口。在本专利技术的示例性实施例中,像素限定层包括暴露辅助电源线的一部分的第二开口,像素限定层包括暴露下电极的一部分的第三开口。在本专利技术的示例性实施例中,第一开口与第二开口叠置,第一公共层、第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层顺序地设置在第一开口和第二开口中的每个的侧壁上。在本专利技术的示例性实施例中,第二公共层覆盖第一电荷产生层,使得第一电荷产生层在第一开口和第二开口中的任一开口的侧壁中不被暴露。在本专利技术的示例性实施例中,在第一开口和第二开口中的每个的侧壁中,第二公共层覆盖第一公共层的末端部分、第一发光层的末端部分、第一电荷产生层的末端部分和第二发光层的末端部分,第二公共层与辅助电源线的上表面接触。在本专利技术的示例性实施例中,下电极包括:第一透明电极层,设置在平坦化层上;反射电极层,设置在第一透明电极层上;第二透明电极层,设置在反射电极层上。在本专利技术的示例性实施例中,OLED装置还包括置于辅助电源线与上电极之间的导电图案。导电图案和下电极使用相同的材料同时地形成。在本专利技术的示例性实施例中,OLED装置还包括与辅助电源线分隔开的半导体元件,半导体元件置于基底与下电极之间。半导体元件包括:设置在基底上的有源层;设置在有源层上的栅极绝缘层;设置在栅极绝缘层上的栅电极;设置在栅电极上的绝缘中间层;以及设置在绝缘中间层上的源电极和漏电极。在本专利技术的示例性实施例中,源电极、漏电极和辅助电源线包括相同的材料。在本专利技术的示例性实施例中,OLED装置还包括:包封基底,设置在上电极上;滤色器,设置在包封基底的下表面上,滤色器与下电极叠置。在本专利技术的示例性实施例中,发光结构还包括:第二电荷产生层,设置在第二发光层上;第三发光层,设置在第二电荷产生层上。第二公共层覆盖第二电荷产生层,使得第二电荷产生层在发光区和外围区中不被暴露。在本专利技术的示例性实施例中,第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层,第二公共层包括电子传输层和电子注入层。根据本专利技术的示例性实施例,制造OLED装置的方法包括设置包括发光区和外围区的基底。在基底上的外围区中形成辅助电源线。在基底上形成具有第一开口的平坦化层。第一开口暴露辅助电源线的一部分。在平坦化层上的发光区中形成下电极。在平坦化层上形成像素限定层。像素限定层包括第二开口和第三开口。第二开口暴露位于外围区中的辅助电源线的一部分,第三开口暴露位于发光区中的下电极的一部分。在像素限定层、下电极和辅助电源线上形成第一公共层。在第一公共层上形成发光结构,发光结构包括第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层。部分地去除第一公共层和发光结构使得辅助电源线的一部分被暴露。在像素限定层、发光结构和辅助电源线上形成第二公共层,使得第一电荷产生层在部分地去除了第一公共层和发光结构的部分中不被暴露。部分地去除第二公共层,使得辅助电源线的一部分被暴露。在像素限定层、发光结构和辅助电源线上形成上电极。在本专利技术的示例性实施例中,部分地去除第一公共层和发光结构使得辅助电源线的一部分被暴露的步骤包括使用第一激光束照射辅助电源线,第一激光束具有第一宽度。在本专利技术的示例性实施例中,部分地去除第二公共层使得辅助电源线的一部分被暴露的步骤包括使用第二激光束照射辅助电源线,第二激光束具有比第一宽度小的第二宽度。在本专利技术的示例性实施例中,通过第二激光束去除第二公共层的设置在辅助电源线上的第一部分,第二公共层的设置在第二开口的侧壁上的第二部分不被第二激光束去除。在本专利技术的示例性实施例中,第一开口和第二开口叠置,第一公共层、第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层顺序地形成在第一开口和第二开口中的每个的侧壁中。第二公共层覆盖第一电荷产生层,使得第一电荷产生层在第一开口和第二开口中的任一开口的侧壁中不被暴露。在本专利技术的示例性实施例中,第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层,第二公共层包括电子传输层和电子注入层。在本专利技术的示例性实施例中,所述方法还包括:设置包封基底;在包封基底的下表面上形成滤色器,使得滤色器与下电极叠置;结合包封基底和基底。根据本专利技术的示例性实施例,OLED装置包括包含发光区和外围区的基底。辅助电源线设置在外围区中。下电极设置在发光区中。下电极电连接到半导体装置。像素限定层设置在基底上。像素限定层包括设置在辅助电源线的第一部分处的第一开口和设置在下电极的第一部分处的第二开口。第一公共层设置在像素限定层和下电极上。第一公共层包括设置在辅助电源线的第一部分处的第三开口。发光结构设置在第一公共层上。发光结构包括设置在辅助电源线的第一部分处的第四开口。发光结构包括第一发光层、设置在第一发光层上的第一电荷产生层和设置在第一电荷产生层上的第二发光层。第二公共层设置在发光结构上,第二公共层与发光结构叠置。第二公共层包括设置在辅助电源线的第一部分处的第五开口。上电极设置在第二本文档来自技高网...
包括迭层结构的有机发光显示装置

【技术保护点】
一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:基底,包括发光区和外围区;辅助电源线,设置在所述基底的所述外围区中;下电极,设置在所述基底的所述发光区中;像素限定层,设置在所述基底上,其中,所述像素限定层暴露位于所述发光区中的所述下电极的一部分,所述像素限定层暴露位于所述外围区中的所述辅助电源线的一部分;第一公共层,设置在所述像素限定层和所述下电极上,其中,所述第一公共层暴露所述辅助电源线;发光结构,设置在所述第一公共层上,其中,所述发光结构暴露所述辅助电源线,其中,所述发光结构包括:第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层,所述第一电荷产生层设置在所述第一发光层上,所述第二发光层设置在所述第一电荷产生层上;第二公共层,设置在所述发光结构上,所述第二公共层覆盖所述发光结构,其中,所述第二公共层暴露所述辅助电源线;上电极,设置在所述第二公共层上,其中,所述上电极接触所述辅助电源线。

【技术特征摘要】
2016.03.25 KR 10-2016-00358711.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:基底,包括发光区和外围区;辅助电源线,设置在所述基底的所述外围区中;下电极,设置在所述基底的所述发光区中;像素限定层,设置在所述基底上,其中,所述像素限定层暴露位于所述发光区中的所述下电极的一部分,所述像素限定层暴露位于所述外围区中的所述辅助电源线的一部分;第一公共层,设置在所述像素限定层和所述下电极上,其中,所述第一公共层暴露所述辅助电源线;发光结构,设置在所述第一公共层上,其中,所述发光结构暴露所述辅助电源线,其中,所述发光结构包括:第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层,所述第一电荷产生层设置在所述第一发光层上,所述第二发光层设置在所述第一电荷产生层上;第二公共层,设置在所述发光结构上,所述第二公共层覆盖所述发光结构,其中,所述第二公共层暴露所述辅助电源线;上电极,设置在所述第二公共层上,其中,所述上电极接触所述辅助电源线。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:平坦化层,置于所述像素限定层与所述基底之间,所述平坦化层包括暴露所述辅助电源线的一部分的第一开口。3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述像素限定层包括暴露所述辅助电源线的一部分的第二开口,所述像素限定层包括暴露所述下电极的一部分的第三开口。4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,所述第一开口与所述第二开口叠置,所述第一公共层、所述第一发光层、所述第一电荷产生层和所述第二发光层顺序地设置在所述第一开口和所述第二开口中的每个的侧壁上。5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述第二公共层覆盖所述第一电荷产生层,使得所述第一电荷产生层在所述第一开口和所述第二开口中的任一开口的所述侧壁中不被暴露。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔德永曹永振金容载朴炅琎吴真坤李王枣
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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