可自我摧毁的储存装置制造方法及图纸

本发明专利技术是公开一种可自我摧毁的储存装置，其包含一控制模块、一熔断模块以及一开关模块。控制模块是控制一储存模块的读取作动、写入作动以及抹除作动。熔断模块可电性连接控制模块及开关模块，一供应电力可通过熔断模块以传送至控制模块或开关模块。当开关模块为一开启状态时，供应电力是被传送至开关模块且此供应电力的电流的大小是逐渐增加，当电流的大小超过一门坎值时，供应电力是熔断熔断模块并烧毁控制模块。

【技术实现步骤摘要】
可自我摧毁的储存装置
本专利技术关于一种储存装置，特别涉及一种可以自我进行一物理性破坏的储存装置。
技术介绍
在特殊的场合中，例如军方、国防或是航空单位，单纯的将固态硬盘内的机密数据进行抹除已无法满足使用者的需求，其原因在于此种抹除方式可经由软件进行机密数据的还原，因此，目前已存在一种将固态硬盘进行物理性破坏的摧毁方式，以确保其上的机密数据可完全的消失。在目前常见的摧毁方式中，使用者可以利用一极大的电流通过固态硬盘内的闪存或是控制器，使其遭受物理性的破坏而永久无法使用。而目前已知的方式是可先在连接至此固态硬盘上的电子装置安装一应用程序，并执行此应用程序以触发此固态硬盘内的一电流开关，由此电流开关增加通过闪存或控制器的电流大小，进而摧毁此闪存或控制器。在上述的方式中，此固态硬盘上可能必须增加许多的电子零件，才可以达到永久物理性破坏的目的，然而此种方式却可能增加许多成本，因此，势必需要另外一种简易的方式来将固态硬盘进行一物理性的摧毁。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的问题，本专利技术的目的就是在提供一种可自我摧毁的储存装置，以解决以上的问题。基于上述目的，本专利技术是提供一种可自我摧毁的储存装置，其包含一控制模块、一熔断模块以及一开关模块。控制模块是控制一储存模块的读取作动、写入作动以及抹除作动。熔断模块可电性连接控制模块及开关模块，一供应电力可通过熔断模块以传送至控制模块或开关模块。当开关模块为一开启状态时，供应电力是被传送至开关模块且此供应电力的电流的大小是逐渐增加，当电流的大小超过一门坎值时，供应电力是熔断熔断模块并烧毁控制模块。优选地，当开关模块为关闭状态时，供应电力是被传送至控制模块。优选地，开关模块可接于零电位或接地在线。优选地，熔断模块包含一快速型保险丝(Fastactingfuses)或一普通型保险丝(Mediumactingfuses)。优选地，控制模块是利用一进阶加密标准(AES,AdvancedEncryptionStandard)对写入数据进行加密，并将加密过的写入数据写入至储存模块。优选地，控制模块包含一闪存控制器，储存模块包含一闪存。优选地，控制模块是利用一GPIO(GeneralPurposeI/O)以控制开启状态及关闭状态。优选地，另一控制模块是利用一GPIO以控制开启状态及关闭状态。优选地，二极管是置于开关模块以及熔断模块之间，使一另供应电力无法通过二极管以传输至控制模块。承上所述，依本专利技术的可自我摧毁的储存装置，其可具有下述优点：(1)本专利技术的可自我摧毁的储存装置是通过一简易的熔断装置来达到物理性破坏的目的，可大幅降低制造时的一成本。(2)本专利技术的可自我摧毁的储存装置是包含一二极管组件，可以确保电流的一流动方向，使得此储存装置无法再接受其他的电力来驱动控制模块。(3)本专利技术的可自我摧毁的储存装置可利用控制模块对写入数据进行加密，在对控制模块进行物理性破坏之后，所写入的数据将永远无法进行解密，如此一来，可更进一步地达到确保数据安全性的目的。附图说明图1为本专利技术的可自我摧毁的储存装置的方块图。图2为本专利技术的可自我摧毁的储存装置的第一示意图。图3为本专利技术的可自我摧毁的储存装置的第二示意图。图4为本专利技术的可自我摧毁的储存装置的另一实施例的第一示意图。图5为本专利技术的可自我摧毁的储存装置的另一实施例的第二示意图。具体实施方式为利审查员了解本专利技术的技术特征、内容与优点及其所能实现的技术效果，兹将本专利技术配合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下，而其中所使用的附图，其主旨仅为示意及辅助说明书的用，未必为本专利技术实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的附图的比例与配置关系解读、局限本专利技术于实际实施上的权利范围，合先叙明。请参阅图1，其是为本专利技术的可自我摧毁的储存装置的方块图。如图所示，本专利技术的可自我摧毁的储存装置100可包含控制模块10、一开关模块20、一熔断模块30以及一储存模块40。储存模块40可以为一NAND闪存，熔断模块30可以为一保险丝，如一快速型保险丝(Fastactingfuses)或一普通型保险丝(Mediumactingfuses)，控制模块10可以为一闪存控制器，而开关模块20可以为一电力开关，而较佳的情况是，此可自我摧毁的储存装置100可以以一mSATA、M.2,uSSD，HalfSlin,SDM(SATADiskModule)来举例实施，但并不以此为限，亦可以实施于其他用以储存数据的储存装置之内。在一实施例中，此可自我摧毁的储存装置100可外接一电力模块50，并由此电力模块50提供本储存装置100作动所需的电力，其中此电力模块50可以包含一计算机主机上的电源供应器。控制模块10是电性连接至开关模块20、熔断模块30以及储存模块40，且此控制模块10是用以控制储存模块40的读取作动、写入作动以及抹除作动。电力模块50所产生的供应电力51可通过熔断模块30并传送至控制模块10或开关模块20。更进一步地说明，此开关模块20可分为两种状态，分别为开启状态21以及关闭状态22。当此开关模块20处于开启状态21时，此开关模块20是呈现一导通状态，在此情况之下，供应电力51的电流可通过此开关模块20而传导至另一处，相反地，当开关模块20处于关闭状态22时，则此开关模块20则呈现一非导通状态，即供应电力51的电流无法通过此开关模块20而传导至另一处。在一较佳实施例中，开关模块20可连接至具有低电位的一物品，例如一电阻值极小的电阻，当开关模块20为开启状态21时，供应电力51是被传送至开关模块20，且此供应电力51的电流大小是逐渐增加，当电流的大小超过一门坎值时，供应电力51可将熔断模块30熔断，并进而烧毁此控制模块10。值得一提的是，在本实施例中的可自我摧毁的储存装置100是以mSATA、M.2,uSSD，HalfSlin,SDM(SATADiskModule)等体积较小的储存模块来举例实施，一但当此可自我摧毁的储存装置100上的控制模块10被烧毁时，其储存模块40亦将一并并烧毁，而无法再被使用。请参阅图2及图3，其是为本专利技术的可自我摧毁的储存装置的第一示意图及第二示意图，并请一并参阅图1，其中图2及图3是分别说明本专利技术的可自我摧毁的储存装置100的关闭状态22以及开启状态21的作动，且此开关模块20可连接至一接地线或是一电阻值极低的电阻上，而熔断模块30是焊接并紧邻于控制模块10。如图2所示，当此开关模块20为关闭状态22时，此时电力模块50所产生的供应电力51是经熔断模块30而流向控制模块10，并提供控制模块10足够的电力以控制储存模块40。另一方面，如图3所示，当此开关模块20为开启状态21时，由于开关模块20是导通地连接至接地线，供应电力51的流动方向将会经过熔断模块30而流向开关模块20，值得一提的是，此时供应电力51的电流的大小是逐渐增加，而当此电流的大小超过一门坎值时，供应电力51将熔断熔断模块30并烧毁控制模块10。在一实施例中，一二极管62可以安置于开关模块20以及熔断模块30之间，此目的在于当电力模块50不产生供应电力51时，若是此时有另一供应电力尝试供给电力给控制模块10，进而欲存取储存模块40时，则二极管62可确保此另一供应电力的电流无法通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可自我摧毁的储存装置，其特征在于，所述储存装置包含：控制模块，是控制储存模块的读取作动、写入作动以及抹除作动；开关模块；以及熔断模块，是电性连接所述控制模块及所述开关模块，供应电力是通过所述熔断模块以传送至所述控制模块或所述开关模块；其中当所述开关模块为开启状态时，所述供应电力是被传送至所述开关模块且所述供应电力的电流的大小是逐渐增加，当所述电流的大小超过门坎值时，所述供应电力是熔断所述熔断模块并烧毁所述控制模块。

【技术特征摘要】
1.一种可自我摧毁的储存装置，其特征在于，所述储存装置包含：控制模块，是控制储存模块的读取作动、写入作动以及抹除作动；开关模块；以及熔断模块，是电性连接所述控制模块及所述开关模块，供应电力是通过所述熔断模块以传送至所述控制模块或所述开关模块；其中当所述开关模块为开启状态时，所述供应电力是被传送至所述开关模块且所述供应电力的电流的大小是逐渐增加，当所述电流的大小超过门坎值时，所述供应电力是熔断所述熔断模块并烧毁所述控制模块。2.如权利要求1所述的可自我摧毁的储存装置，其特征在于，当所述开关模块为关闭状态时，所述供应电力是被传送至所述控制模块。3.如权利要求1所述的可自我摧毁的储存装置，其特征在于，所述开关模块是接于零电位或接地在线。4.如权利要求1所述的可自我摧毁的储存装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志鸿，
申请(专利权)人：宇瞻科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71