制造互连太阳能电池阵列的方法技术

技术编号:16308833 阅读:64 留言:0更新日期:2017-09-27 02:36
制造互连太阳能电池阵列的方法,包括:a)在基板(8)上设置规定厚度的连续层堆(1),层堆(1)包括上传导层(2)和下传导层(3),上传导层(2)和下传导层(3)具有介于它们之间的光敏层(4)和半导体电子传输层(6);b)选择性地去除上传导层(2)和光敏层(4),以获得暴露半导体电子传输层(6)的接触孔(10);c)将层堆(1)选择性地加热至第一深度(d1),以获得与接触孔(10)距离第一中心距(s1)的第一热影响区(12),将第一热影响区(12)转变成层堆中具有大致第一深度(d1)的基本绝缘区域,从而向层堆(1)局部地提供增大的电阻率。

Method for manufacturing interconnected solar cell array

The manufacturing method includes interconnection solar cell array: a) on the substrate (8) is arranged on the specified thickness continuous pile (1), stack (1) including upload Guide (2) and the lower layer conductive layer (3), (2) and upload the conductive layer under the conductive layer (3) having a light sensitive layer between the semiconductor (4) and electron transport layer (6); b) selectively removing the conductive layer (2) and upload the photosensitive layer (4), to obtain the exposed semiconductor electron transport layer (6) of the contact hole (10); c) the stack (1) selectively heating to a first depth (D1), in order to obtain the contact hole (10) from the first center distance (S1) of the first heat affected zone (12), the first heat affected zone (12) into the first layer stack has approximately the depth (D1) of the basic insulation area to stack (1) local to provide increased resistivity.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造互连太阳能电池阵列的方法
本专利技术涉及制造互连太阳能电池阵列的方法,具体涉及薄膜聚合物太阳能电池或有机太阳能电池之间的互连。在另外的方面,本专利技术涉及薄膜聚合物太阳能电池阵列或有机太阳能电池阵列。
技术介绍
美国专利申请US2008/0314439(MISRA)公开了从形成于绝缘基板上的薄膜层堆形成单片集成薄膜光伏电池阵列的方法,该方法包括以下步骤。在薄膜层堆叠中形成至少一个单元隔离划片。至少一个单元隔离划片中的每个实例均将薄膜层堆刻划成多个光伏电池,并且至少一个单元隔离划片中的每个实例均从薄膜层堆的顶表面延伸至基板。为至少一个单元隔离划片中的每个实例形成第二电接触层隔离划片。第二电接触层隔离划片形成于与相应的单元隔离划片邻近的薄膜层堆中,并且至少延伸通过薄膜层堆的第二电接触层。在每个单元隔离划片与其相应的第二电接触层隔离划片之间的薄膜层堆中形成通路划片。每个通路划片至少从薄膜层堆的顶表面延伸至薄膜层堆的第一电接触层。在每个单元隔离划片中设置绝缘油墨,并且在每个通路划片中设置导电油墨以形成通路。还沿着薄膜层堆的顶表面设置导电油墨,以形成至少一个导电栅格,其中至少一个导电栅格中本文档来自技高网...
制造互连太阳能电池阵列的方法

【技术保护点】
制作互连太阳能电池阵列的方法,包括以下步骤:a)在基板(8)上设置规定厚度(t)的连续层堆(1),所述层堆(1)包括上传导层(2)和下传导层(3),所述上传导层(2)和所述下传导层(3)具有介于它们之间的光敏层(4)和半导体电子传输层(6);b)选择性地去除所述上传导层(2)和所述光敏层(4),以获得暴露所述半导体电子传输层(6)的接触孔(10);c)将所述层堆(1)选择性地加热至第一深度(d1),以获得与所述接触孔(10)距离第一中心距(s1)的第一热影响区(12),将所述第一热影响区(12)转变成所述层堆中具有大致所述第一深度(d1)的基本绝缘区域,从而向所述层堆(1)局部地提供增大的电阻...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.23 NL 2014043;2015.09.29 NL 20155201.制作互连太阳能电池阵列的方法,包括以下步骤:a)在基板(8)上设置规定厚度(t)的连续层堆(1),所述层堆(1)包括上传导层(2)和下传导层(3),所述上传导层(2)和所述下传导层(3)具有介于它们之间的光敏层(4)和半导体电子传输层(6);b)选择性地去除所述上传导层(2)和所述光敏层(4),以获得暴露所述半导体电子传输层(6)的接触孔(10);c)将所述层堆(1)选择性地加热至第一深度(d1),以获得与所述接触孔(10)距离第一中心距(s1)的第一热影响区(12),将所述第一热影响区(12)转变成所述层堆中具有大致所述第一深度(d1)的基本绝缘区域,从而向所述层堆(1)局部地提供增大的电阻率。2.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:d)将所述层堆(1)选择性地加热至小于所述规定厚度(t)的第二深度(d2),以获得与所述接触孔(10)距离第二中心距(s2)的第二热影响区(14),将所述第二热影响区(14)转变成所述层堆(1)的、具有所述第二深度(d2)的基本绝缘区域,从而在直至所述层堆1中的所述第二深度(d2)局部地提供增大的电阻率。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二深度(d2)等于所述上传导层(2)和所述光敏层(4)的组合厚度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述步骤(c)的选择性地加热包括在第一规定周期期间将所述层堆(1)连续地加热至所述第一深度(d1)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,所述第一深度(dl)等于所述规定厚度(t)。6.根据权利要求2或3所述的方法,其中,所述步骤(d)的选择性地加热包括在第二规定周期期间将所述层堆(1)连续地加热至所述第二深度(d2)。7.根据权利要求2、3或6所述的方法,其中,所述步骤(c、d)的选择性地加热至所述第一深度(d1)和/或所述第二深度(d2)包括连续波非烧蚀激光划线。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,所述步骤(b)的选择性地去除所述上传导层(2)和所述光敏层(4)包括在规定脉动周期期间脉冲加热所述上传导层和所述光敏层。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中,所述步骤(b)的选择性地去除包括脉冲激光烧蚀。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,在所述步骤a)、所述步骤b和所述步骤c)之后,还包括以下步骤:e)沉积电子互连构件(16),所述电子互连构件(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:约翰·博斯曼崔斯特瑞姆·布德尔
申请(专利权)人:荷兰能源研究中心基金会
类型:发明
国别省市:荷兰,NL

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