背面局部掺杂的N型双面电池结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种背面局部掺杂的N型双面电池结构，包括基体，基体为N型，基体正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一钝化减反膜层，第一钝化减反膜层上设有正面电极，正面电极通过第一钝化减反膜与发射极形成欧姆接触；基体背面为磷掺杂的局部背场区域，基体背面沉积第二钝化减反膜层，第二钝化减反膜层上有局部背面电极，局部背面电极通过第二钝化减反膜与背场区域形成欧姆接触；该种背面局部掺杂的N型双面电池结构，采用背表面设置局部背场区域，降低背表面掺杂区域的复合，从而提高电池效率。

N type double sided battery structure with locally doped back

The utility model provides N type double cell structure, a back local doping substrate comprises a substrate, N substrate, positive for boron doped emitter, emitter deposited on the first passivation and anti reflection film is arranged on the first passivation and anti reflection film positive electrode, the positive electrode through the first passivation and anti reflection film and emission polar form ohmic contact; matrix on the phosphorus doped local back field region, the matrix deposition passivation and anti reflection film on the back second, second reduction in local back electrode passivation film on the counter electrode by the second, local back passivation and anti reflection film and the back field region to form an ohmic contact; N type double sided battery on the back of the local structure of the doped the back surface is provided with partial back field, reduce the complex back surface doping region, thereby improving the efficiency of the battery.

【技术实现步骤摘要】
背面局部掺杂的N型双面电池结构
本技术涉及一种背面局部掺杂的N型双面电池结构。
技术介绍
目前太阳能电池中使用的硅材料主要有两类，分别为N型硅材料和P型硅材料。其中，N型硅材料与P型硅材料相比，具有以下的优点：N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片的高，达到毫秒级。N型硅片对金属污杂的容忍度要高于P型硅片，Fe、Cr、Co、W、Cu、Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅片大。N型硅电池组件在弱光下表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。N型双面电池利用背表面发光，在不同的反光地面条件下，可以多发电30%。人们越来越关注少子寿命更高、发展潜力更大的N型电池。但是，在N型双面电池中制约效率的重要因素是背表面场带来的复合，特别是背表面掺杂区域的复合。上述问题是在太阳能电池的设计与生产过程中应当予以考虑并解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种背面局部掺杂的N型双面电池结构，背表面设置局部背场区域，降低背表面掺杂区域的复合，从而降低背表面整体的复合，解决现有技术中存在的背表面复合严重，制约N型双面电池效率的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：包括基体，基体为N型，基体正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一钝化减反膜层，第一钝化减反膜层上设有正面电极，正面电极通过第一钝化减反膜与发射极形成欧姆接触；基体背面为磷掺杂的局部背场区域，基体背面沉积第二钝化减反膜层，第二钝化减反膜层上有局部背面电极，局部背面电极通过第二钝化减反膜与背场区域形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：包括基体，基体为N型，基体正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一钝化减反膜层，第一钝化减反膜层上设有正面电极，正面电极通过第一钝化减反膜与发射极形成欧姆接触；基体背面为磷掺杂的局部背场区域，基体背面沉积第二钝化减反膜层，第二钝化减反膜层上有局部背面电极，局部背面电极通过第二钝化减反膜与背场区域形成欧姆接触。2.如权利要求1所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：第一减反射钝化膜采用SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成，厚度为50-90nm；第二钝化减反膜是SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成，厚度为50-90nm。3.如权利要求1-2任一项所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面磷掺杂的局部背场区域采用连续直线或分离的线段、圆点、不规则图形，基体背面磷掺杂的局部背场区域占基体背面面积的比例为5%-30%。4.如权利要求3所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：磷掺杂的局部背场区域采用连续直线时，基体背面磷掺杂的局部背场区域的直线宽度为80微米-600微米；磷掺杂的局部背场区域采...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，鲁伟明，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32