石墨烯电极、包含它的能量储存装置、及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:16281794 阅读:54 留言:0更新日期:2017-09-23 01:16
本发明专利技术提供一种石墨烯电极、包含它的能量储存装置、及其制造方法。其中,该石墨烯电极包含金属箔;未掺杂石墨烯层;以及杂原子掺杂石墨烯层,其中该杂原子掺杂石墨烯层与该金属箔被该未掺杂石墨烯层隔开。

Graphene electrode, energy storage device including the same, and method for manufacturing the same

The present invention provides a graphene electrode, an energy storage device including the same, and a method for manufacturing the same. Wherein, the graphene electrode comprises a metal foil, an undoped graphene layer, and a heteroatom doped graphene layer in which the heteroatom doped graphene layer is separated from the metallic foil by the undoped graphene layer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种石墨烯电极结构及其制造方法,且特别是涉及一种可应用于能量储存装置的石墨烯电极结构及其制造方法。
技术介绍
随着绿色环保议题受到世界各国的重视,电动车的开发已成为目前最热门的研究课题之一。然而,传统锂离子电池无法满足电动车对于所使用之电池的高电容量、高功率以及快充等需求。为改善传统锂离子电池,业界目前亟需能够取代石墨的新世代负极材料。石墨烯因具备优异的电子导电度和多孔性结构,使得电子的传导以及锂离子的扩散都相当快速。另外,由于石墨烯的不规则结构,使其具备比石墨更高的电容量。然而,由于石墨烯的不可逆电容太大及导电度较低,使得石墨烯负极在锂电池的应用迟迟无法商业化。
技术实现思路
本专利技术提供一种石墨烯电极及其制造方法,其利用干式表面改性处理,在低温下对石墨烯表面进行杂原子掺杂,可提升石墨烯电极的电容量、以及降低不可逆电容。此外,所得的石墨烯电极适合应用于能源储存系统中。本专利技术所述的石墨烯电极,包含:金属箔;未掺杂石墨烯层;以及,杂原本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯电极,包含:金属箔;未掺杂石墨烯层;以及杂原子掺杂石墨烯层,其中该杂原子掺杂石墨烯层与该金属箔被该未掺杂石墨烯层隔开。

【技术特征摘要】
2012.11.21 TW 1011433731.一种石墨烯电极,包含:
金属箔;
未掺杂石墨烯层;以及
杂原子掺杂石墨烯层,其中该杂原子掺杂石墨烯层与该金属箔被该未掺
杂石墨烯层隔开。
2.权利要求1所述的石墨烯电极,其中该杂原子掺杂石墨烯层所掺杂
的杂原子包含氮原子、磷原子、硼原子、或其组合。
3.权利要求1所述的石墨烯电极,其中该杂原子掺杂石墨烯层的杂原
子掺杂量为0.1-3原子%,以该杂原子掺杂石墨烯层的总原子数为基准。
4.权利要求1所述的石墨烯电极,其中该未掺杂石墨烯层为单层石墨
烯、多层石墨烯、或上述的组合。
5.权利要求1所述的石墨烯电极,其中该杂原子掺杂石墨烯层为杂原
子掺杂单层石墨烯、杂原子掺杂多层石墨烯、或上述的组合。
6.一种石墨烯电极的制造方法,包含:
提供金属箔;
形成石墨烯层于该金属箔之上;以及
对该石墨烯层进行干式表面改性处理,从而将杂原子掺杂至该石墨烯层
表面。
7.权利要求6所述的石墨烯电极的制造方法,其中该杂原子包含氮原
子、磷原子、硼原子、或其组合。
8.权利要求6所述的石墨烯电极的制造方法,其中该杂原子掺杂至该
石墨烯层表面,形成杂原子掺杂石墨烯层。
9.权利要求6所述的石墨烯电极的制造方法,其中该石墨烯层至少一
部份未掺杂该杂原子。
10.权利要求9所述的石墨烯电极的制造方法,其中该石墨烯层未掺杂
该杂原子的部份定义为未掺杂石墨烯层。
11.权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄晓凤陈品诚温俊祥刘伟仁
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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