本实用新型专利技术提供一种复合SIM卡卡基，包括至少两种卡，所述至少两种卡为一体卡，所述至少两种卡中包括2FF卡，所述2FF卡与所述卡基间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式；所述至少两种卡中的除所述2FF卡之外的其他卡，与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝统切的方式。通过在一张卡基上设置多种不同的卡，方便用户针对不同型号的终端设备进行相应的更换，并且，这种一卡基多用途的方式也大大降低了对卡片资源的浪费。
【技术实现步骤摘要】
复合SIM卡卡基
本技术涉及SIM卡技术，尤其涉及一种复合SIM卡卡基。
技术介绍
用户识别模块(Subscriber Identity Module，以下简称SIM)卡的制作分为2FF (2nd Form Factor SIM，简称 2FF)标准、3FF (Third Form Factor SIM，简称 3FF)标准和4FF(Fouth Form Factor SM，简称4FF)标准。其中，2FF卡为标准尺寸的卡，是目前大量使用的传统卡，其长度为25mm，宽度为15mm。3FF卡是比2FF卡还要小的卡，长度为15mm，宽度为12mm，主要应用是苹果(iphone) 4中使用的Min1-UICC卡。4FF卡是比3FF卡还要小的卡，其至少比3FF卡减少25%的面积，主要用于苹果的多款新一代产品中。 目前，单个卡只能用于某个型号的手机终端，不能相互转换使用。如果用户更换了使用不同标准的卡的手机终端，比如从原来使用2FF卡的手机，更换到需要使用3FF卡或4FF卡的新手机，此时原来的2FF卡就不能应用于新手机中，那么用户就需要去营业厅进行相应卡的购买更换，不仅给用户带来较大的不便，还导致卡片资源的浪费。
技术实现思路
本技术提供一种复合SIM卡卡基，用以克服现有SIM卡基由于通用性较差导致用户需根据不同终端更换不同卡片，给用户带来不便且浪费资源的缺陷。 本技术提供一种复合SIM卡卡基，包括: 至少两种卡，所述至少两种卡为一体卡，所述至少两种卡中包括2FF卡，所述2FF卡与所述卡基间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式； 所述至少两种卡中的除所述2FF卡之外的其他卡，与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式。 具体地，所述其他卡为3FF卡时，所述3FF卡与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式。 具体地，所述其他卡为4FF卡时，所述4FF卡与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式。 具体地，所述其他卡为3FF卡和4FF卡时，所述3FF卡与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式，所述4FF卡与所述3FF卡间的相连方式为无缝半切或无缝全切的方式。 具体地，所述有缝全切的方式中，铳切缝隙小于0.55mm。 所述4FF卡的厚度小于所述2FF卡的厚度，所述4FF卡的厚度小于所述3FF卡的厚度。 具体地，所述4FF卡的厚度为0.67mm+0.03mm/-0.07mm，所述2FF卡的厚度和所述3FF卡的厚度均为0.76mm±0.08mm。 本技术的复合SM卡卡基，包括多种不同规格的卡，其中包括2FF卡，该2FF卡与卡基间通过无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式相连，除2FF卡之外的其他卡，比如3FF卡、4FF卡与2FF卡间可以通过无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式相连。通过在一张卡基上设置多种不同的卡，方便用户针对不同型号的终端设备进行相应的更换，并且，这种一卡基多用途的方式也大大降低了对卡片资源的浪费。 【附图说明】 图1为本技术复合SIM卡卡基实施例一的结构示意图； 图2为本技术复合SIM卡卡基实施例二的结构示意图； 图3为本技术复合SM卡卡基实施例三的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但本技术不局限于下面的实施例。 本技术提供的复合SIM卡卡基包括: 至少两种卡，所述至少两种卡为一体卡，所述至少两种卡中包括2FF卡，所述2FF卡与所述卡基间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式； 所述至少两种卡中的除所述2FF卡之外的其他卡，与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式。 可以理解的是，所谓复合卡是指这多种卡中尺寸最小的卡位于最里面，依次向外为尺寸逐渐变大的卡。而且，为了适应众多用户依旧使用2FF卡的需求，本实施例中的多种卡中至少要包括2FF卡，而且，2FF卡与卡基的连接方式优选为有缝铳切即有缝全切的方式，并且对铳切缝隙大小不做限定。当然，也可以采用无缝的方式与卡基相连，比如无缝半切或无缝全切。 另外，多种卡中的其他卡既可以是3FF卡，也可以是4FF卡，还可以是3FF卡和4FF卡都包括。这些其他卡与2FF卡的连接方式可以采用无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式，其中，在采用有缝全切时，铳切缝隙要求小于0.55_。 下面以具体的几个实施例来介绍本技术中不同组成形式的复合SM卡。 图1为本技术复合SIM卡卡基实施例一的结构示意图，如图1所示，本实施例提供的该SIM卡卡基包括: 由2FF卡I和3FF卡2组成的一体卡，其中，2FF卡I与所述卡基间的相连方式为无缝全切的方式； 3FF卡2与所述2FF卡I间的相连方式包括有缝全切的方式，或者包括无缝半切，或者无缝全切的方式。有缝铳切时，铳切缝隙要求小于0.55mm。图1中，3FF卡2与所述2FF卡I间的相连方式为无缝全切的方式。 另外，所述2FF卡I的厚度和所述3FF卡2的厚度均为0.76mm±0.08mm。 也就是说，2FF卡I的厚度和3FF卡2的厚度基本一致。 图2为本技术复合SIM卡卡基实施例二的结构示意图，如图2所示，本实施例提供的该SIM卡卡基包括: 由2FF卡I和4FF卡3组成的一体卡，其中，2FF卡I与所述卡基间的相连方式为有缝全切的方式； 4FF卡3与所述2FF卡I间的相连方式为有缝全切的方式，且铳切缝隙要求小于0.55mm0 另外，所述2FF卡I的厚度为0.76mm±0.08mm，所述4FF卡3的厚度为0.67mm+0.03mm/-0.07mm。 也就是说，2FF卡I的厚度大于4FF卡3的厚度。 图3为本技术复合SIM卡卡基实施例三的结构示意图，如图3所示，本实施例提供的该SIM卡卡基包括: 由2FF卡1、3FF卡2和4FF卡3组成的一体卡，其中，2FF卡I与所述卡基间的相连方式为无缝铳切的方式； 所述3FF卡2与所述2FF卡I间的相连方式为无缝铳切的方式，所述4FF卡3与所述3FF卡2间的相连方式为无缝铳切的方式，即无缝半切或无缝全切的方式。并且，3FF卡2与所述2FF卡I间在采用有缝全切时，铳切缝隙小于0.55mm。 值得说明的是，在本实施例中，3FF卡2与所述2FF卡I间的相连方式为还可以是有缝铳切即有缝全切的方式，而4FF卡3与所述3FF卡2间的相连方式只能为无缝铳切的方式，即无缝半切或无缝全切的方式。 另外，所述4FF卡3的厚度小于所述2FF卡I的厚度，所述4FF卡3的厚度小于所述3FF卡2的厚度。 具体地，所述4FF卡3的厚度为0.67mm+0.03mm/-0.07mm,所述2FF卡I的厚度和所述3FF卡2的厚度均为0.76mm±0.08mm。 也就是说，2FF卡I的厚度和3FF卡2的厚度基本一致，4FF卡3的厚度小于2FF卡I的厚度和3FF卡2的厚度，从而，整个卡基表面不为齐平的表面。 另外，值得说明的是，复合SM卡基上，既可以仅包括以上实施例中介绍的各个复合化中的任意一种，也可以包括多种，从而能够更大程度本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合SIM卡卡基，其特征在于，包括: 至少两种卡，所述至少两种卡为一体卡，所述至少两种卡中包括2FF卡，所述2FF卡与所述卡基间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式； 所述至少两种卡中的除所述2FF卡之外的其他卡，与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式。2.根据权利要求1所述的卡基，其特征在于，所述其他卡为3FF卡时，所述3FF卡与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式。3.根据权利要求1所述的卡基，其特征在于，所述其他卡为4FF卡时，所述4FF卡与所述2FF卡间的相连方式为无缝半切、无缝全切或有缝全切的方式。4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄凤，胡海洋，
申请(专利权)人：联通兴业通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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