用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，包括无源光纤、无芯光纤及低折射率涂覆层，所述无源光纤、无芯光纤两端分离、中间并行设置，所述低折射率涂覆层设置于所述无源光纤、无芯光纤的并行部分的外部，所述无芯光纤中掺有背景损耗杂质。通过在无芯光纤中掺入杂质来引入损耗。由于光纤耦合作用，无源光纤中的包层光会慢慢耦合到无芯光纤中去，因此损耗变成的热不会在短距离内产生积累，而是均匀的分布在光纤轴向上。本发明专利技术还提供一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤的制备方法。

Side coupling optical fiber for stripping high-power cladding light and preparation method thereof

The present invention provides a method for removing the side coupling of high power cladding optical fiber, including passive optical fiber, non core fiber and a low refractive index coating layer, the passive optical fiber, non core fiber ends separation, intermediate parallel setting, the low refractive index coating layer is arranged on the outer portion of the parallel passive optical fiber no core fiber, the core fiber doped with impurity background loss. Losses are introduced by incorporating impurities into the coreless optical fiber. Because of the fiber coupling effect, the cladding light in the passive fiber will be slowly coupled to the coreless fiber, so the heat loss will not be accumulated in a short distance, but rather distributed uniformly in the axial direction of the fiber. The invention also provides a method for preparing a side coupling optical fiber for stripping high-power cladding light.

【技术实现步骤摘要】
用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤及其制备方法
本专利技术涉及剥除包层光
，特别是涉及用于剥除包层光的侧耦合光纤及其制备方法。
技术介绍
现有的包层光剥除的方法大致分为三类，一类是在内包层周围涂一层高折射率胶，一类是在内包层表面镀上石墨烯，金属，蓝宝石等高导热性质的膜(或基质)，第三类是对内包层石英表面通过某种技术手段人为引入缺陷，例如通过酸腐蚀让表面凹凸不平。前两类都是在内包层周围引入高折射率介质，使得全反射发生的折射率条件不再满足，最后一类是将表面变得粗糙，使得全反射发生的入射角条件不满足。常见的包层光剥除的方法基本都是通过破坏全反射发生条件来完成的。常见的包层光剥除的方法大多都存在包层光功率剥除沿轴向不均匀的问题，这就使得靠近剥除起点的地方温度会很高，也会大大限制剥除功率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术存在的技术缺陷之一，提供一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，包括无源光纤、无芯光纤及低折射率涂覆层，所述无源光纤、无芯光纤两端分离、中间并行设置，所述低折射率涂覆层涂覆于所述无源光纤、无芯光纤的并行部分的外部，所述无芯光纤中掺有背景损耗杂质。通过在无芯光纤中掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，其特征在于，包括无源光纤、无芯光纤及低折射率涂覆层，所述无源光纤、无芯光纤两端分离、中间并行设置，所述低折射率涂覆层涂覆于所述无源光纤、无芯光纤的并行部分的外部，所述无芯光纤中掺有背景损耗杂质。

【技术特征摘要】
1.一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，其特征在于，包括无源光纤、无芯光纤及低折射率涂覆层，所述无源光纤、无芯光纤两端分离、中间并行设置，所述低折射率涂覆层涂覆于所述无源光纤、无芯光纤的并行部分的外部，所述无芯光纤中掺有背景损耗杂质。2.根据权利要求1所述的用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，其特征在于，所述背景损耗杂质为铁、铝、镁、钙或碱金属中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，其特征在于，所述背景损耗杂质还包括磷或氟。4.一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)制备掺入背景损耗杂质的无芯光纤预制棒，具体为：在套管内通过MCVD气相沉积法将背景损耗杂质掺入到套管的管内生成掺杂的二氧化硅，然后对套管的外壁进...

【专利技术属性】
技术研发人员：李进延，贺兴龙，廖雷，邢颍滨，陈益沙，张芳芳，李海清，戴能利，彭景刚，杨旅云，刘茵紫，
申请(专利权)人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42