一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池，从下到上依次包括导电玻璃层、致密二氧化钛膜、PC61BM修饰层、LiI修饰层、CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层，其特征在于：PC61BM修饰层和CH3NH3PbI3多晶膜之间设置有LiI修饰层，其中PC61BM修饰层与LiI修饰层的厚度之和为10‑100纳米。本发明专利技术还涉及该具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池的制造方法。

Perovskite solar cell with LiI modified layer and manufacturing method thereof

The invention relates to a solar cell with LiI modified perovskite layers, from bottom to top comprises a conductive glass layer, compact TiO2 film and PC61BM modified layer, LiI layer, CH3NH3PbI3 modified polycrystalline film, hole transporting material layer and steamed silver electrode layer, which is characterized in that: a LiI modified layer is arranged between the PC61BM modified layer and CH3NH3PbI3 films, the PC61BM modified layer and LiI buffer layer thickness and 10 100 nm. The invention also relates to a method for producing a perovskite solar cell with an LiI modified layer.

【技术实现步骤摘要】
一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制造方法
本专利技术涉及一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制造方法，属于光伏发电领域。
技术介绍
钙钛矿太阳能电池由于其成本低，性能好，制备简单受到科研以及产业界的高度重视。钙钛矿材料从2009年用于太阳能电池，到目前效率已经超过20%，是初始时的电池效率的5倍，把染料敏化太阳能电池、有机太阳能电池等新型薄膜太阳电池甩在了身后，钙钛矿太阳能电池是近三年来发展非常迅速的低成本薄膜太阳能电池。钙钛矿太阳能电池结构核心是具有钙钛矿晶型（ABX3）的有机金属卤化物吸光材料。在这种钙钛矿ABX3结构中，A为甲胺基（CH3NH3），B为金属铅原子，X为氯、溴、碘等卤素原子。目前在高效钙钛矿型太阳能电池中，最常见的钙钛矿材料是碘化铅甲胺(CH3NH3PbI3)，它的带隙约为1.5eV，消光系数高，几百纳米厚薄膜就可以充分吸收800nm以下的太阳光。而且，这种材料制备简单，将含有PbCl2和CH3NH3I的溶液，在常温下通过旋涂即可获得均匀薄膜。上述特性使得钙钛矿型结构CH3NH3PbI3不仅可以实现对可见光和部分近红外光的吸收，而且所产生的光生载流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池，从下到上依次包括导电玻璃层、致密二氧化钛膜、PC61BM修饰层、LiI修饰层、CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层，其特征在于：PC61BM修饰层和CH3NH3PbI3多晶膜之间设置有LiI修饰层，其中PC61BM修饰层与LiI修饰层的厚度之和为10‑100纳米。

【技术特征摘要】
1.一种具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池，从下到上依次包括导电玻璃层、致密二氧化钛膜、PC61BM修饰层、LiI修饰层、CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层，其特征在于：PC61BM修饰层和CH3NH3PbI3多晶膜之间设置有LiI修饰层，其中PC61BM修饰层与LiI修饰层的厚度之和为10-100纳米。2.根据权利要求1所述的具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述致密二氧化钛膜厚度为20-200纳米，甲胺铅碘多晶膜厚度为200纳米-1.5微米，空穴传输材料层厚度为50-500纳米，蒸镀银电极层厚度为50-200纳米。3.根据权利要求2所述的具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述空穴传输材料层材质为spiro-MeOTAD或3-己基取代聚噻吩。4.一种如权利要求1或2或3所述的具备LiI修饰层的钙钛矿太阳能电池的制造方法，依次包括如下步骤：①使用溶胶凝胶法在导电玻璃层上涂上一层致密二氧化钛膜，涂抹完成后的致密二氧化钛膜在300℃-500℃条件下进行退火处理，对退火完成后的致密二氧化钛膜上使用四氯化钛进行处理，对四氯化钛处理完成后的致密二氧化钛膜进行烧结备用，至此致密二氧化钛膜制备完成；其特征在于：步骤①完成后依次包括如下步骤：②将PC61BM溶解于氯苯中搅拌均匀，形成PC61BM溶液；③使用匀胶机将步骤②中制备的PC61BM溶液沉积在制备完成后的致密二氧化钛膜上，然后对沉积在致密二氧化钛膜上的PC61BM溶液进行加热，使溶剂挥发，加热温度控制在50℃-150℃，溶剂完全挥发后致密二氧化钛膜上形成PC61BM修饰层；④将LiI溶解于二甲基亚砜中，形成LiI的二甲基亚砜溶液，再将溶解好的LiI的二甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑晓颖，张京，张韩兵，陈冬，王琰琰，俞陆婷，夏文娟，诸跃进，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33