变压器反馈放大器制造技术

一种装置(400)包括：第一和第二晶体管(410，412)，第一和第二晶体管(410，412)中的每个晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子；以及变压器(420)，包括初级绕组(422)以及第一和第二次级绕组(424，426)，初级绕组(422)耦合到被配置为接收输入信号的第一输入节点和被配置为接收电势的第二输入节点，第一和第二次级绕组(424，426)耦合到第一和第二晶体管(410，412)的栅极端子，并且交叉耦合到第一和第二晶体管(410，412)的源极端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】变压器反馈放大器
本专利技术一般性地涉及低噪声放大器，并且更具体地，涉及具有线性度控制的变压器反馈低噪声放大器。
技术介绍
全双工系统(诸如1X/宽带码分多址W-CDMA)要求收发器(Rx/Tx)双工器滤波器来避免接收器被进入接收器的发射功率泄漏所堵塞(jammed)。在半双工系统(诸如全球移动通信系统GSM、时分同步码分多址TDS-CDMA和时分长期演进TD-LTE)中，接收器(RX)表面声波(SAW)滤波器被要求以避免接收器被带外阻塞物(高至0dBm)所堵塞或去敏。附图说明本公开的关于它的结构和操作这两者的细节可以部分地通过对所附进一步附图的研究而被收集，在附图中相似的参考标号指代相似的部分，并且其中：图1图示了具有接入点和用户终端的示例性无线通信系统；图2示出了无线通信系统中的示例性用户终端的框图；图3是根据本公开的某些方面的示例收发器前端(诸如图2中的收发器前端)的框图；图4A是根据本公开的一个实施例的示例性低噪声放大器(LNA)的示意图；图4B是根据本公开的另一实施例的示例性LNA的示意图；图5A是根据本公开的替换性实施例的被配置在低线性度模式中的示例性LNA的示意图；以及图5B是根据本公开的另一替换性实施例的被配置在高线性度模式中的示例性LNA的示意图。具体实施方式在半双工系统中，归因于不存在发射器的并发操作，若干技术可以被用来大幅减少RXSAW滤波器(“无SAW”)。这导致对于低层次产品的大幅成本节省。然而，输入SAW滤波器的移除使得具有高输入电平的堵塞物将存在于低噪声放大器(LNA)输入处。进一步地，输入SAW滤波器的移除使动态范围要求增大高至110dB。因此，接收器优选地需要容忍非常大的带外(OOB)干扰物，并且要求非常高的OOB线性度，同时还满足良好的灵敏度要求。这可能对LNA和混频器提出了严格的要求，以满足非常高的OOB三阶截点(IP3)(例如，+19.5dBm)以及高的OOB二阶截点(IP2)(例如，+70.0dBm)。因此，无SAWLNA要求是更加严格的并且可以包括：(1)对于低频带(LB)从B5(869MHz)到B8(960MHz)并且从B3(1805MHz)到B34(2025MHz)的宽带匹配；(2)差分LNA以满足LNAIP2要求；(3)跨每个器件具有较小输入摆幅的差分LNA，其导致更好的线性度(IP3、IP2)；(4)高度线性的LNA以满足等于+20dBm的OOBIP3；(5)高线性度(HL)模式以处置20MHz处的0dBm堵塞物和等于20dBm的OOBIP3；以及(6)低线性度(LL)模式以在没有堵塞物存在时实现良好的噪声系数(NF)和-110dBm的灵敏度。然而，将无SAWLNA配置具有用于LL模式和HL模式的分离路径的困难包括两种线性度模式的阻抗上的显著差异。因此，下文的描述可能包括LL模式LNA和HL模式LNA的不同偏置调节，以将两种线性度模式的阻抗带到接近于彼此。本公开的某些实施例包括：具有变压器(或巴伦)反馈的差分LNA配置；栅极提升，以提供大于一的增强因子(A)；噪声和漏极失真消除性质；以及跨栅极至源极端子的负巴伦反馈，以将LNA相比于独立放大器而线性化。在一个实施例中，两个不同的LNA架构被配置为实施LNA，该LNA取决于堵塞物的存在或缺失而是高线性度(HL)和低NF的。例如，该LNA在堵塞物不存在时被配置为操作在低线性度(LL)模式中，而该LNA在堵塞物存在时被配置为操作在较高线性度(HL)模式中。下文阐述的详细描述意图作为本公开的示例性设计的描述，并且不意图表示本公开可以被实践在其中的仅有设计。用语“示例性”在本文中被用来意指“用作示例、实例、或例证”。本文描述为“示例性”的任何设计不是必然被解释为相对于其他设计是优选的或有利的。该详细描述包括具体细节以用于提供对本公开的示例性设计的透彻理解的目的。对本领域的技术人员将明显的是，本文描述的示例性设计可以不具有这些具体细节而被实践。在一些实例中，公知的结构和设备以框图形式示出以便避免使本文提出的示例性设计的新颖性模糊不清。本文描述的技术可以与各种无线技术组合地被使用，诸如码分多址(CDMA)、正交频分复用(OFDM)、时分多址(TDMA)、空分多址(SDMA)、单载波频分多址(SC-FDMA)、时分同步码分多址(TD-SCDMA)，等等。多个用户终端可以经由不同的(1)用于CDMA的正交代码信道、(2)用于TDMA的时隙、或(3)用于OFDM的子频带来并发地发射/接收数据。CDMA系统可以实施IS-2000、IS-95、IS-856、宽带CDMA(W-CDMA)、或一些其他标准。OFDM系统可以实施电气和电子工程师协会(IEEE)802.11(无线局域网(WLAN))、IEEE802.16(全球微波接入互操作性(WiMAX))、长期演进(LTE)(例如，在时分双工(TDD)模式和/或频分双工(FDD)模式中)、或一些其他标准。TDMA系统可以实施全球移动通信系统(GSM)或一些其他标准。这些各种标准在本领域中是已知的。本文描述的技术也可以被实施在使用射频(RF)技术的各种其他适合的无线系统中的任何无线系统中，包括全球导航卫星系统(GNSS)、蓝牙、IEEE802.15(无线个域网(WPAN))、近场通信(NFC)、小小区、调频(FM)，等等。图1图示了具有接入点和用户终端的示例性无线通信系统100。为了简单，仅一个接入点110示出在图1中。接入点(AP)一般是与用户终端进行通信的固定站，并且也可以称为基站(BS)、演进型节点B(eNB)、或一些其他术语。用户终端(UT)可以是固定的或移动的，并且也可以称为移动站(MS)、接入终端、用户设备(UE)、站(STA)、客户端、无线设备、或一些其他术语。用户终端可以是无线设备，诸如蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、手持式设备、无线调制解调器、膝上型计算机、平板、个人计算机，等等。接入点110可以在任何给定时刻在下行链路和上行链路上与一个或多个用户终端120进行通信。下行链路(即，前向链路)是从接入点到用户终端的通信链路，并且上行链路(即，反向链路)是从用户终端到接入点的通信链路。用户终端还可以端到端地与另一用户终端进行通信。系统控制器130耦合到接入点并且提供对于接入点的协调和控制。系统100采用多个发射天线和多个接收天线用于下行链路和上行链路上的数据传输。接入点110可以被配备有数目Nap个天线来实现用于下行链路传输的发射分集和/或用于上行链路传输的接收分集。一组Nu个所选择的用户终端120可以接收下行链路传输并且发射上行链路传输。每个所选择的用户终端向接入点发射特定于用户的数据，和/或从接入点接收特定于用户的数据。一般而言，每个所选择的用户终端可以被配备有一个或多个天线(即，Nut≥1)。Nu个所选择的用户终端可以具有相同或不同数目的天线。无线系统100可以是时分双工(TDD)系统或频分双工(FDD)系统。对于TDD系统，下行链路和上行链路可以共享相同的频带。对于FDD系统，下行链路和上行链路使用不同的频带。系统100还可以利用单个载波或多个载波用于传输。每个用户终端可以被配备有单个天线(例如，为了保持成本下降)或多个天线(例如，在附加成本可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子；以及变压器，包括初级绕组以及第一次级绕组和第二次级绕组，所述初级绕组耦合到被配置为接收输入信号的第一输入节点和被配置为接收电势的第二输入节点，所述第一次级绕组和所述第二次级绕组耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极端子，并且交叉耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的源极端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.29 US 62/072,355;2014.10.30 US 62/072,973;1.一种装置，包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子；以及变压器，包括初级绕组以及第一次级绕组和第二次级绕组，所述初级绕组耦合到被配置为接收输入信号的第一输入节点和被配置为接收电势的第二输入节点，所述第一次级绕组和所述第二次级绕组耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极端子，并且交叉耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的源极端子。2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：第一偏置电阻器和第二偏置电阻器，分别耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述栅极端子；以及控制器，被配置为使用所述第一偏置电阻器和所述第二偏置电阻器将所述第一晶体管和所述第二晶体管偏置到低线性度模式中。3.根据权利要求1所述的装置，所述第一次级绕组耦合到所述第一晶体管的所述栅极端子和所述第二晶体管的所述源极端子，并且第二次级绕组耦合到所述第一晶体管的所述源极端子和所述第二晶体管的所述栅极端子。4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：第三晶体管和第四晶体管，耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每个晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子。5.根据权利要求4所述的装置，所述第三晶体管的所述漏极端子耦合到所述第一晶体管的所述漏极端子，并且所述第四晶体管的所述漏极端子耦合到所述第二晶体管的所述漏极端子。6.根据权利要求4所述的装置，所述第一次级绕组和所述第二次级绕组耦合到所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极端子，并且交叉耦合到所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极端子。7.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：第三偏置电阻器和第四偏置电阻器，分别耦合到所述第三晶体管和所述第四晶体管的所述栅极端子；以及控制器，耦合到所述第三偏置电阻器和所述第四偏置电阻器，并且被配置为将所述第三晶体管和所述第四晶体管偏置到高线性度模式中。8.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：可变电容器，耦合到所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的所述栅极端子。9.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：第一开关，设置在所述第一输入节点与所述初级绕组的第一输入端子之间，所述第一开关被配置为将所述输入信号传递到所述初级绕组的所述第一输入端子。10.根据权利要求9所述的装置，进一步包括：第二开关，设置在所述初级绕组的所述第一输入端子与接地电压之间，所述第二开关被配置为将所述初级绕组的所述第一输入端子短接。11.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：第三开关，设置在所述第二输入节点与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·M·乔克斯，范斌，B·哈纳菲，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US