【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源OLED显示器、运行有源OLED显示器的方法和化合物
本公开涉及具有多个OLED像素的有源OLED显示器、运行有源OLED显示器的方法和化合物。
技术介绍
自从Tang等人在1987年(C.W.Tang等,Appl.Phys.Lett.51(12)913(1987))证实了低操作电压以来,有机发光二极管已成为实现大面积显示的有希望的候选者。它们由一系列薄的(通常1nm至1μm)有机材料层构成,这些层可以例如通过真空热蒸发或溶液加工来沉积,然后通过金属层形成电触点。有机电子器件提供了大量不同类型的电子或光电子元件例如二极管、发光二极管、光电二极管和薄膜晶体管(TFT),它们在性能方面与现有的基于无机材料的元件竞争。在有机发光二极管(OLED)的情况下,通过作为外加电压的结果将载荷子(电子从一侧,空穴从另一侧)从触点注入到相邻的有机层中,随后在活性区中形成激子(电子-空穴对),并且通过这些激子的辐射复合,发光二极管产生并发射光。与常规的无机元件(基于无机半导体例如硅或砷化镓)相比,这些有机元件的优点在于生产大面积器件例如大的显示器件(光学显示器、显示屏)或灯(用于 ...
【技术保护点】
一种有源OLED显示器,其包含:‑多个OLED像素,每个所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层堆叠物,其中所述有机层堆叠物‑被提供在所述阴极与所述阳极之间并与二者相接触,并且‑包含电子传输层、空穴传输层和提供在所述空穴传输层与所述电子传输层之间的发光层,以及‑驱动电路,其被构造成分开地驱动所述多个OLED像素的像素,其中,对于所述多个OLED像素来说,由提供在所述多个OLED像素的有机层堆叠物中的空穴传输层形成共同空穴传输层,所述共同空穴传输层包含空穴传输基质材料和电子p‑掺杂剂,并且其中所述共同空穴传输层的电导率低于1x10
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 EP 14187061.81.一种有源OLED显示器,其包含:-多个OLED像素,每个所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层堆叠物,其中所述有机层堆叠物-被提供在所述阴极与所述阳极之间并与二者相接触,并且-包含电子传输层、空穴传输层和提供在所述空穴传输层与所述电子传输层之间的发光层,以及-驱动电路,其被构造成分开地驱动所述多个OLED像素的像素,其中,对于所述多个OLED像素来说,由提供在所述多个OLED像素的有机层堆叠物中的空穴传输层形成共同空穴传输层,所述共同空穴传输层包含空穴传输基质材料和电子p-掺杂剂,并且其中所述共同空穴传输层的电导率低于1x10-3S.m-1并高于1x10-8S.m-1。2.根据权利要求1所述的有源OLED显示器,其中以绝对标度表示,所述电子p-掺杂剂的LUMO能级比形成所述空穴传输基质材料的化合物的最高HOMO能级高至少150meV,所述绝对标度引用真空能级作为零。3.根据权利要求1或2所述的有源OLED显示器,其中以绝对标度表示,所述电子p-掺杂剂的LUMO能级比形成所述空穴传输基质材料的化合物的最高HOMO能级高不到600meV,所述绝对标度引用真空能级作为零。4.根据前述权利要求任一项所述的有源OLED显示器,其中所述空穴传输基质材料由以绝对标度表示,最高占据分子轨道的能量在-4.8eV至-5.5eV的范围之内的化合物构成,所述绝对标度引用真空能级作为零。5.根据前述权利要求任一项所述的有源OLED显示器,其中所述共同空穴传输层具有小于50nm的厚度。6.根据前述权利要求任一项所述的有源OLED显示器,其中所述共同空穴传输层具有大于3nm的厚度。7.根据前述权利要求任一项所述的有源OLED显示器,其中以绝对标度表示,所述阳极的功函数比形成所述p-掺杂剂的化合物的最...
【专利技术属性】
技术研发人员:卡斯滕·洛特,托马斯·罗泽诺,马丁·克勒,迈克·策尔纳,安德烈亚斯·哈尔迪,托比亚斯·坎茨勒,
申请(专利权)人:诺瓦尔德股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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