一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法
本专利技术属于非线性电路与系统中的忆阻电路理论领域，涉及最简混沌系统、忆阻器电路设计与实现。
技术介绍
1971年，美籍华裔科学家LeonO.Chua根据电子学理论，预测到除电阻、电容、电感元件外，还存在电路的第四种基本元件，即忆阻器。忆阻器为二端口器件，它连接磁通与电荷非线性关系。2008年，美国惠普实验室StanleyWilliams团队基于蔡氏忆阻器模型，利用双层二氧化钛薄膜成功研制出固态忆阻器，使Chua理论得以物理实现。此后，国内外广大学者从数学和物理的角度探索忆阻器的基本属性、物理模型、应用及其制造。Adhikari,Biolek等人提出忆阻器的三个本质特征，即(i)当一个双极性周期信号驱动时，该器件在v-i平面上为一条在原点紧缩的紧磁滞回线，且响应是周期的；(ii)从临界频率开始，磁滞旁瓣面积随激励频率的增加而单调减少；(iii)当频率趋近于无限大时，紧磁滞回线收缩为一个单值函数。目前国内外科学家都通过寻找理想的忆阻器模型等效电路来分析忆阻器的动力学特性及本质特征，而对于一般忆阻器模型的联想记忆能力分析较少。20...
【技术保护点】
一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法，其特征是包括以下步骤：步骤S01：基于最简混沌系统，构造忆阻函数多项式指数幂为可变参数的一般忆阻器模型；步骤S02：将步骤S01中忆阻函数多项式指数幂选取为正整数，验证其最简混沌系统的混沌特性；步骤S03：基于步骤S02设计正整数指数幂忆阻模型的电路原理图，验证忆阻元件的三个本质特征的存在性；步骤S04：将步骤S02中正整数拓展至正实数，数值计算基于该实数指数幂忆阻模型的最简混沌系统的混沌特性；步骤S05：基于步骤S04设计忆阻函数多项式指数幂为正实数时一般忆阻器模型的电路原理图，验证忆阻元件的三个本质特征。
【技术特征摘要】
1.一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法，其特征是包括以下步骤：步骤S01：基于最简混沌系统，构造忆阻函数多项式指数幂为可变参数的一般忆阻器模型；步骤S02：将步骤S01中忆阻函数多项式指数幂选取为正整数，验证其最简混沌系统的混沌特性；步骤S03：基于步骤S02设计正整数指数幂...
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