【技术实现步骤摘要】
成像装置本申请是2012年10月10日提交的申请号为201280050495.8的专利技术专利申请“半导体装置、固态图像感测装置和相机系统”的分案申请。
本公开涉及具有多个传感器以阵列形式布置的结构的半导体装置、固态图像感测装置和相机系统。
技术介绍
对于诸如CMOS图像传感器之类的具有多个传感器以阵列形式布置的结构的半导体装置而言,针对高度发展的信号处理和小型化,已经存在增长的需求。为了将此实现,例如专利文献1已经提出了将芯片层压在一起以集成具有与以往相同芯片大小的更大信号处理电路的方法。这种半导体装置具有安放了用于产生模拟信号的传感器阵列的芯片(下文称为模拟芯片)和安放了用于信号处理的逻辑电路的芯片(下文称为数字芯片)的层压结构。然后,半导体装置通过在模拟芯片中形成的TC(S)V(穿透接触(硅)通孔,ThroughContact(Silicon)VIA)将这些芯片连接在一起以便所述芯片一个层压在另一个上面,从而实现小型化。对于利用这种方法的小型化的挑战是要将关于用于使传感器阵列输出的数据流动的信号路径的电路块划分到上下芯片。例如,在图像传感器中,上面的系统使用 ...
【技术保护点】
一种成像装置,包括:第一衬底,包括:像素阵列,包括以行和列布置的多个像素,所述多个像素中的像素被配置为接收入射光,并输出模拟信号;多条信号线,所述多条信号线中的信号线被配置为传送所述模拟信号;第一多个通孔,沿所述像素阵列的第一侧放置;以及第二多个通孔,沿所述像素阵列的第二侧放置,所述第二侧垂直于所述第一侧,以及第二衬底,包括:列电路,包括多个比较器和多个计数器;以及行控制单元,被配置为将控制信号输出到所述第二多个通孔中的至少一个,其中所述多个比较器中的比较器被配置为经由所述第一多个通孔中的至少一个接收所述模拟信号,以及所述第一衬底和所述第二衬底结合在一起。
【技术特征摘要】
2011.10.21 JP 2011-2322821.一种成像装置,包括:第一衬底,包括:像素阵列,包括以行和列布置的多个像素,所述多个像素中的像素被配置为接收入射光,并输出模拟信号;多条信号线,所述多条信号线中的信号线被配置为传送所述模拟信号;第一多个通孔,沿所述像素阵列的第一侧放置;以及第二多个通孔,沿所述像素阵列的第二侧放置,所述第二侧垂直于所述第一侧,以及第二衬底,包括:列电路,包括多个比较器和多个计数器;以及行控制单元,被配置为将控制信号输出到所述第二多个通孔中的至少一个,其中所述多个比较器中的比较器被配置为经由所述第一多个通孔中的至少一个接收所述模拟信号,以及所述第一衬底和所述第二衬底结合在一起。2.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第一多个通孔和所述第二多个通孔布置在所述像素阵列外的区域中。3.根据权利要求1所述的成像装置,进一步包括多个浮空扩散、多个传输晶体管、多个复位晶体管和多个放大晶体管。4.根据权利要求3所述的成像装置,进一步包括多个选择晶体管。5.根据权利要求4所述的成像装置,其中所述多个像素中的各个像素包括光电转换元件、所述多个传输晶体管中的对应一个、所述多个放大晶体管中的对应一个以及所述多个复位晶体管中的对应一个。6.根据权利要求5所述的成像装置,其中所述多个像素中的各个像素包括所述多个选择晶体管中的对应一个。7.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述多个像素中的各个像素包括多个光电转换元件、复位晶体管、传输晶体管和放大晶体管,所述复位晶体管和所述放大晶体管在所述多个光电转换元件之间共享。8.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述多个比较器中的至少一部分在沿所述第一衬底的方向上与所述像素阵列的一部分重叠。9.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第二衬底包括多个锁存器。10.一种成像装置,包括:第一衬底,包括:像素阵列,包括以行和列布置的多个像素,所述多个像素中的像素被配置为接收入射光,并输出模拟信号;多条信号线,所述多条信号线中的信号线被配置为传送所述模拟信号;第一多个通孔,沿所述像素阵列的第一侧放置;以及第二多个通孔,沿所述像素阵列的第二侧放置,所述第二侧垂直于所述第一侧,以及第二衬底,包括:列电路,包括多个比较器和多个计数器;以及行控制单元,经由所述第二多个通孔中的至少一个耦合到所述像素,其中所述多个比较器中的比较器被配置为经由所述第一多个通孔中的至少一个接收所述模拟信号,以及所述第一衬底和所述第二衬底结合在一起。11.根据权利要求10所述的成像装置,其中所述第一多个通孔和所述第二多个通孔布置在所述像素阵列外的区域中。12.根据权利要求10所述的成像装置,进一步包括多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:长井利明,小关贤,植野洋介,铃木敦史,
申请(专利权)人:索尼公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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