【技术实现步骤摘要】
探测装置的制造方法和探测装置
本专利技术涉及一种探测装置的制造方法。此外,本专利技术涉及探测装置。
技术介绍
DE102010064108A1描述了一种用于封装传感器芯片来制造探测装置/传感器装置的方法。对此,首先将传感器芯片安装在载体上,接着将传感器芯片至少部分埋嵌到模塑材料中,最后通过以后对模塑材料进行结构化处理而产生至少一个通向传感器芯片的介质通道区段。
技术实现思路
根据本专利技术,提出一种探测装置的制造方法和探测装置。本专利技术简化了探测装置、例如传感器装置和放大器装置的制造,其方式是,在构造用于至少一个空气、液体和/或颗粒通道的至少一个开口之前已经实施至少一次第一测试和/或校准测量。因此,在构造至少一个开口之前例如已经能够根据至少一个第一测试和/或校准信号识别出中间产品是否存在缺陷,该缺陷显著损害制造完成的探测装置以后的使用。因此,必要时可以提前中止制造方法,而不必还实施不必要的方法步骤将中间产品继续加工为完成的探测装置。如下面还要详细解释的那样,同样可以利用至少一个敏感区域的至少一个感测面的气密、液密和/或颗粒密封的密封来进行探测装置的有利的和可简单实施的校准。因此,本专利技术有助于降低探测装置的制造费用。测试费用和校准费用通常占据探测装置生产费用的很大一部分。借助于本专利技术可以显著降低测试费用和校准费用,使得能够更加低成本地制造探测装置。在制造方法的一有利实施方式中,在构造至少一个开口以后实施至少一次第二测试和/或校准测量,为此在存在至少一个空气、液体和/或颗粒通道的情况下,至少一个敏感区域的至少一个传感器信号作为至少一次第二测试和/或校准测 ...
【技术保护点】
探测装置的制造方法,所述制造方法具有以下步骤:在半导体衬底(14)上和/或中这样构造具有至少一个暴露的感测面(12)的至少一个敏感区域(10),使得在所述探测装置以后运行时,在相应的所述敏感区域(10)的所述感测面(12)上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一个化学浓度改变时所述至少一个敏感区域(10)的至少一个传感器信号改变;这样封装所述半导体衬底(14)的至少一部分,使得所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个感测面(12)相对于至少部分封装的所述半导体衬底(14)的外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封;并且在至少部分封装的所述半导体衬底(14)上这样构造至少一个开口(52),使得实现从至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述外部环境通向所述至少一个感测面(12)的至少一个空气、液体和/或颗粒通道(54);其特征在于,在构造所述至少一个开口(52)之前实施至少一次第一测试和/或校准测量,对此通过相对于至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的所述至少一个感测面(12)获知所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个传感器信号作 ...
【技术特征摘要】
2016.01.20 DE 102016200699.11.探测装置的制造方法,所述制造方法具有以下步骤:在半导体衬底(14)上和/或中这样构造具有至少一个暴露的感测面(12)的至少一个敏感区域(10),使得在所述探测装置以后运行时,在相应的所述敏感区域(10)的所述感测面(12)上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一个化学浓度改变时所述至少一个敏感区域(10)的至少一个传感器信号改变;这样封装所述半导体衬底(14)的至少一部分,使得所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个感测面(12)相对于至少部分封装的所述半导体衬底(14)的外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封;并且在至少部分封装的所述半导体衬底(14)上这样构造至少一个开口(52),使得实现从至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述外部环境通向所述至少一个感测面(12)的至少一个空气、液体和/或颗粒通道(54);其特征在于,在构造所述至少一个开口(52)之前实施至少一次第一测试和/或校准测量,对此通过相对于至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的所述至少一个感测面(12)获知所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个传感器信号作为至少一次所述第一测试和/或校准测量的至少一个第一测试和/或校准信号。2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,在构造所述至少一个开口(52)以后实施至少一次第二测试和/或校准测量,对此在存在所述至少一个空气、液体和/或颗粒通道(54)的情况下获知所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个传感器信号作为至少一次所述第二测试和/或校准测量的至少一个第二测试和/或校准信号。3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,所述探测装置构造有分析处理设备(38)和存储器(40),其中,所述分析处理设备(38)设计成用于在所述探测装置以后运行时至少在考虑所述至少一个传感器信号和保存在所述存储器(40)上的分析处理关系的情况下确定并且输出关于所述至少一个物理量和/或至少一种所述待检出物质的信息,其中,所述分析处理关系至少在考虑所述至少一个第一测试和/或校准信号的情况下确定并且保存在所述存储器(40)上。4.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,所述探测装置构造有放大器设备和存储器(40),其中,所述放大器设备设计成用于在所述探测装置以后运行时至少在考虑所述至少一个传感器信号和保存在所述存储器(40)上的放大关系的情况下输出放大信号,其中,所述放大关系至少在考虑所述至少一个第一测试和/或校准信号的情况下确定并且保存在所述存储器(40)上。5.根据权利要求3或4所述的制造方法,其中,所述分析处理关系或者所述放大关系至少在考虑所述至少一个第一测试和/或校准信号和所述至少一个第二测试和/校准信号的情况下确定。6.根据权利要求3到5中任一项所述的制造方法,其中,在所述半导体衬底(14)上和/或中构造所述至少一个敏感区域(10),该半导体衬底是晶片(16)的一部分,其中,从所述晶片(16)中结构化出所述半导体衬底(14),其中,在确定所述分析处理关系或者所述放大关系时一并考虑关于作为所述晶片(16)一部分的所述半导体衬底(14)的位置的至少一个位置信息(a1、a2)。7.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法,其中,能够制造压力传感器(56)、血压传感器、声传感器、麦克风、温度传感器、化学传感器、气体传感器、气味传感器、液体传感器和/或颗粒传感器作为所述探测装置。8.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法,其中,该膜片(18)...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·赖因穆特,T·林德曼,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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