一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，它主要包括均苯四甲酸二酐、４．４′二氨基二苯基醚和纳米级金属氧化物，所属纳米级金属氧化物的粒径≤５０纳米。由于本发明专利技术采用以上技术方案，本发明专利技术具有以下优点：由于本发明专利技术采用了纳米材料，同时在高速剪切分散器中将纳米级金属氧化物与Ｎ，Ｎ′二甲基乙酰胺制成稳定均匀的悬浮体，所以产品用本发明专利技术制作的耐电晕聚酰亚胺薄膜具有良好的耐电晕性能，制作工艺优良，成品率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学制品，具体地说是一种耐电晕聚酰亚胺薄膜 及其制作方法。技术背景国内对耐电晕聚酰亚胺薄膜的研究，还处在高校或研究院所的试 验室里做一些探讨性的理论研究，远远没有达到工业化生产的水平。 而对美国杜邦公司耐电晕聚酰亚胺薄膜分析，我们认为其在耐电晕性 能还不够好。
技术实现思路
针对以上的不足，本专利技术提供耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制作方 法，具有良好的耐电晕性能，同时制作工艺优良，成品率高。为了达到以上目的，本专利技术采用以下技术方案， 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，它主要包括均苯四曱酸二酐、4.4' 二氨基二苯基醚和納 米级金属氧化物，所属纳米级金属氧化物的粒径《50纳米。本专利技术的进一步优化为 一种耐电暈聚酰亚胺薄膜，所述金属氧 化物为二氧化钬、三氧化二铝和二氧化硅中的一种或多种。上述耐电暈聚酰亚胺薄膜的制作方法如下A) 聚酰亚胺酸溶液制作一一将均苯四甲酸二酐在反应蒼与溶 液N， N'二甲基乙酰胺均匀混合，然后加入4.4' 二M二苯基醚反 应生成聚酰亚胺酸溶液；B) 悬浮体制作一一在高速剪切分散器中将纳米级金属氧化物 (包括二氧化钛、三氧化二铝和二氧化硅中的一种或多种)与N, N'二甲基乙酰胺制成稳定均匀的悬浮体；C) 搅拌——将A步骤制作好的聚酰亚胺酸溶液和B步骤制作 好的悬浮体加入到混合釜中，利用超声波机，充分搅4半均匀；D) 流涎——将C步骤制作好的均匀混合液加入到流涎机中流涎；E) 烘千一一将经D步骤流涎所得的物品去除溶剂N， N'二曱 基乙酰胺，然后在热风循环烘房中烘干成膜；F ) 亚胺化处理一 一将经E步骤烘干制得的物品进行亚胺化处 理制得耐电暈聚酰亚胺薄膜。由于本专利技术采用以上技术方案，本专利技术具有以下优点由于本发 明采用了纳米材料，同时在高速剪切分散器中将纳米级金属氧化物与 N, N'二甲基乙酰胺制成稳定均匀的悬浮体，所以产品用本专利技术制作 的耐电晕聚酰亚胺薄膜具有良好的耐电晕性能，同时制作工艺优良， 成品率高。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步说明 实施例一它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4' 二氨基二苯基醚和纳米级金 属氧化物，所属纳米级金属氧化物的粒径《50纳米。所述金属氧化物 二氧化钛(也可以为三氧化二铝或者二氧化硅，也可以是三者中的二种或三种的混合物)。各组份的配比为均苯四曱酸二肝与4.4' 二 氨基二苯基醚按摩尔比l: 1,以均苯四曱酸二酐与4. 4' 二氨基二苯 基醚混合物的重量为1，纳米级金属氧化物则为4%。 上述耐电晕聚酰亚胺薄膜的制作方法如下G) 聚酰亚胺酸溶液制作一一将均苯四曱酸二肝在反应釜与溶 液N, N'二甲基乙酰胺均匀混合，然后加入4.4' 二氨基二苯基醚反 应生成聚酰亚胺酸溶液；H) 悬浮体制作一一在高速剪切分散器中将纳米级金属氧化物 (包括二氧化钛、三氧化二铝和二氧化硅中的一种或多种)与N， N'二曱基乙酰胺制成稳定均勻的悬浮体(制作中加入表面活性剂和悬浮 剂)；I) 搅拌一 —将A步骤制作好的聚酰亚胺酸溶液和B步骤制作 好的悬浮体加入到混合釜中，利用超声波机，充分搅」泮均匀；J )流涎一一将C步骤制作好的均匀混合液加入到流涎机中流涎；K) 烘干一一将经D步骤流涎所得的物品去除溶剂N, N'二曱 基乙酰胺，然后在热风循环烘房中烘干，形成薄膜；L)亚胺化处理一一将经E步骤烘干制得的物品进^f于亚胺化处 理制得耐电晕聚酰亚胺薄膜。 实施例二同实施例一的一种耐电暈聚酰亚胺薄膜，其不同点在于，以均苯 四曱酸二酐与4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量为1，纳米级金属氧化物则为8%。 实施例三同实施例一的一种耐电暈聚酰亚胺薄膜，其不同点在于，以均 苯四甲酸二酐与4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量为1，纳米级金 属氧化物则为12%。 实施例四同实施例一的一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，其不同点在于，以均苯 四甲酸二酐与4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量为1，纳米级金属氧化物则为16%。除上述实施例外，本专利技术还可以有其他实施方式。凡采用等同替 换或等效变换形成的技术方案，均落在本专利技术要求的保护范围内。权利要求1、一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4′二氨基二苯基醚和纳米级金属氧化物，所属纳米级金属氧化物的粒径≤50纳米。2、 根据权利要求1所述的一种耐电暈聚酰亚胺薄膜，其特征在于所述金 属氧化物为二氧化钛、三氧化二铝和二氧化硅中的一种或多种。3、 根据权利要求2所述的一种耐电暈聚酰亚胺薄膜，其特征在于所述均 苯四曱酸二酐、4.4' 二氨基二苯基醚和纳米级金属氧化物各组份的配比为， 均苯四曱酸二酐与4. 4' 二氨基二苯基醚按摩尔比1: 1,以均苯四甲酸二酐与 4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量为1，纳米级金属氧化物则为4-16%。4、 一种耐电暈聚酰亚胺薄膜的制作方法为A )聚酰亚胺酸溶液制作一 一将均苯四曱酸二酐在反应釜与溶液N， N' 二曱 基乙酰胺均匀混合，然后加入4. 4' 二氨基二苯基醚反应生成聚酰亚胺酸溶液；B) 悬浮体制作一一在高速剪切分歉器中将纳米级金属氧化物与N, N'二曱 基乙酰胺制成稳定均匀的悬浮体，所述的纳米级金属氧化物包括二氧化钛、三 氧化二铝和二氧化石圭中的 一种或多种；C) 搅拌—一将A步骤制作好的聚酰亚胺酸溶液和B步骤制作好的悬浮体 加入到混合釜中，利用超声波机，充分搅拌均匀；D) 流涎一一将C步骤制作好的均匀混合液加入到流涎机中流涎；E) 烘干一一将经D步骤流涎所得的物品去除溶剂N, N'二曱基乙酰胺然后 在热风循环烘房中烘干成膜；F) 亚胺化处理一一将经E步骤烘干制得的物品进行亚胺化处理制得耐电 晕聚酰亚胺薄膜。全文摘要本专利技术涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4′二氨基二苯基醚和纳米级金属氧化物，所属纳米级金属氧化物的粒径≤50纳米。由于本专利技术采用以上技术方案，本专利技术具有以下优点由于本专利技术采用了纳米材料，同时在高速剪切分散器中将纳米级金属氧化物与N，N′二甲基乙酰胺制成稳定均匀的悬浮体，所以产品用本专利技术制作的耐电晕聚酰亚胺薄膜具有良好的耐电晕性能，制作工艺优良，成品率高。文档编号C08K5/00GK101323672SQ20071002432公开日2008年12月17日 申请日期2007年6月13日 优先权日2007年6月13日专利技术者孙志荣, 浩 朱, 朱艾成, 杨广生, 聂伟民, 许惠麟, 郭振报 申请人:江苏冰城电材有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，它主要包括均苯四甲酸二酐、４．４′二氨基二苯基醚和纳米级金属氧化物，所属纳米级金属氧化物的粒径≤５０纳米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱艾成，许惠麟，郭振报，聂伟民，朱浩，杨广生，孙志荣，
申请(专利权)人：江苏冰城电材有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]