一种基因测序芯片及基因测序方法、基因测序装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种基因测序芯片及基因测序方法、基因测序装置，涉及基因测序领域，采用离子半导体测序技术原理，结构更为简单，制作难度较小，大大降低了测序时间和成本。该基因测序芯片包括，显示面板，包括多个显示单元，所述显示单元设置有晶体管和电极，所述电极与所述晶体管的漏极相连；设置在所述显示面板上的开口限定层，所述开口限定层上设置有与所述显示单元一一对应的开口；至少有部分区域设置在所述开口内的离子敏感膜，所述离子敏感膜与所述晶体管的栅极相连。用于基因测序芯片及包括该基因测序芯片的基因测序装置制备。

Gene sequencing chip, gene sequencing method and gene sequencing device

The invention provides a gene chip and gene sequencing method, gene sequencing device, relates to the field of gene sequencing, using the principle of ion semiconductor sequencing technology, more simple structure, the difficulty of making small, greatly reducing the time and cost of sequencing. The gene sequencing chip comprises a display panel, and includes a display unit, the display unit is provided with a transistor and the electrode, the electrode and the transistor connected to the drain electrode; mounted on the display panel opening limit layer, the layer is provided with an opening defined by the display unit 11 opening the corresponding; at least part of regional settings within the opening of the ion sensitive membrane, ion sensitive membrane and the gate of the transistor. Gene sequencing chip and gene sequencing device including the gene sequencing chip.

【技术实现步骤摘要】
一种基因测序芯片及基因测序方法、基因测序装置
本专利技术涉及基因测序领域，尤其涉及一种基因测序芯片及基因测序方法、基因测序装置。
技术介绍
基因测序技术是现代分子生物学研究中最常用的技术，从1977第一代基因测序发展至今，基因测序技术取得了相当大的发展，依次经历了第一代由FrederickSanger(弗雷德里克·桑格)专利技术的sanger测序技术、第二代高通量测序技术、第三代单分子测序技术以第四代纳米孔测序技术，目前市场主流的测序技术仍以第二代高通量测序为主。第二代高通量测序技术主要包括由Illumina公司专利技术的边合成边测序技术、由ThermoFisher公司专利技术的离子半导体测序技术和连接法测序技术以及由Roche公司专利技术的焦磷酸测序技术等。其中，Illumina公司专利技术的边合成边测序法和ThermoFisher专利技术的连接法测序技术均需要对DHA链进行荧光标记，根据其测序原理还需要有相应的激光光源和光学系统，测序较为复杂，增加测序时间和成本。Roche公司专利技术的焦磷酸测序技术虽然无需激光光源和光学系统，然而仍然需要对DHA链进行荧光标记，测序也较为复杂。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基因测序芯片，其特征在于，所述基因测序芯片包括，显示面板，包括多个显示单元，所述显示单元设置有晶体管和电极，所述电极与所述晶体管的漏极相连；设置在所述显示面板上的开口限定层，所述开口限定层上设置有与所述显示单元一一对应的开口；至少有部分区域设置在所述开口内的离子敏感膜，所述离子敏感膜与所述晶体管的栅极相连。

【技术特征摘要】
1.一种基因测序芯片，其特征在于，所述基因测序芯片包括，显示面板，包括多个显示单元，所述显示单元设置有晶体管和电极，所述电极与所述晶体管的漏极相连；设置在所述显示面板上的开口限定层，所述开口限定层上设置有与所述显示单元一一对应的开口；至少有部分区域设置在所述开口内的离子敏感膜，所述离子敏感膜与所述晶体管的栅极相连。2.根据权利要求1所述的基因测序芯片，其特征在于，所述显示面板还包括，相对设置的第一基板与第二基板；封装在所述第一基板与所述第二基板相对空间内的介质层、第一流体层和导电的第二流体层；其中，所述第一流体层设置在所述第二流体层靠近所述电极的一侧；所述第一流体层与所述第二流体层具有不同的颜色；在所述电极与所述第二流体层之间未形成电场的情况下，所述第一流体层铺展在所述介质层的表面；在所述电极与所述第二流体层之间形成有电场的情况下，所述第一流体层分裂为分别聚集在所述介质层对应于各个晶体管所在区域的多个互不接触的子部分；所述晶体管和所述电极设置在所述第一基板上。3.根据权利要求1所述的基因测序芯片，其特征在于，所述基因测序芯片还包括，覆盖所述晶体管和所述电极的保护层；所述离子敏感膜通过设置在所述保护层上的过孔与所述栅极相连。4.根据权利要求1所述的基因测序芯片，其特征在于，所述开口为孔径范围为1～100μm的微孔。5.根据权利要求2所述的基因测序芯片，其特征在于，所述介质层设置在所述第一流体层远离所述第二流体层的一侧。6.根据权利要求2所述的基因测序芯片，其特征在于，所述介质层为疏水层，所述第一流体层为油膜。7.根据权利要求6所述的基因测序芯片，其特征在于，构成所述疏水层的液体为含氟聚合物；和/或，构成所述油膜的液体为十六烷和/或硅酮，且所述液体中溶解有颜料和/或染料。8.根据权利要求2所述的基因测序芯片，其特征在于，所述第一流体层的颜色为黑色。9.根据权利要求1所述的基因测序芯片，其特征在于，所述离子敏感膜的材料为Si3N4。10.根据权利要求1所述的基因测序芯片，其特征在于，所述基因测序芯片还包括，外围电路结构；所述晶体管的源极通过信号引线与所述外围电路结构电性连接。...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞凤春，蔡佩芝，耿越，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11