覆盖擦除块映射制造技术

一种用于闪存存储器的覆盖擦除块(EB)映射机制实现了有效的耗损均衡并减少了挂载操作延迟。在闪存存储器的对应部分中，该覆盖EB映射机制将第一类型EB映射到多个物理擦除块中的一个上。第一类型EB包括多个指针。覆盖EB映射机制还将第二类型EB和第三类型EB中的每个映射到物理EB中未被映射到第一类型EB的一个上。第二类型EB存储系统管理信息，而第三类型EB存储用户数据。当启动闪存存储器时，覆盖EB映射机制扫描对应部分以定位第一类型EB，使用指针以定位系统EB，以及使用系统管理信息以定位数据EB。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】覆盖擦除块映射本申请是于2014年10月20日提交的美国专利申请14/518,560的国际申请，该美国专利申请以引用方式被全部并入本文。背景由于闪存存储器在没有电源的情况下保持其中存储的信息，因此被认为是“非易失”存储器。同样地，闪存存储器对于多种类型的装置，例如，可去除存储装置和移动计算装置，已经变得日益普及。与其他一次性可编程(one-timeprogrammable，OTP)的非易失存储器不同，闪存存储器可以被重写。可以通过擦除其中的存储器单元中的一个或更多个块并且然后对块内的一个或更多个存储器单元进行写入，来将数据存储在闪存存储器中。存储器单元的块通常被称为擦除块(eraseblock，EB)。对擦除块(EB)进行编程和擦除的过程被称为编程/擦除(P/E)循环。当EB经历更多P/E循环时闪存存储器的一些特征趋于降低。例如，闪存存储器在没有电源的情况下可能不能将数据存储无限长时间。而且，闪存存储器的编程和擦除特征也可能降低。闪存存储器的寿命因此由每个EB经历的P/E循环的最大数目限制。为了延长闪存存储器的寿命，可以采用具有EB映射机制(mappingscheme)的闪存文件系统(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将包括多个指针的第一类型擦除块(EB)映射到存储器的对应部分中的多个物理EB中的一个上；以及将第二类型EB和第三类型EB中的每个映射到所述物理EB中未映射到所述第一类型EB的一个上，所述第二类型EB存储系统管理信息，而所述第三类型EB存储用户数据。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.20 US 14/518,5601.一种方法，包括：将包括多个指针的第一类型擦除块(EB)映射到存储器的对应部分中的多个物理EB中的一个上；以及将第二类型EB和第三类型EB中的每个映射到所述物理EB中未映射到所述第一类型EB的一个上，所述第二类型EB存储系统管理信息，而所述第三类型EB存储用户数据。2.根据权利要求1所述的方法，还包括，当所述存储器启动时：扫描所述对应部分以定位所述第一类型EB；使用所述指针以定位所述第二类型EB；以及使用所述系统管理信息以定位所述第三类型EB。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：将第四类型EB映射到所述物理EB上；其中，所述第四类型EB中的每个都是用于再生所述第一类型EB、所述第二类型EB和所述第三类型EB中的一个的空物理EB。4.根据权利要求3所述的方法，还包括，响应于所述第一类型EB是满的而且所述第四类型EB中的一个或更多个被映射在所述对应部分内：分配被映射在所述对应部分内的所述第四类型EB中的一个以再生所述第一类型EB。5.根据权利要求3所述的方法，还包括，响应于所述第一类型EB是满的、没有第四类型EB被映射在所述对应部分内而且一个或更多个第二类型EB被映射在所述对应部分内：通过在所述对应部分之外分配所述第四类型EB中的一个或更多个以再生所述对应部分内的所述第二类型EB中的一个或更多个，以在所述对应部分内生成所述第四类型EB中的一个或更多个；以及分配在所述对应部分内生成的所述第四类型EB中的一个以再生所述第一类型EB。6.根据权利要求3所述的方法，还包括，响应于所述第一类型EB是满的而且没有第四类型EB以及没有第二类型EB被映射在所述对应部分内：通过在所述对应部分之外分配所述第四类型EB中的一个或更多个以再生所述对应部分内的所述第三类型EB中的一个或更多个，以在所述对应部分内生成所述第四类型EB中的一个或更多个；以及分配在所述对应部分内生成的所述第四类型EB中的一个，以再生所述第一类型EB。7.一种系统，包括：存储器，其包括多个物理EB；以及EB映射模块，其被配置为：将包括指针的第一类型EB映射到所述存储器的对应部分中的、所述物理EB中的一个上，以及将第二类型EB和第三类型EB中的每个映射到所述物理EB中的未映射到所述第一类型EB的一个上，其中：所述第二类型EB存储系统管理信息，以及所述第三类型EB存储用户数据。8.根据权利要求7所述的系统，所述EB映射模块还被配置为，当所述存储器启动时：扫描所述对应部分以定位所述第一类型EB；使用所述指针以定位所述第二类型EB；以及使用所述系统管理信息以定位所述第三类型EB。9.根据权利要求7所述的系统，所述EB映射模块还被配置为：将第四类型EB映射到所述物理EB上，其中，所述第四类型EB中的每个都是用于再生所述第一类型EB、所述第二类型EB和所述第三类型EB中的一个的空物理EB。10.根据权利要求9所述的系统，所述EB映射模块还被配置为响应于所述第一类型EB是满的而且一个或更多个第四类型EB被映射在所述对应部分内：分配被映射在所述对应部分内的所述第四类型EB中的一个以再生所述第一类型EB。11.根据权利要求9所述的系统，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田伸介，苏尼尔·阿特里，斋藤博行，
申请(专利权)人：赛普拉斯半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US