一种小型化超宽带3dB定向耦合器制造技术

本发明专利技术公开了一种小型化超宽带3dB定向耦合器，属于微波技术领域，包括耦合器、端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、侧印地GND1、侧印地GND2、接地屏蔽层G1和接地屏蔽层G3,解决了五节耦合线与单节耦合线级联的技术问题，本发明专利技术采用低损耗低温共烧陶瓷材料和三维立体集成，折叠宽边耦合线，多节与单节耦合线级联技术，所带来的显著优点是：(1)耦合度强、带宽宽；(2)体积小、重量轻、可靠性高；(3)电路实现结构简单，可实现大批量生产；(4)成本低；(5)使用安装方便，单独作为部件使用，可以通过全自动贴片机安装和焊接。

【技术实现步骤摘要】
一种小型化超宽带3dB定向耦合器
本专利技术属于微波
，特别涉及一种小型化超宽带3dB定向耦合器。
技术介绍
现代电子对抗系统、测量仪器系统的发展,使得微波系统覆盖了越来越宽的频带随着人们对便携化,集成化的不断追求,作为微波系统中广泛使用的定向祸合器,人们对其带宽和体积提出了更高的要求。描述这种部件性能的主要技术指标有工作频率范围、输入输出电压驻波比、插入损耗、隔离度、幅度平衡、相位平衡特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。常规的工艺方法难以实现体积小、带宽宽、可批量生产的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种小型化超宽带3dB定向耦合器，解决了五节耦合线与单节耦合线级联的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种小型化超宽带3dB定向耦合器，包括耦合器、端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、侧印地GND1、侧印地GND2、接地屏蔽层G1和接地屏蔽层G3，耦合器的左边从前至后依次间隔设有端口P3和端口P1，耦合器的左边从前至后依次间隔设有端口P4和端口P2，耦合器的前面设有侧印地GND2，耦合器的后面设有侧印地GND1，耦合器的下面接地屏蔽层G3，耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小型化超宽带3dB定向耦合器，其特征在于：包括耦合器、端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、侧印地GND1、侧印地GND2、接地屏蔽层G1和接地屏蔽层G3，耦合器的左边从前至后依次间隔设有端口P3和端口P1，耦合器的左边从前至后依次间隔设有端口P4和端口P2，耦合器的前面设有侧印地GND2，耦合器的后面设有侧印地GND1，耦合器的下面接地屏蔽层G3，耦合器的上面设有接地屏蔽层G1；耦合器包括接地屏蔽层G2、连接引线Lin1、连接引线Lin2、连接引线Lin3、连接引线Lin4、折叠宽边耦合线L1、折叠宽边耦合线L2、折叠宽边耦合线L3、折叠宽边耦合线L4、折叠宽边耦合线L5、折叠宽边耦合...

【技术特征摘要】
1.一种小型化超宽带3dB定向耦合器，其特征在于：包括耦合器、端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、侧印地GND1、侧印地GND2、接地屏蔽层G1和接地屏蔽层G3，耦合器的左边从前至后依次间隔设有端口P3和端口P1，耦合器的左边从前至后依次间隔设有端口P4和端口P2，耦合器的前面设有侧印地GND2，耦合器的后面设有侧印地GND1，耦合器的下面接地屏蔽层G3，耦合器的上面设有接地屏蔽层G1；耦合器包括接地屏蔽层G2、连接引线Lin1、连接引线Lin2、连接引线Lin3、连接引线Lin4、折叠宽边耦合线L1、折叠宽边耦合线L2、折叠宽边耦合线L3、折叠宽边耦合线L4、折叠宽边耦合线L5、折叠宽边耦合线L6、连接柱H1、连接柱H2、连接柱H3、连接柱H4、连接柱H5、连接柱H6、连接柱H7、连接柱H8、连接柱H9和连接柱H10；折叠宽边耦合线L1、折叠宽边耦合线L2、折叠宽边耦合线L3、折叠宽边耦合线L4和折叠宽边耦合线L5为从左至右依次设置；折叠宽边耦合线L1的下边依次间隔设有接地屏蔽层G2和折叠宽边耦合线L6；折叠宽边耦合线L1包括上层折叠线L11和下层折叠线L12，折叠宽边耦合线L2包括上层折叠线L21和下层折叠线L22，折叠宽边耦合线L3包括上层折叠线L31和下层折叠线L32，折叠宽边耦合线L4包括上层折叠线L41和下层折叠线L42，折叠宽边耦合线L5包括上层折叠线L51和下层折叠线L52，折叠宽边耦合线L6包括上层折叠线L61和下层折叠线L62；下层折叠线L12的一端通过连接引线Lin1连接端口P1，另一端通过连接柱H2与下层折叠线L22的一端连接，下层折叠线L...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴永胜，陈相治，孙超，杨茂雅，
申请(专利权)人：孙超，
类型：发明
国别省市：江苏,32