用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法
本专利技术涉及一种可作为电磁波偏振器的薄膜材料，更具体的说，它涉及到一种可用于晶片尺寸的太赫兹和红外波偏振调制的纳米复合薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
目前市场上可得到的太赫兹偏光器大部分都是用金属栅制成的。因为是通过机械加工的方法制成，金属栅间距的最小极限是10微米左右，在太赫兹波段(例如，大于3THz的电磁波)，因为波长比金属栅间距大十倍，因此大大减小了偏振消光比。科研人员通常用薄膜沉积和光刻加工的方法制造红外和高频太赫兹的偏振器，对透明衬底的要求往往限制了其在几个太赫兹到20THz波段的应用。由于低维材料的小尺寸可以产生特殊的物理性质，纳米技术在今天被广泛利用。在设计材料的光学和电学性质方面，精确的控制低维材料的生长、尺寸和几何形状是很关键的一步。很多低维结构的合成制造方法需要模板或者催化剂。通过分子束外延的方法，我们可以调控稀土元素使其在半导体材料基质中形成纳米结构获得连续的半金属/半导体复合材料。在半导体基质中嵌入单晶的金属纳米结构，可以在没有破坏基质的晶体质量的情况下有效地调控材料的性质，从而满足材料...
【技术保护点】
用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料，其特征在于，在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列，纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行，当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15‑25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面。
【技术特征摘要】
1.用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料，其特征在于，在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列，纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行，当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15-25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面。2.根据权利要求1所述的用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料，其特征在于，所述锑化铒纳米线为单晶并具有半金属性质，直径为5-7纳米，纳米线之间的间距为1...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。