用于合成IIa型钻石的合成块结构及IIa型钻石的合成方法技术

本发明专利技术公开了一种合成IIa型钻石的结构及IIa型钻石的合成方法，属一种人造金刚石的制造方法，包括呈筒状的叶蜡石空块，叶蜡石空块的两端均套装有叶蜡石环，叶蜡石环的内部均安装有导电堵头，导电堵头的内壁均贴附有碳纸；叶蜡石空块的内壁上设有白云石外衬，白云石外衬的内壁上设有氧化镁内衬，白云石外衬与氧化镁内衬之间还设有碳管，氧化镁内衬的内部还设有层叠排列的多根石墨芯柱。通过在IIa型钻石结构内部相邻的两个石墨芯柱之间均增设除氮剂，保证了除氮剂在金刚石内部结构中分布的均匀性，使得在金刚石合成过程中，产生的氮原子能及时与除氮剂进行反应，进而在每个片状芯柱的两个面及接近表面的附近处生长出IIa型钻石。

Synthetic methods for the synthesis of II type diamond synthetic block structure and II type diamond

The invention discloses a method for synthesizing a II structure and a II type diamond synthetic diamond, method of manufacturing is a kind of artificial diamond, comprises a cylindrical pyrophyllite hollow block, both ends of pyrophyllite block is sheathed with empty ring inner ring of pyrophyllite, pyrophyllite are equipped with conductive plug, the inner wall of the conductive plug are attached to carbon paper; empty pyrophyllite block is arranged on the inner wall of the inner wall of the outer lining of dolomite, dolomite lining is arranged on the Magnesium Oxide lined carbon tube is arranged between the outer lining of dolomite and Magnesium Oxide Magnesium Oxide internal lining, lining is arranged with a plurality of laminated graphite core. Between the two graphite core II a diamond structure adjacent to the additional nitrogen removal agent, in addition to ensure the uniformity of nitrogen agents in the internal structure of diamond distribution, the diamond synthesis process, the nitrogen atom produced timely reaction and nitrogen removal agent, and the growth of II a diamond in two every flake stem and close to the surface of near.

【技术实现步骤摘要】
用于合成IIa型钻石的合成块结构及IIa型钻石的合成方法
本专利技术涉及一种人造金刚石的制造方法，更具体的说，本专利技术主要涉及一种合成IIa型钻石的结构及IIa型钻石的合成方法。
技术介绍
目前，大颗粒人造金刚石已逐渐进入了首饰领域，而首饰用大颗粒无色金刚石（IIa型）具有很大的市场空间和前景。近年来这一领域取得了突破性的进展，国内外很多企业采用温度梯度法成功合成IIa型钻石并实现了工业化生产。但随着技术的趋同化，这一领域将面临着激烈的竞争，开发新的合成技术，降低成本成为大势所趋。因而有必要针对IIa型钻石的人工合成方法做进一步的研究和改进。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于针对上述不足，提供一种合成IIa型钻石的结构及IIa型钻石的合成方法，以期望解决现有技术中IIa型钻石的技术趋同化导致生产成本过高，不利于提升钻石的成品率和结构的稳定性等技术问题。为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术一方面提供了一种用于合成IIa型钻石的合成块结构，包括呈筒状的叶蜡石空块，所述叶蜡石空块的两端均套装有叶蜡石环，所述叶蜡石环的内部均安装有导电堵头，所述导电堵头的内壁均贴附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于合成IIa型钻石的合成块结构，包括呈筒状的叶蜡石空块（1），其特征在于：所述叶蜡石空块（1）的两端均套装有叶蜡石环（2），所述叶蜡石环（2）的内部均安装有导电堵头（3），所述导电堵头（3）的内壁均贴附有碳纸（4）；所述叶蜡石空块（1）的内壁上设有白云石外衬（5），所述白云石外衬（5）的内壁上设有氧化镁内衬（6），所述白云石外衬（5）与氧化镁内衬（6）之间还设有碳管（7），所述碳管（7）的两端分别与两个叶蜡石环（2）内壁的碳纸（4）相接触；所述氧化镁内衬（6）的内部还设有层叠排列的多根石墨芯柱（8），所述多根石墨芯柱（8）中每相邻的两根石墨芯柱（8）之间均设有除氮剂（9）。

【技术特征摘要】
1.一种用于合成IIa型钻石的合成块结构，包括呈筒状的叶蜡石空块（1），其特征在于：所述叶蜡石空块（1）的两端均套装有叶蜡石环（2），所述叶蜡石环（2）的内部均安装有导电堵头（3），所述导电堵头（3）的内壁均贴附有碳纸（4）；所述叶蜡石空块（1）的内壁上设有白云石外衬（5），所述白云石外衬（5）的内壁上设有氧化镁内衬（6），所述白云石外衬（5）与氧化镁内衬（6）之间还设有碳管（7），所述碳管（7）的两端分别与两个叶蜡石环（2）内壁的碳纸（4）相接触；所述氧化镁内衬（6）的内部还设有层叠排列的多根石墨芯柱（8），所述多根石墨芯柱（8）中每相邻的两根石墨芯柱（8）之间均设有除氮剂（9）。2.根据权利要求1所述的用于合成IIa型钻石的合成块结构，其特征在于：所述除氮剂（9）为Ti箔。3.根据权利要求1所述的用于合成IIa型钻石的合成块结构，其特征在于：所述多根石墨芯柱（8）均与叶蜡石环（2）及导电堵头（3）相平行。4.一种IIa型钻石的合成方法，其特征在于所述的方法采用权利要求1至3任意一项所述的结构，包括如下步骤：步骤A、将叶腊石空块素坯与叶腊石环在200-350℃的温度下下烘烤焙烧15-25h，备用；步骤B、将纯度至少为99%的石墨与FeMnCo触媒按照1.8-2.2:0.8-1.2的比例均匀混合，并将两者的混合物压制成片状的多根石墨芯柱，将多根石墨芯柱层叠排列组合，每相邻的两根石墨芯柱之间设有除氮剂（9）；步骤C、在层叠排列组合的多根石墨芯柱的外部套设氧化镁内衬（6），然后在氧化镁内衬（6）的外部套设白云石外衬（5），并在氧化镁内衬（6）与白云石外衬（5）之间增设多个碳管（7），从...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乾坤，
申请(专利权)人：中南钻石有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41