一种电池保护电路及晶片制造技术

本申请实施例中提供了一种电池保护电路、晶片及控制芯片，该电池保护电路包括：功率开关S1，用于控制该电池的充放电状态；传感器，用于感应该功率开关S1的温度，该传感器的一端接电池保护控制芯片，另一端接地；且该传感器为负温度系数传感器或正温度系数传感器；其中，传感器和功率开关S1位于同一晶片；该电池保护控制芯片，用于在该功率开关S1的温度高于阈值温度时，输出用于触发该功率开关S1关断的有效信号。采用本申请实施例中的方案，能够实现对电池保护电路中功率开关的温度检测和过温保护，提高电池保护电路的可靠性，从而进一步提高锂电池的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种电池保护电路及晶片
本申请涉及集成电路设计领域，具体地，涉及一种电池保护电路及晶片。
技术介绍
电池保护电路一般包括电池保护控制芯片和功率开关。沟槽型垂直工艺和平面工艺是集成电路制造的两种常用工艺。沟槽型垂直工艺有利于实现较小导通电阻的开关，通常采用该工艺制造功率开关。但沟槽型垂直工艺不适于制造功能复杂的控制电路，因此通常采用平面工艺制造电池保护控制芯片。由于电池保护控制芯片和功率开关的制造工艺的不同，导致功率开关和电池保护控制芯片处于不同的晶片，难于对功率开关的温度进行检测，从而无法对功率开关实现过温保护。而如果功率开关由于过热损坏，将导致电池保护电路失控，产生危险。
技术实现思路
本申请实施例中提供了一种电池保护电路及晶片，能够解决现有技术中的电池保护电路无法对功率开关实现过温保护，导致的安全性问题。根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种电池保护电路，包括：功率开关S1，用于控制该电池的充放电状态；传感器，用于感应该功率开关S1的温度，该传感器的一端接电池保护控制芯片，另一端接地；且该传感器为负温度系数传感器或正温度系数传感器；其中，传感器和功率开关S1位于同一晶片；该电池保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电池保护电路，其特征在于，包括：功率开关S1，用于控制所述电池的充放电状态；传感器，用于感应所述功率开关S1的温度，所述传感器的一端接电池保护控制芯片，另一端接地；所述传感器为负温度系数传感器或正温度系数传感器；其中，所述传感器和所述功率开关S1位于同一晶片；所述电池保护控制芯片，用于在所述功率开关S1的温度高于阈值温度时，输出用于触发所述功率开关S1关断的有效信号。

【技术特征摘要】
1.一种电池保护电路，其特征在于，包括：功率开关S1，用于控制所述电池的充放电状态；传感器，用于感应所述功率开关S1的温度，所述传感器的一端接电池保护控制芯片，另一端接地；所述传感器为负温度系数传感器或正温度系数传感器；其中，所述传感器和所述功率开关S1位于同一晶片；所述电池保护控制芯片，用于在所述功率开关S1的温度高于阈值温度时，输出用于触发所述功率开关S1关断的有效信号。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述功率开关S1采用沟槽型垂直工艺制成；所述电池保护控制芯片采用平面工艺制成。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述传感器为负温度系数的二极管D1，其中，所述二极管D1的阳极接所述电池保护控制芯片中的比较器的一输入端，阴极与所述功率开关的源极连接后，接地电平GND。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述晶片包括：从下至上依次形成的N+衬底和N-层，以及在所述N-层中形成的P-区；所述N+衬底作为所述功率开关的漏极；从上至下延伸入所述P-区、并嵌入所述N-层的凹形沟槽；所述沟槽内填充多晶硅栅；所述多晶硅栅作为所述功率开关的栅极；所述沟槽两侧分别从内向外依次形成一相邻的N+区域和P+区域；所述两个N+区域和两个P+区域共同作为所述功率开关的源极；在所述P-区中形成的二极管D1，其中，所述二极管D1包括N阱、以及形成于所述N阱内的N+区域和P+区域，所述N+区域和P+区域间隔分布；其中，所述功率开关的栅极接所述电池保护控制芯片的输出端，漏极接外部电路，源极与所述二极管D1的N+区域连接后接地电平GND；所述二极管D1的P+区域接所述电池保护控制芯片中的比较器的一输入端。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电池保护控制芯片包括：比较器，所述比较器第一输入端接所述传感器，第二输入端接参考电压VR，所述比较器的输出端与功率开关连接；所述比较器根据所述传感器的端电压VTS与参考电压之间的高低关系，输出有效信号或无效信号；电流源，所述电流源接所述传感器，用于为所述传感器提供偏置电流。6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述传感器为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：南京中感微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32