光和气体复合探测器制造技术
Light and gas composite detector
The present invention provides a light and composite gas detector, comprising a porous tin oxide layer as a part of the gas detection and gas sensing layer, in the light detection part of the cadmium sulfide layer and the compositions of cu-in-ga-se-s layer, gas sensor and photoelectric sensor is integrated on the same substrate, and at the same time to form a detection circuit in the the substrate, so that a sensor can detect gas and light current, and design a new structure, while the cadmium sulfide layer and the compositions of cu-in-ga-se-s layer, enhance the light detection effect, provides a novel composite light and gas detector.
【技术实现步骤摘要】
光和气体复合探测器
本专利技术涉及一种传感器，具体涉及一种光和气体复合探测器。
技术介绍
气体传感器是一种将某种气体体积分数转化成对应电信号的转换器，目前已有的气体传感器种类繁多，按所用气敏材料及其气敏特性不同，可分为半导体式、固体电解质式、电化学式、接触燃烧式等。光电探测技术在紫外线辐射检测、环境监测、化学成分分析、污水检测与处理、灾害预警、食品卫生、医疗健康、无线加密通信等方面具有广泛的应用。由于宽禁带半导体(WBG，如氮化镓、碳化硅、氧化锌等)具有不吸收可见光的特性，在紫外探测领域得到广泛的关注，并展开了大量的研究与应用。然而，目前制备大面积高质量单晶WBG材料的工艺复杂且还未完全成熟，材料表面存在大量缺陷态，导致光电传感器响应时间较低。另一方面，制备大面积高质量单晶硅的工艺则已经非常成熟，半导体硅在可见光探测领域是最理想的材料之一，也是紫外光电传感的常用材料。但是目前市场上很少有集成在一个基板上，同时能够探测气体和光的探测器，通常都是将分别探测气体和探测光电的探测器进行组合而进行检测气体和光，这样导致了探测器的集成度不高，使用成本增加的问题。
技术实现思路
本...
【技术保护点】
一种光和气体复合探测器，其特征在于，包含：α‑氧化铝基板；所述α‑氧化铝基板分为三部分：第一部分、第二部分和第三部分，并按顺序依次排列，其中所述第一部分中具有梯形凹槽，梯形凹槽的开口上形成有多孔氧化锡层，架设在凹槽上方，并且延伸至第二部分；所述第二部分上形成有第一金属层，所述第一金属层同时覆盖延伸至第二部分的多孔氧化锡层，所述金属层上形成有硫化镉层，所述硫化镉层上还形成有铜铟镓硒硫层，所述铜铟镓硒硫层上形成有透明导电氧化物层；所述第三部分上形成有选择电路，所述选择电路包括至少三个电极，其中一个电极连接至所述金属层，第二个电极连接至所述透明导电氧化物层，第三个电极所述多孔氧化...
【技术特征摘要】
1.一种光和气体复合探测器，其特征在于，包含：α-氧化铝基板；所述α-氧化铝基板分为三部分：第一部分、第二部分和第三部分，并按顺序依次排列，其中所述第一部分中具有梯形凹槽，梯形凹槽的开口上形成有多孔氧化锡层，架设在凹槽上方，并且延伸至第二部分；所述第二部分上形成有第一金属层，所述第一金属层同时覆盖延伸至第二部分的多孔氧化锡层，所述金属层上形成有硫化镉层，所述硫化镉层上还形成有铜铟镓硒硫层，所述铜铟镓硒硫层上形成有透明导电氧化物层；所述第三部分上形成有选择电路，所述选择电路包括至少三个电极，其中一个电极连接至所述金属层，第二个电极连接至所述透明导电氧化物层，第三个电极所述多孔氧化锡层的未延伸至第二部分的一侧；所述多孔氧化锡层为多层结构，所述多层结构中每层的孔结构的孔隙从下至上逐渐变大。2.如权利要求1所述的光和气体复合探测器，其特征在于，所述多层结构层数为三层，最上层的孔隙范围是200-300微米。3.如...
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