VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS制造方法及图纸

本发明专利技术涉及高压电器领域，特别是涉及到了一种VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS。VFTO抑制装置包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。本发明专利技术的VFTO抑制装置通过在磁环外部设置绝缘外壳的方式，杜绝了磁环铁氧体材料掉渣、掉块以及碰损（掉块、断裂等）的问题的出现，从而可实际应用于GIS中，结构简单，无动作部件，从而可简化GIS隔离开关的结构，降低GIS成本。

【技术实现步骤摘要】
VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS
本专利技术涉及高压电器领域，特别是涉及到了一种VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS。
技术介绍
气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）中，隔离开关开合空载短母线时，会产生特快速瞬态过电压（VFTO），对GIS及其连接的绕组设备绝缘产生影响；同时，会产生瞬态壳体电位升（TEV）及电磁骚扰，对GIS临近二次设备绝缘产生威胁，干扰其正常运行，并威胁工作人员安全。在低压场合，上述不利影响尚不明显，但是随着系统电压等级的提高，VFTO、TEV和电磁骚扰越来越严重，影响也越来越大。GIS隔离开关通过加装阻尼电阻来抑制VFTO是非常有效的，但阻尼电阻需要和隔离开关主断口并联，使得隔离开关结构复杂，并导致GIS隔离开关在壳体直径和高度方面都比较大，占用大量空间，GIS隔离开关一般都设计为立式，使得成本和造价增大很多，而且也降低了GIS设备布置的灵活性，造成建设用地增加，设备检修不方便。高频磁环法是解决超/特高压GIS中的VFTO问题的一个非常可行而又经济方法，如果能够实际应用，其将大大降低特高压GIS隔离开关的设计复杂程度，减小其体积，降低成本。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
VFTO抑制装置，其特征在于，包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。

【技术特征摘要】
1.VFTO抑制装置，其特征在于，包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。2.根据权利要求1所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述绝缘外壳灌封在磁环外部。3.根据权利要求2所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。4.根据权利要求1-3任一项所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的相互独立的空腔中。5.阻尼母线单元，包括筒体、触座和通过绝缘支撑安装在筒体中的导电杆，其特征在于，所述导电杆上套有至少一个VFTO抑制装置，所述VFTO抑制装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴涛，金光耀，柏长宇，郭煜敬，李丽娜，王志刚，叶三排，杜丽平，
申请(专利权)人：平高集团有限公司，国家电网公司，国网山东省电力公司检修公司，
类型：发明
国别省市：河南,41