The invention discloses a silicon wafer cleaning device, the annular frame is provided with a conveying track, the conveying track is provided with a plurality of silicon wafer conveying bracket, the conveying track includes conveying straight, conveying and straight connecting conveying inclined channel and a annular frame at both ends of the transmission channel, is provided with a cleaning chamber and the drying chamber at straight line circular frame, the cleaning chamber is provided with a plurality of inclined subsidence troughs, inclined to sink cleaning tank are respectively provided with a groove in the inclined conveying band; cleaning the room at the top, at the top position of the inclined conveyor band is provided with a plurality of lifting sprinkler pipes in a circular ring at the end of the frame is provided with a plurality of end ring tilt sink cleaning tank, a tilt sink cleaning tank and a plurality of ring end inclined bottom cleaning sinking shafts are equipped with ultrasonic cleaning structure and heating structure; more effective and more thoroughly into the The utility model has the advantages of high cleaning efficiency, high cleaning efficiency, time saving and labor saving and high cleaning quality.
【技术实现步骤摘要】
单晶硅片清洗装置
本专利技术涉及一种单晶硅片生产装置,尤其是涉及一种使用在单晶硅片生产流程中的单晶片清洗装置。
技术介绍
单晶硅片生产过程中必须经过清洗,避免因污染导致器件失效现象发生。清洗的目的在于清除表面有机物或无机物污染杂质。而目前多数厂家在对单晶硅片进行清洗处理时,要么是容易存在着单晶硅片表面残污花片等现象,要么是所使用的清洗装置在清洗流程处理中存在着清洗装置设计合理性较差,清洗效率低,清洗费时费力,清洗质量效果较差等现象。
技术实现思路
本专利技术为解决现有单晶硅片在使用清洗装置进行清洗处理时,存在着单晶硅片表面残污花片等现象,要么是所使用的清洗装置在清洗流程处理中存在着清洗装置设计合理性较差,清洗效率低,清洗费时费力,清洗质量效果较差等现状而提供的一种可更有效更彻底的进行清洗去除单晶硅片表面残污及花片现象,清洗效率高,清洗更加省时省力,提高清洗质量,清洗装置设计更加合理的单晶硅片清洗装置。本专利技术为解决上述技术问题所采用的具体技术方案为:一种单晶硅片清洗装置,包括清洗槽,其特征在于:还包括环状清洗机架,环状清洗机架上设有输送轨道,输送轨道上设有多个单晶硅片输送托架,输送轨道包括输送直道、与输送直道相连接的输送斜波道以及环状机架两端的环形输送道,在环状清洗机架的直线段设有清洗室,环状清洗机架的在另一直线段处设有干燥室,清洗室内设有多个倾斜下沉清洗槽,输送轨道输送经过清洗室,倾斜下沉清洗槽内的槽内输送轨道具有槽内输送直道和槽内输送斜波段,倾斜下沉清洗槽两端均设有槽内输送斜波段,槽内输送斜波段高端头与上输送直道相连接,相邻倾斜下沉清洗槽相互间由上输送直 ...
【技术保护点】
一种单晶硅片清洗装置,包括清洗槽,其特征在于:还包括环状清洗机架,环状清洗机架上设有输送轨道,输送轨道上设有多个单晶硅片输送托架,输送轨道包括输送直道、与输送直道相连接的输送斜波道以及环状机架两端的环形输送道,在环状清洗机架的直线段设有清洗室,环状清洗机架的在另一直线段处设有干燥室,清洗室内设有多个倾斜下沉清洗槽,输送轨道输送经过清洗室,倾斜下沉清洗槽内的槽内输送轨道具有槽内输送直道和槽内输送斜波段,倾斜下沉清洗槽两端均设有槽内输送斜波段,槽内输送斜波段高端头与上输送直道相连接,相邻倾斜下沉清洗槽相互间由上输送直道相输送连接;清洗室顶部设有多个上喷淋管,多个上喷淋管在清洗室内的高度采用可升降调节的结构方式,多个上喷淋管分别设置在内输送斜波段上方位置处,多个倾斜下沉清洗槽内底部均设有超声波清洗结构和加热结构;在环状清洗机架的一个环状端处设有多个环端倾斜下沉清洗槽,多个环端倾斜下沉清洗槽内底部均设有超声波清洗结构和加热结构。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片清洗装置,包括清洗槽,其特征在于:还包括环状清洗机架,环状清洗机架上设有输送轨道,输送轨道上设有多个单晶硅片输送托架,输送轨道包括输送直道、与输送直道相连接的输送斜波道以及环状机架两端的环形输送道,在环状清洗机架的直线段设有清洗室,环状清洗机架的在另一直线段处设有干燥室,清洗室内设有多个倾斜下沉清洗槽,输送轨道输送经过清洗室,倾斜下沉清洗槽内的槽内输送轨道具有槽内输送直道和槽内输送斜波段,倾斜下沉清洗槽两端均设有槽内输送斜波段,槽内输送斜波段高端头与上输送直道相连接,相邻倾斜下沉清洗槽相互间由上输送直道相输送连接;清洗室顶部设有多个上喷淋管,多个上喷淋管在清洗室内的高度采用可升降调节的结构方式,多个上喷淋管分别设置在内输送斜波段上方位置处,多个倾斜下沉清洗槽内底部均设有超声波清洗结构和加热结构;在环状清洗机架的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹建鸿,
申请(专利权)人:杭州泰扶新能源有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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