一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路制造技术

一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路。电压自适应电路包括依次串联的全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1。光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1。保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流检测电路、指示灯LA2和整流二极管D1。本实用通过半导体元件—MOS管与温度检测电路和过流检测电路的配合，在电磁阀线圈出现短路或过流时，能够实现快速响应、自动控制，有效保护器件本体，延长使用寿命；且兼容性和通用性高，在DC24V以内的电器回路中，可替代常开继电器。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路
本技术涉及电子控制
，尤其涉及一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路。
技术介绍
电器装备制造中，通常利用低压电器对电气信号的隔离、扩流等作用，实现对电路或非电对象的切换、控制、保护、检测等作用。其中，电磁阀由于其成本低、工作效率高、拆装方便、维修简单等特点，近年来发展较快，并与控制技术、计算机技术、电子技术相结合，进行多种复杂控制，成为目前成套电气设备的基本组成元件。复杂工况下，由于控制介质对电磁阀动作的影响以及电磁阀频繁的启停动作，易导致负载出现短路或过流。传统的电磁阀动作电路由于采用机械式继电器或固态继电器，动作响应时间较长，无法实现快速隔离，因而不能有效保护器件本体，进而导致设备故障，影响正常生产。
技术实现思路
本技术提供一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，以解决上述现有技术不足。通过半导体元件—MOS管与温度检测电路和过流检测电路的配合，在电磁阀线圈出现短路或过流时，能够实现快速响应、自动控制，有效保护器件本体，且可延长使用寿命。为了实现本技术的目的，拟采用以下技术：一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，包括依次串联的电压自本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路；所述电压自适应电路包括全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1，所述三极管V1的集电极C与所述全桥整流器BR1的正极相连，所述三极管V1的基级B与所述基准源U1的K端相连，所述基准源U1的A端与所述全桥整流器BR1的负极相连，所述基准源U1的R端分别与电阻R2和电阻R3相连；所述光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1，所述指示灯LA1的输入端与所述三极管V1的发射极E相连，所述指示灯LA1的输出端与所述基准源U1的A端相连；所述保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流...

【技术特征摘要】
1.一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路；所述电压自适应电路包括全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1，所述三极管V1的集电极C与所述全桥整流器BR1的正极相连，所述三极管V1的基级B与所述基准源U1的K端相连，所述基准源U1的A端与所述全桥整流器BR1的负极相连，所述基准源U1的R端分别与电阻R2和电阻R3相连；所述光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1，所述指示灯LA1的输入端与所述三极管V1的发射极E相连，所述指示灯LA1的输出端与所述基准源U1的A端相连；所述保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流检测电路、指示灯LA2和整流二极管D1，所述温度检测电路和所述电流检测电路并联后，输入端与所述光电耦合器P1的输出端3相连，输出端与所述MOS管V2的栅极G相连，所述指示灯LA2和所述整流二极管D1并联于输出接口VCC和输出接口D间，所述MOS管V2的漏极D分别与所述指示灯LA2和所述整流二极管D1组成的并联电路和所述输出接口D相连，所述MOS管V2的源极S与接地接口GND相连。2.根据权利要求1所述的一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，所述三极管V1的基级B输入端连有与所述全桥整流器BR1的正极相连的电阻R1。3.根据权利要求1所述的一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张果，蓝峰，王洪军，许斌，
申请(专利权)人：成都东方仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51