一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路制造技术

一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路。电压自适应电路包括依次串联的全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1。光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1。保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流检测电路、指示灯LA2和整流二极管D1。本实用通过半导体元件—MOS管与温度检测电路和过流检测电路的配合，在电磁阀线圈出现短路或过流时，能够实现快速响应、自动控制，有效保护器件本体，延长使用寿命；且兼容性和通用性高，在DC24V以内的电器回路中，可替代常开继电器。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路
本技术涉及电子控制
，尤其涉及一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路。
技术介绍
电器装备制造中，通常利用低压电器对电气信号的隔离、扩流等作用，实现对电路或非电对象的切换、控制、保护、检测等作用。其中，电磁阀由于其成本低、工作效率高、拆装方便、维修简单等特点，近年来发展较快，并与控制技术、计算机技术、电子技术相结合，进行多种复杂控制，成为目前成套电气设备的基本组成元件。复杂工况下，由于控制介质对电磁阀动作的影响以及电磁阀频繁的启停动作，易导致负载出现短路或过流。传统的电磁阀动作电路由于采用机械式继电器或固态继电器，动作响应时间较长，无法实现快速隔离，因而不能有效保护器件本体，进而导致设备故障，影响正常生产。
技术实现思路
本技术提供一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，以解决上述现有技术不足。通过半导体元件—MOS管与温度检测电路和过流检测电路的配合，在电磁阀线圈出现短路或过流时，能够实现快速响应、自动控制，有效保护器件本体，且可延长使用寿命。为了实现本技术的目的，拟采用以下技术：一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路；所述电压自适应电路包括全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1，所述三极管V1的集电极C与所述全桥整流器BR1的正极相连，所述三极管V1的基级B与所述基准源U1的K端相连，所述基准源U1的A端与所述全桥整流器BR1的负极相连，所述基准源U1的R端分别与电阻R2和电阻R3相连；所述光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1，所述指示灯LA1的输入端与所述三极管V1的发射极E相连，所述指示灯LA1的输出端与所述基准源U1的A端相连；所述保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流检测电路、指示灯LA2和整流二极管D1，所述温度检测电路和所述电流检测电路并联后，输入端与所述光电耦合器P1的输出端3相连，输出端与所述MOS管V2的栅极G相连，所述指示灯LA2和所述整流二极管D1并联于输出接口VCC和输出接口D间，所述MOS管V2的漏极D分别与所述指示灯LA2和所述整流二极管D1组成的并联电路和所述输出接口D相连，所述MOS管V2的源极S与接地接口GND相连。进一步，所述三极管V1的基级B输入端连有与所述全桥整流器BR1的正极相连的电阻R1。进一步，所述电阻R2和所述电阻R3串联，所述电阻R2-1端与所述三极管V1的发射极E相连，所述电阻R3-2端与所述基准源U1的A端相连。进一步，所述三极管V1并联有电容C1，所述电容C1输入端与所述三极管V1的发射极E相连，输出端与所述基准源U1的A端相连。进一步，所述光电耦合器P1输入端接电阻R4，输出端接串联的电阻R5和电阻R6。进一步，所述温度检测电路和所述电流检测电路组成的并联电路分别与所述电阻R6和稳压二极管Z1并联。进一步，所述温度检测电路、所述电流检测电路、所述电阻R6和所述稳压二极管Z1分别连入接地接口GND。进一步，所述全桥整流器BR1选用MB8S，所述三极管V1选用2N5551，所述基准源U1选用TL431。进一步，所述光电耦合器P1选用P521-1。进一步，所述整流二极管D1选用1N4007。本技术的有益效果是：1、本技术通过半导体元件—MOS管与温度检测电路和过流检测电路的配合，在电磁阀线圈出现短路或过流时，能够实现快速响应、自动控制，有效保护器件本体，且可延长使用寿命。2、本技术兼容9-24V交直流控制电平，且通用性高，在DC24V以内的电器回路中，可替代常开继电器。附图说明图1示出了本技术结构示意图。具体实施方式如图1所示，一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路。所述电压自适应电路用于兼容9-24V交/直流控制电平。所述保护开关电路利用半导体元件—MOS管V2与检测电路相配合，有利于缩短对负载短路或过流的响应时间，有效保护器件本体，且可延长使用寿命。所述光电隔离电路通过光电耦合器有效隔离所述电压自适应电路和所述保护开关电路。所述电压自适应电路包括全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1。所述三极管V1的集电极C与所述全桥整流器BR1的正极相连，所述三极管V1的基级B与所述基准源U1的K端相连，所述基准源U1的A端与所述全桥整流器BR1的负极相连。所述全桥整流器BR1用于兼容交/直流控制信号。所述基准源U1为可控精密稳压源，为所述三极管V1的基级B提供稳定的电压，使所述三极管V1保持饱和状态，从而实现较大电流的输出。所述光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1。所述指示灯LA1的输入端与所述三极管V1的发射极E相连，所述指示灯LA1的输出端与所述基准源U1的A端相连。所述三极管V1放大的电流流入所述指示灯LA1后，将所述指示灯LA1点亮，便于直观的判断所述电压自适应电路的工作状态。所述保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流检测电路、指示灯LA2和整流二极管D1。所述温度检测电路和所述电流检测电路用于检测所述保护开关电路中温度、电流情况，在短路或过流情况下，通过保护机制阻断通路。所述温度检测电路和所述电流检测电路并联后，输入端与所述光电耦合器P1的输出端3相连，输出端与所述MOS管V2的栅极G相连。所述MOS管V2根据所述温度检测电路和所述电流检测电路通断情况形成的电流差异，其栅极G调控DS的导通情况，从而实现所述保护开关电路的自动截止和恢复。所述指示灯LA2和所述整流二极管D1并联于输出接口VCC和输出接口D间。所述MOS管V2的漏极D分别与所述指示灯LA2和所述整流二极管D1组成的并联电路和所述输出接口D相连。通过所述指示灯LA2的点亮和熄灭状态，能够直观的判断出所述保护开关电路的工作状态。所述整流二极管D1用于在所述输出接口VCC和输出接口D处出现短路或过流情况时形成钳位电路，保护所述指示灯LA2。所述三极管V1的基级B输入端连有与所述全桥整流器BR1的正极相连的电阻R1(阻值5.1K)。所述电阻R1用于提高所述三极管V1的基级B对输入信号的兼容度，选用适当的阻值以为所述三极管V1的基级B提供适当的基级电流，实现导通/放大功能。所述基准源U1的R端分别与电阻R2(阻值10K)和电阻R3(阻值10K)相连。所述电阻R2和所述电阻R3串联，所述电阻R2-1端与所述三极管V1的发射极E相连，所述电阻R3-2端与所述基准源U1的A端相连。通过所述电阻R2和所述电阻R3的配合，能够使所述基准源U1的输出电压精确设置在某一范围内的任意值。所述三极管V1并联有电容C1(10U)，所述电容C1输入端与所述三极管V1的发射极E相连，输出端与所述基准源U1的A端相连。所述电容C1用于线路滤波，有利于提高所述基准源U1的精度和抗干扰能力。所述光电耦合器P1输入端接电阻R4(阻值1K)，输出端接电阻R5(阻值5.1K)。所述电阻R4用于将所述自适应电路中传输的信号钳位在高电平，同时限制流入所述光电耦合器P1中的电流，以便提高所述光电耦合器P1的灵敏度和兼容性。所述电阻R5用于将所述光电耦合器P1产生的电信号钳位在低电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路；所述电压自适应电路包括全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1，所述三极管V1的集电极C与所述全桥整流器BR1的正极相连，所述三极管V1的基级B与所述基准源U1的K端相连，所述基准源U1的A端与所述全桥整流器BR1的负极相连，所述基准源U1的R端分别与电阻R2和电阻R3相连；所述光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1，所述指示灯LA1的输入端与所述三极管V1的发射极E相连，所述指示灯LA1的输出端与所述基准源U1的A端相连；所述保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流检测电路、指示灯LA2和整流二极管D1，所述温度检测电路和所述电流检测电路并联后，输入端与所述光电耦合器P1的输出端3相连，输出端与所述MOS管V2的栅极G相连，所述指示灯LA2和所述整流二极管D1并联于输出接口VCC和输出接口D间，所述MOS管V2的漏极D分别与所述指示灯LA2和所述整流二极管D1组成的并联电路和所述输出接口D相连，所述MOS管V2的源极S与接地接口GND相连。

【技术特征摘要】
1.一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，包括依次串联的电压自适应电路、光电隔离电路和保护开关电路；所述电压自适应电路包括全桥整流器BR1、三极管V1和基准源U1，所述三极管V1的集电极C与所述全桥整流器BR1的正极相连，所述三极管V1的基级B与所述基准源U1的K端相连，所述基准源U1的A端与所述全桥整流器BR1的负极相连，所述基准源U1的R端分别与电阻R2和电阻R3相连；所述光电隔离电路包括串联的指示灯LA1和光电耦合器P1，所述指示灯LA1的输入端与所述三极管V1的发射极E相连，所述指示灯LA1的输出端与所述基准源U1的A端相连；所述保护开关电路包括MOS管V2、温度检测电路、电流检测电路、指示灯LA2和整流二极管D1，所述温度检测电路和所述电流检测电路并联后，输入端与所述光电耦合器P1的输出端3相连，输出端与所述MOS管V2的栅极G相连，所述指示灯LA2和所述整流二极管D1并联于输出接口VCC和输出接口D间，所述MOS管V2的漏极D分别与所述指示灯LA2和所述整流二极管D1组成的并联电路和所述输出接口D相连，所述MOS管V2的源极S与接地接口GND相连。2.根据权利要求1所述的一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电路，其特征在于，所述三极管V1的基级B输入端连有与所述全桥整流器BR1的正极相连的电阻R1。3.根据权利要求1所述的一种电磁阀过温保护MOS开关隔离电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张果，蓝峰，王洪军，许斌，
申请(专利权)人：成都东方仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51