一种紫外光探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种紫外探测器及其制备方法。所述紫外探测器包括：Si

【技术实现步骤摘要】
一种紫外光探测器及其制备方法
本专利技术涉及一种紫外光探测器技术技术背景紫外探测技术是近50年来新发展起来的一项技术，在军事和民用等领域具有广泛而重要的应用，因而成为国内外研究开发的重点课题。对于军事方面，紫外探测器在紫外对抗与反对抗技术、紫外制导及预警系统、紫外保密通讯等领域发挥了重要应用；对于民事方面，紫外探测器可用于如火焰探测、刑事侦查、天文观测、医疗保健等日常生产、生活等众多领域。
技术实现思路
本专利技术的紫外探测器采用Si3N4材料作为衬底，氮化镓薄膜可在Si3N4衬底上实现低应变的准同质外延生长，从而具备更高的结晶质量，因此非常适合做各种环境下的紫外乃至深紫外探测器。本专利技术一种紫外光探测器克服了氮化镓原有衬底领域，在Si3N4上获得单晶氮化镓薄膜，以Si3N4作为氮化镓的衬底，它具有质量高，大尺寸，低成本等优点。氮化镓能外延在Si3N4上，便可能将氮化镓基的器件并入到硅基大规模集成电路之中。然而，这两种材料的晶体结构，晶格常数和膨胀系数存在较大的差异，所以要解决的的技术问题也比较困难。本专利技术的任务是这样完成的本专利技术提供了一种紫外探测器，包括：Si3N4衬底；布置在所述Si3N4衬底上的Al2O3过渡层；以及布置在所述Al2O3过渡层的GaN薄膜层。在实施方式中，本专利技术在Si3N4衬底上用沉积Al2O3过渡层的方法制备出氮化镓GaN薄膜。氮化镓薄膜可在Si3N4衬底上实现低应变的准同质外延生长，从而具备更高的结晶质量，因此非常适合做各种环境下的紫外乃至深紫外探测器。具体实施方式实施例1本专利技术提供了一种紫外探测器的制备方法，包括：1.在Si3N4衬底上沉积Al2O3过渡层；将Si3N4衬底用有机溶剂去脂在氢氟酸中腐蚀后，装入一射频加热的低压立式化学气相沉淀系统内，用三甲基铝和一氧化二氮作为原料，通过热分解反应沉淀的Al2O3薄膜。经洁净处理后得到Si3N4衬底和沉积Al2O3过渡层。2.在上述Al2O3过渡层上生长一层氮化镓GaN薄膜层：将实施方式1中得到的Al2O3过渡层，放入进一卧式低压金属有机物化学气相沉淀反应室中，衬底预先在1050°氢气下去气半小时后，然后降温至570°生长氮化镓缓冲层，再将温度升高到1050°生长氮化镓GaN薄膜。3.在上述得到的薄膜层刻蚀与制作金属电极：在制作该层之前必须先用丙酮或异丙醇IPA化学试剂对步骤2中的产物进行表面清洗，以得到干净平整的表面；然后用光学掩膜和显影技术的方法用光刻胶覆盖部分薄膜层；接着采用ICP刻蚀的方法刻蚀掉未经光刻胶覆盖部分的薄膜层。再次刻蚀完的样品用丙酮、异丙醇(IPA)和去离子水清洗干净；然后贴上掩膜并采用电子束蒸镀，在右薄膜层上镀上金属电极的负极，在左薄膜层上镀上金属电极的负极。4.结合实施例1中的1-3从而得到所述的一种紫外光探测器。实施例2本实施例均与实施例1相同。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外光探测器括：Si

【技术特征摘要】
1.一种紫外光探测器括：Si3N4衬底，布置在所述Si3N4衬底上的Al2O3过渡层，以及布置在所述Al2O3过渡层的GaN薄膜层。2.根据权利要求1所述的一种紫外光探测器，其中，所述在实施方式中，本发明在Si3N4衬底上用沉积Al2O3过渡层的方法制备出氮化镓GaN薄膜。3.根据权利要求1所述的一种紫外光探测器，其中，所述在Si3N4衬底上沉积Al2O3过渡层。4.根据权利要求1所述的一种紫外光探测器，其中，在上述Al2O3过渡层上生长一层氮化镓GaN薄膜层。5.根据权利要求1所述的一种紫外光探测器，其特征在于：将Si3N4衬底用有机溶剂去脂在氢氟酸中腐蚀后，装入一射频加热的低压立式化学气相沉淀系统内，用三甲基铝和一氧化二氮作为原料，通过热分解反应沉淀的Al2O3薄膜。经洁净处理后得到Si3N...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘芊芊，王宝，周润增，
申请(专利权)人：上海桐钰电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31