适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，包括：一高压供电电路本体，其单向导通并连接一外围电路，用于提供一供电电压给外围电路的一供电电容充电；一迟滞调整模块，其输入端连接外围电路以采样输入电压，迟滞调整模块的输出端连接高压供电电路本体；迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号，高压电路本体根据迟滞阈值调整信号调节供电电压的放电门槛值。本实用新型专利技术的一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，能够自适应地调整供电电压的放电门槛值，在高压位于高位时停止对供电电容的充电，从而降低供电电路自身的损耗；同时通过MOS管串联的方式，较传统的二极管串联方式更为可靠。

【技术实现步骤摘要】
适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路
本技术涉及高压供电电路领域，尤其涉及一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路。
技术介绍
效率是开关电源的关键性能指标之一，而减小高压供电电路自身的损耗是提高效率的重要措施，但现有的高压供电电路普遍存在损耗较大的问题。现有的高压供电电路直接与经整流后的交流输入电压相连，输出供电电流到LED芯片的供电电容。由于较高的交流输入电压和较大的供电电流导致高压供电电路本身的损耗较大。另外，在高压供电电路中，当AC输入电压下降到供电电压以下时，为了防止供电电容向AC输入端反灌电流，往往采用二极管串联方式实现单向导通。但由于供电电流较大，要求串联的二极管导通面积需足够大，同时也加大了该二极管的反向漏电流和寄生三极管的影响，降低电路的可靠性。请参见图1，一种现有的LED驱动芯片的高压供电电路，其高压供电电路本体1’连接一外围电路4’。其中，高压供电电路本体1’包括相连的一高压结型场效应晶体管JFET’、一第一MOS管M0’、一二极管D1、一上拉电阻R0’、一第二MOS管M1’和一迟滞比较器11’；外围电路4’包括：一交流电源AC’、一整流桥41’、一输入电容Cin’和一供电电容Cvcc’。其中，AC输入电压经整流桥41’后输出高压HV’加在高压结型场效应晶体管JFET’的漏端，高压结型场效应晶体管JFET’的栅极接地，其源端通过第一MOS管M0’、二极管D1给供电电容Cvcc’充电。迟滞比较器11’通过供电电压vcc’与内部参考电压vref’比较输出控制信号psdis’。控制信号psdis’驱动第二MOS管M1’实现对第一MOS管M0’的通断控制。其中二极管D1确保电流只能单向导通。可见其具有较高的交流输入电压和较大的供电电流vcc’，将导致高压供电电路本身1’的损耗较大。同时，该电路通过二极管D1串联方式实现单向导通，但由于供电电流较大，要求串联的二极管D1导通面积需足够大，同时也加大了该二极管D1的反向漏电流和寄生三极管的影响，降低电路的可靠性。其电路关键节点波形图可参见图2，当供电电压vcc’比内部参考电压vref’高出预设的比较器迟滞阈值(即达到供电电压vcc’的放电门槛值——内部参考电压vref’与比较器迟滞阈值之和)时，输出控制信号psdis'＝1，并关断第一MOS管M0’，供电电压vcc’开始放电下降；当供电电压vcc’低于内部参考电压vref’时，输出控制信号psdis’＝0，导通第一MOS管M0’，供电电压vcc’重新开始充电上升。可见，现有技术只能实时监测vcc’与vref’的差值，以判断是否需要充电，但不能判断当前输入电压的高低，如果在输入电压较高时仍给供电电容Cvcc’充电则会导致充电电路本身功耗较大。
技术实现思路
针对上述现有技术中的不足，本技术提供一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，能够自适应地调节对供电电容的充电过程，以在输入电压高时停止对供电电容充电，从而降低供电电路自身的损耗。为了实现上述目的，本技术提供一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，包括：一高压供电电路本体，所述高压供电电路本体单向导通并连接一外围电路，用于提供一供电电压给所述外围电路的一供电电容充电；其中，还包括：一迟滞调整模块，所述迟滞调整模块的输入端连接所述外围电路以采样输入电压，所述迟滞调整模块的输出端连接所述高压供电电路本体；所述迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号，所述高压电路本体根据所述迟滞阈值调整信号调节所述供电电压的放电门槛值。优选地，所述高压供电电路本体包括：一高压结型场效应晶体管，所述高压结型场效应晶体管的栅极和漏极连接所述外围电路；一第一MOS管，所述第一MOS管的漏极连接所述高压结型场效应晶体管的源极；一单向导通件，所述单向导通件的输入端连接于所述第一MOS管的源极，输出端连接于所述供电电容的上极板之间，所述供电电容的下极板接地；一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述高压结型场效应晶体管的源极和所述第一MOS管的栅极之间；一第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极接地；以及一迟滞比较器，所述迟滞比较器的正相输入端连接所述单向导通件的输出端，所述迟滞比较器的反相输入端连接一参考电压输入端，所述迟滞比较器的控制输入端连接所述迟滞调整模块的输出端，所述迟滞比较器的输出端连接所述第二MOS管的栅极。优选地，所述单向导通件采用一第三MOS管，所述第三MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极，所述第三MOS管的漏极连接所述供电电容的上极板和所述迟滞比较器的正相输入端，所述第三MOS管的栅极连接所述第一MOS管的栅极。优选地，所述迟滞调整模块包括：依次串联在所述迟滞调整模块的输入端与输出端之间的一第一开关、一第二开关和一峰值比较器，所述峰值比较器的正相输入端连接所述第二开关，所述峰值比较器的反相输入端接收一定值电压，所述峰值比较器的输出端连接所述迟滞比较器；还包括一第一反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第一开关，所述第一反相器的输出端连接所述第二开关；一第一调整电容，所述第一调整电容一端连接于所述第一开关和所述第二开关之间，所述第一调整电容另一端接地；以及一第二调整电容，所述第二调整电容一端连接于所述第二开关和所述峰值比较器之间，所述第二调整电容另一端接地。优选地，所述外围电路包括：一交流电源；一整流桥，所述整流桥的输入端连接所述交流电源的输出端，所述整流桥的输出端连接所述高压结型场效应晶体管的漏极；一输入电容，所述输入电容的上极板连接所述整流桥的输出端，所述输入电容的下极板接地并连接所述高压结型场效应晶体管的栅极；所述供电电容；一变压器，所述变压器的原边高端连接所述整流桥的输出端；一第四MOS管，所述第四MOS管的漏极连接所述变压器的原边低端，源极连接所述迟滞调整模块的输入端；一采样电阻，所述采样电阻一端连接于所述第四MOS管源极，所述采样电阻另一端接地；以及一输出电容，所述输出电容与所述变压器的副边并联；所述输出电容与一LED负载并联。优选地，所述外围电路还包括一输出二极管，所述输出二极管的正极连接所述变压器的副边高端；所述输出二极管的负极连接所述输出电容。优选地，还包括一开关信号产生电路，所述开关信号产生电路的输出端连接所述第四MOS管的栅极。优选地，所述迟滞比较器包括：一第一电流源，所述第一电流源的输入端连接一等电位端；一第五MOS管，所述第五MOS管的源极连接所述第一电流源的输出端，所述第五MOS管的栅极连接所述参考电压输入端；一第六MOS管，所述第六MOS管的源极连接所述第一电流源的输出端，所述第六MOS管的栅极连接所述第三MOS管的漏极；一第七MOS管，所述第七MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极，所述第七MOS管的源极接地；一第八MOS管，所述第八MOS管的漏极连接所述第六MOS管的漏极，所述第八MOS管的源极接地，所述第八MOS管的栅极连接所述第七MOS管的栅极；一第九MOS管，所述第九MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极；一第十MOS管，所述第十MOS管的漏极连接所述第九MOS管的源极，所述第十MOS管的源极接地，所述第十MOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于包括：一高压供电电路本体，所述高压供电电路本体单向导通并连接一外围电路，用于提供一供电电压给所述外围电路的一供电电容充电；其特征在于，还包括：一迟滞调整模块，所述迟滞调整模块的输入端连接所述外围电路以采样输入电压，所述迟滞调整模块的输出端连接所述高压供电电路本体；所述迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号，所述高压电路本体根据所述迟滞阈值调整信号调节所述供电电压的放电门槛值。

【技术特征摘要】
1.一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于包括：一高压供电电路本体，所述高压供电电路本体单向导通并连接一外围电路，用于提供一供电电压给所述外围电路的一供电电容充电；其特征在于，还包括：一迟滞调整模块，所述迟滞调整模块的输入端连接所述外围电路以采样输入电压，所述迟滞调整模块的输出端连接所述高压供电电路本体；所述迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号，所述高压电路本体根据所述迟滞阈值调整信号调节所述供电电压的放电门槛值。2.根据权利要求1所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述高压供电电路本体包括：一高压结型场效应晶体管，所述高压结型场效应晶体管的栅极和漏极连接所述外围电路；一第一MOS管，所述第一MOS管的漏极连接所述高压结型场效应晶体管的源极；一单向导通件，所述单向导通件的输入端连接于所述第一MOS管的源极，输出端连接于所述供电电容的上极板，所述供电电容的下极板接地；一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述高压结型场效应晶体管的源极和所述第一MOS管的栅极之间；一第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极接地；以及一迟滞比较器，所述迟滞比较器的正相输入端连接所述单向导通件的输出端，所述迟滞比较器的反相输入端连接一参考电压输入端，所述迟滞比较器的控制输入端连接所述迟滞调整模块的输出端，所述迟滞比较器的输出端连接所述第二MOS管的栅极。3.根据权利要求2所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述单向导通件采用一第三MOS管，所述第三MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极，所述第三MOS管的漏极连接所述供电电容的上极板和所述迟滞比较器的正相输入端，所述第三MOS管的栅极连接所述第一MOS管的栅极。4.根据权利要求3所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述迟滞调整模块包括：依次串联在所述迟滞调整模块的输入端与输出端之间的一第一开关、一第二开关和一峰值比较器，所述峰值比较器的正相输入端连接所述第二开关，所述峰值比较器的反相输入端接收一定值电压，所述峰值比较器的输出端连接所述迟滞比较器；还包括一第一反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第一开关，所述第一反相器的输出端连接所述第二开关；一第一调整电容，所述第一调整电容一端连接于所述第一开关和所述第二开关之间，所述第一调整电容另一端接地；以及一第二调整电容，所述第二调整电容一端连接于所述第二开关和所述峰值比较器之间，所述第二调整电容另一端接地。5.根据权利要求4所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述外围电路包括：一交流电源；一整流桥，所述整流桥的输入端连接所述交流电源的输出端，所述整流桥的输出端连接所述高压结型场...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海灿瑞科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31