一种二维MoS2-PbS纳米颗粒复合材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明专利技术方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。

A two-dimensional MoS

The invention discloses a two-dimensional MoS

【技术实现步骤摘要】
一种二维MoS2-PbS纳米颗粒复合材料的制备方法
本专利技术属于光电半导体
，具体涉及一种二维MoS2-PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。
技术介绍
半导体纳米材料具有高度的光敏性，且其带隙值可调，可探测从紫外-可见到红外部分的光，是光电器件的重要材料。但纳米颗粒材料的载流子迁移率很低，在10−3–10−1cm2V−1s−1之间，使得其光电导增益局限在10-103。而单原子层厚度的二维材料，比如石墨烯和过渡金属硫族化合物（TMDCs），在平面内具有很高的载流子迁移率，而且单原子层的结构能使暗电流降低。因此将纳米颗粒和二维材料结合是得到高光敏性和高载流子迁移率光电材料的一个有效途径。PbS为p型半导体，由于它的带隙较窄（0.41eV），红外吸收能力较优，而且玻尔半径较大（18nm），可以较容易的制备出具有量子效应的PbS纳米颗粒，是目前应用最广的红外光电材料。MoS2为n型半导体，属于六方晶系且具有二维层状结构。随着层数减小，其带隙值增大，当层数为单层时，带隙值大约为1.8eV，从间接带隙变为直接带隙，能吸收紫外和可见光，其载流子迁移率达到200cm2V-1S-1左右。根据文献本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二维MoS

【技术特征摘要】
1.一种二维MoS2-PbS纳米颗粒复合材料的制备方法，其特征在于其具体步骤为：(1)将块体MoS2粉末分散到DMF中，经过超声剥离，将所得分散液静置后，取出占分散液总体积1/3的上部液体，对取出的液体进行水浴强力搅拌，然后再离心，将所得的沉积物分散到DMF中，制得MoS2纳米片溶胶；(2)将摩尔比为1:1的Pb(NO3)2和CH4N...

【专利技术属性】
技术研发人员：利明，袁小亲，阮浩然，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45