烤架及其喷涂方法及微波炉技术

本发明专利技术公开了一种烤架及其喷涂方法及微波炉，所述烤架包括本体及包覆所述本体的涂层，所述涂层包括纳米级的多个二氧化硅颗粒。在本发明专利技术实施方式的烤架中，由于涂层包覆本体，并且涂层包括多个纳米级的二氧化硅颗粒，这样可有效降低烤架的热传递速率，从而使得烤架具有较好的隔热效果，从而可有效避免烤架上的食物因过热而导致焦化。

Grill and its spraying method and microwave oven

The invention discloses a grill and a spraying method and a microwave oven thereof, wherein the grill comprises a body and a coating covering the main body, wherein the coating comprises a plurality of silica particles at nanometer level. In the embodiment of the invention of the grill, the coating body, and the coating layer comprises a plurality of nano silica particles, which can effectively reduce the grill heat transfer rate, so that the grill has good heat insulation effect, it can effectively avoid the food on the grill caused by the overheat coking.

【技术实现步骤摘要】
烤架及其喷涂方法及微波炉
本专利技术涉及家用电器领域，尤其是涉及一种烤架及其喷涂方法及微波炉。
技术介绍
在相关技术中，微波炉用的烤架隔热效果较差，容易过热而引发烤架上的食物起火而导致食物焦化，上述情况还会导致微波炉出现安全隐患。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术需要提供一种烤架及其喷涂方法及微波炉。本专利技术实施方式的烤架用于微波炉，所述烤架包括本体及包覆所述本体的涂层，所述涂层包括纳米级的多个二氧化硅颗粒。在本专利技术实施方式的烤架中，由于涂层包覆本体，并且涂层包括多个纳米级的二氧化硅颗粒，这样可有效降低烤架的热传递速率，从而使得烤架具有较好的隔热效果，从而可有效避免烤架上的食物因过热而导致焦化。在一个实施方式中，所述涂层包括纳米级的半导体氧化物颗粒。在一个实施方式中，所述涂层包括第一涂层及第二涂层，所述第一涂层及所述第二涂层依次包覆所述本体，所述第一涂层隔开所述第二涂层及所述本体，所述多个二氧化硅颗粒包括第一二氧化硅颗粒及第二二氧化硅颗粒，所述第一涂层包括所述第一二氧化硅颗粒，所述第二涂层包括所述第二二氧化硅颗粒。在一个实施方式中，所述第一涂层的厚度的范围为20μm～25μm，所述第二涂层的厚度的范围为8μm～10μm。在一个实施方式中，所述第一涂层由第一涂料试剂喷涂在所述本体的外表面上而形成，所述第一涂料试剂包括第一硅溶胶、第一硅烷及第一助剂，所述第二涂层由第二涂料试剂喷涂在所述第一涂层的外表面上而形成，所述第二涂料试剂包括第二硅溶胶、第二硅烷及第二助剂，所述第一硅溶胶包括所述第一二氧化硅颗粒，所述第二硅溶胶包括所述第二二氧化硅颗粒，所述第一助剂及所述第二助剂由流平剂、消泡剂、杀菌剂、增稠剂、分散剂、pH调节剂、消光剂、分散剂中的一种或多种构成。在一个实施方式中，所述第一硅溶胶占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为30％～50％，所述第一硅烷占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为20％～50％，所述第一助剂占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为0％～40％，所述第一硅溶胶与所述第一硅烷的质量总和占所述第一涂料试剂的质量百分数大于或等于60％。在一个实施方式中，所述第一硅溶胶占所述第一涂料试剂的质量百分数为33％，所述第一硅烷占所述第一涂料试剂的质量百分数为27％，所述第一助剂占所述第一涂料试剂的质量百分数为40％。在一个实施方式中，所述第二硅溶胶占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为40％～55％，所述第二硅烷占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为35％～45％，所述第二助剂占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为0％～20％，所述第二硅溶胶与所述第二硅烷的质量总和占所述第二涂料试剂的质量百分数大于或等于80％。在一个实施方式中，所述第二硅溶胶占所述第二涂料试剂的质量百分数为49.5％，所述第二硅烷占所述第二涂料试剂的质量百分数为40.5％，所述第二助剂占所述第二涂料试剂的质量百分数为10％。在一个实施方式中，所述多个二氧化硅颗粒形成有纳米级的至少一层二氧化硅层。在一个实施方式中，所述涂层包括第一涂层及第二涂层，所述第一涂层及所述第二涂层依次包覆所述本体，所述第一涂层隔开所述第二涂层及所述本体，所述至少一层二氧化硅层包括第一二氧化硅层及第二二氧化硅层，所述第一涂层包括所述第一二氧化硅层，所述第二涂层包括所述第二二氧化硅层。在一个实施方式中，所述本体包括闭合的框体及网格层，所述框体围绕所述网格层，所述框体与所述网格层固定连接，所述网格层包括多个第一支撑条及与所述多个第一支撑条交叉的多个第二支撑条，所述多个第一支撑条沿所述框体的长度方向间隔分布，所述多个第二支撑条沿所述框体的宽度方向间隔分布，相邻的两个所述第一支撑条之间的间距大于或等于40mm，相邻的两个所述第二支撑条之间的间距大于或等于40mm。在一个实施方式中，相邻的两个所述第一支撑条之间的间距等于65mm，相邻的两个所述第二支撑条之间的间距等于100mm。本专利技术实施方式的烤架的喷涂方法包括：步骤一：将第一硅溶胶及第一硅烷混合并进行滚动熟化，并将第一助剂进行滚动熟化，然后将滚动熟化后的所述第一硅溶胶及所述第一硅烷与所述第一助剂混合并进行搅拌以形成第一涂料试剂，所述第一硅溶胶包括纳米级的第一二氧化硅颗粒；步骤二：将第二硅溶胶及第二硅烷混合并进行滚动熟化，并将第二助剂进行滚动熟化，然后将滚动熟化后的所述第二硅溶胶及所述第二硅烷与所述第二助剂混合并进行搅拌以形成第二涂料试剂，所述第二硅溶胶包括纳米级的第二二氧化硅颗粒；步骤三：将烤架的本体进行喷砂处理，并对喷砂处理后的所述烤架的本体进行清洗；步骤四：将经由所述步骤三处理后的所述烤架的本体进行预热，再将所述第一涂料试剂喷涂在所述烤架的本体的表面上以形成完全覆盖所述烤架的本体的第一预涂层，然后对所述第一预涂层进行预干燥；步骤五：在经由所述步骤四处理后的所述烤架的本体的温度大于或等于在所述步骤四中对所述烤架的本体进行预热时的温度时，再将所述第二涂料试剂喷涂在所述第一预涂层的表面上以形成完全覆盖所述第一预涂层的第二预涂层，然后对所述第二预涂层进行预干燥；步骤六：将所述第一预涂层及所述第二预涂层进行烧结以分别形成第一涂层及第二涂层。在本专利技术实施方式的烤架的喷涂方法中，由于涂层包覆本体，并且涂层包括多个纳米级的二氧化硅颗粒，这样可有效降低烤架的热传递速率，从而使得烤架具有较好的隔热效果，从而可有效避免烤架上的食物因过热而导致焦化。在一个实施方式中，在所述步骤六中，将所述第一预涂层及所述第二预涂层进行烧结的烧结温度的范围在270℃～300℃。在一个实施方式中，所述烧结温度为280℃，在所述烧结温度恒温烧结的时间的范围在10min～20min。本专利技术实施方式的微波炉包括上述任一实施方式所述的烤架。在本专利技术实施方式的微波炉中，由于涂层包覆本体，并且涂层包括多个纳米级的二氧化硅颗粒，这样可有效降低烤架的热传递速率，从而使得烤架具有较好的隔热效果，从而可有效避免烤架上的食物因过热而导致焦化。本专利技术实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本专利技术实施方式的烤架的平面示意图。图2是本专利技术实施方式的烤架的本体与涂层的剖面示意图。图3是本专利技术实施方式的烤架的本体与涂层的另一剖面示意图。图4是本专利技术实施方式的烤架的涂层的温度变化曲线示意图。主要元件符号说明：烤架10；本体11、框体111、网格层112、第一支撑条113、第二支撑条114、本体11a、涂层12、涂层12a、第一涂层121、第二涂层122、二氧化硅层123a、第一二氧化硅层1231a、第二二氧化硅层1232a。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烤架，用于微波炉，其特征在于，所述烤架包括本体及包覆所述本体的涂层，所述涂层包括纳米级的多个二氧化硅颗粒。

【技术特征摘要】
1.一种烤架，用于微波炉，其特征在于，所述烤架包括本体及包覆所述本体的涂层，所述涂层包括纳米级的多个二氧化硅颗粒。2.如权利要求1所述的烤架，其特征在于，所述涂层包括纳米级的半导体氧化物颗粒。3.如权利要求1所述的烤架，其特征在于，所述涂层包括第一涂层及第二涂层，所述第一涂层及所述第二涂层依次包覆所述本体，所述第一涂层隔开所述第二涂层及所述本体；所述多个二氧化硅颗粒包括第一二氧化硅颗粒及第二二氧化硅颗粒，所述第一涂层包括所述第一二氧化硅颗粒，所述第二涂层包括所述第二二氧化硅颗粒。4.如权利要求3所述的烤架，其特征在于，所述第一涂层的厚度的范围为20μm～25μm，所述第二涂层的厚度的范围为8μm～10μm。5.如权利要求3所述的烤架，其特征在于，所述第一涂层由第一涂料试剂喷涂在所述本体的外表面上而形成，所述第一涂料试剂包括第一硅溶胶、第一硅烷及第一助剂，所述第二涂层由第二涂料试剂喷涂在所述第一涂层的外表面上而形成，所述第二涂料试剂包括第二硅溶胶、第二硅烷及第二助剂；所述第一硅溶胶包括所述第一二氧化硅颗粒，所述第二硅溶胶包括所述第二二氧化硅颗粒；所述第一助剂及所述第二助剂由流平剂、消泡剂、杀菌剂、增稠剂、分散剂、pH调节剂、消光剂、分散剂中的一种或多种构成。6.如权利要求5所述的烤架，其特征在于，所述第一硅溶胶占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为30％～50％，所述第一硅烷占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为20％～50％，所述第一助剂占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为0％～40％，所述第一硅溶胶与所述第一硅烷的质量总和占所述第一涂料试剂的质量百分数大于或等于60％。7.如权利要求6所述的烤架，其特征在于，所述第一硅溶胶占所述第一涂料试剂的质量百分数为33％，所述第一硅烷占所述第一涂料试剂的质量百分数为27％，所述第一助剂占所述第一涂料试剂的质量百分数为40％。8.如权利要求5所述的烤架，其特征在于，所述第二硅溶胶占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为40％～55％，所述第二硅烷占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为35％～45％，所述第二助剂占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为0％～20％，所述第二硅溶胶与所述第二硅烷的质量总和占所述第二涂料试剂的质量百分数大于或等于80％。9.如权利要求8所述的烤架，其特征在于，所述第二硅溶胶占所述第二涂料试剂的质量百分数为49.5％，所述第二硅烷占所述第二涂料试剂的质量百分数为40.5％，所述第二助剂占所述第二涂料试剂的质量百分数为10％。10.如权利要求1所述的烤架，其特征在于，所述多个二氧化硅颗粒形成至少一层二氧化硅层。11.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩大成，安明波，张明，凌奇宏，
申请(专利权)人：广东美的厨房电器制造有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44