The invention relates to a high-speed microstrip line device, including laser and laser cathode microstrip line cathode microstrip line, microstrip line comprises a laser laser anode cathode microstrip line three District, two district and the cathode microstrip laser laser cathode microstrip line, right oblique below the three district is located in the cathode microstrip laser laser cathode microstrip line area, and connected by laser cathode microstrip line two, microstrip line comprises a laser laser anode cathode microstrip line three District, two district and microstrip line laser anode cathode laser microstrip line, left oblique below the three district is located in the cathode microstrip laser laser cathode microstrip line area, and connected by laser anode microstrip line two. The invention realizes the equivalent width of the microstrip line is about 230 microns, the impedance of about 49 ohms, the basic matching with 50 ohm input impedance of common optical module, reduce the reflection coefficient of the high speed signal and improve the signal transmission quality.
【技术实现步骤摘要】
一种高速微带线装置
本专利技术涉及通信
,特别是涉及一种高速微带线装置。
技术介绍
10G激光器同轴封装(TO)中热沉所用的材料是氮化铝(AlN),现有工艺所用热沉的厚度通常是0.22毫米,在0.22毫米厚的AlN材料表面上的金属微带线的等效线宽约为0.5毫米。可通过电磁学计算,对于0.22毫米厚的AlN材料,其表面上0.5毫米线宽的金属微带线的特征阻抗为30欧姆左右,而与其连接的普通光模块的输入阻抗为50欧姆,这两者的阻抗并不匹配,从而会引起一定的高速信号的反射。
技术实现思路
本专利技术提供一种高速微带线装置,用于解决10G激光器同轴封装(TO)中热沉用微带线的阻抗与普通光模块的阻抗不匹配以及信号反射系数高的问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种高速微带线装置,包括:激光器正极微带线和激光器负极微带线;所述激光器正极微带线包括激光器正极微带线一区、激光器正极微带线二区和激光器正极微带线三区;所述激光器正极微带线三区位于所述激光器正极微带线一区的右斜下方,并通过位于所述激光器正极微带线的正中间的所述激光器正极微带线二区连接;所述激光器正极微带线一区设有第一金丝键合区;所述激光器正极微带线三区设有第三金丝键合区;所述激光器负极微带线包括激光器负极微带线一区、激光器负极微带线二区和激光器负极微带线三区;所述激光器负极微带线三区位于所述激光器负极微带线一区的左斜下方,并通过位于所述激光器负极微带线的正中间的所述激光器负极微带线二区连接;所述激光器负极微带线一区设有第二金丝键合区。本专利技术的有益效果是:本专利技术通过对激光器正极微带线的几何结构 ...
【技术保护点】
一种高速微带线装置,其特征在于,包括:激光器正极微带线(1)和激光器负极微带线(2);所述激光器正极微带线(1)包括激光器正极微带线一区(11)、激光器正极微带线二区(12)和激光器正极微带线三区(13);所述激光器正极微带线三区(13)位于所述激光器正极微带线一区(11)的右斜下方,并通过位于所述激光器正极微带线(1)的正中间的所述激光器正极微带线二区(12)连接;所述激光器正极微带线一区(11)设有第一金丝键合区(3);所述激光器正极微带线三区(13)设有第三金丝键合区(5);所述激光器负极微带线(2)包括激光器负极微带线一区(21)、激光器负极微带线二区(22)和激光器负极微带线三区(23);所述激光器负极微带线三区(23)位于所述激光器负极微带线一区(21)的左斜下方,并通过位于所述激光器负极微带线(2)的正中间的所述激光器负极微带线二区(22)连接;所述激光器负极微带线一区(21)设有第二金丝键合区(4)。
【技术特征摘要】
1.一种高速微带线装置,其特征在于,包括:激光器正极微带线(1)和激光器负极微带线(2);所述激光器正极微带线(1)包括激光器正极微带线一区(11)、激光器正极微带线二区(12)和激光器正极微带线三区(13);所述激光器正极微带线三区(13)位于所述激光器正极微带线一区(11)的右斜下方,并通过位于所述激光器正极微带线(1)的正中间的所述激光器正极微带线二区(12)连接;所述激光器正极微带线一区(11)设有第一金丝键合区(3);所述激光器正极微带线三区(13)设有第三金丝键合区(5);所述激光器负极微带线(2)包括激光器负极微带线一区(21)、激光器负极微带线二区(22)和激光器负极微带线三区(23);所述激光器负极微带线三区(23)位于所述激光器负极微带线一区(21)的左斜下方,并通过位于所述激光器负极微带线(2)的正中间的所述激光器负极微带线二区(22)连接;所述激光器负极微带线一区(21)设有第二金丝键合区(4)。2.根据权利要求1所述的一种高速微带线装置,其特征在于,所述第一金丝键合区(3)和所述第二金丝键合区(4)的宽度大于400微米,所述激光器正极微带线二区(12)的等效线宽和所述激光器负极微带线二区(22)的等效线宽均为210~250微米,特征阻抗均为48...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴葵,张任,
申请(专利权)人:武汉市观达科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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