一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法技术

技术编号:15468903 阅读:194 留言:0更新日期:2017-06-02 09:41
本发明专利技术公开了一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,包括以下步骤:1)安装复合栽培装备;2)西瓜和砧木品种选择;3)嫁接育苗;4)定植;5)水肥管理;6)植株调整;7)采收;8)病虫害防治。本发明专利技术的有益效果为:本发明专利技术提供的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,充分利用了水培与基质培的优点,节水节肥的同时,可提高单位面积果菜产量50%以上,优质蔬菜商品率提高到90%以上,水肥利用效率提高40%以上,节省劳动力60%以上,且无废液产生。

Cultivation and planting method for water quality and matrix culture of high-quality watermelon in Sunlight Greenhouse

The invention discloses a hydroponic and soilless culture composite cultivation method for planting greenhouse watermelon quality, which comprises the following steps: 1) the installation of composite cultivation equipment; 2) and watermelon Rootstock Varieties Selection; 3) grafting; colonization; 4) 5) 6) plant water and fertilizer management; adjustment; recovery; 7) 8) pest control. The invention has the advantages that the water culture and medium culture compound cultivation method for planting greenhouse watermelon quality provided by the invention, make full use of the advantages of water culture and medium culture, water and fertilizer saving at the same time, can improve the yield per unit area and more than 50%, the high quality vegetable commodity rate increased to more than 90%, the utilization of water and fertilizer to improve the efficiency of more than 40%, labor saving more than 60%, and no waste.

【技术实现步骤摘要】
一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法
本专利技术涉及农业栽培种植
,具体涉及一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法。
技术介绍
在目前的设施果菜生产中,很多地区的推广单位引进了先进无土栽培生产国家的各种无土栽培技术和系统,如营养液膜系统、深液流系统、岩棉培、袋培、槽培等,但这些设备和技术大多为照搬照抄,设备成本居高不下,同时缺少配套的栽培管理技术,导致生产效益较低。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述现有技术中的缺陷,提供了一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法。为了实现上述目的,本专利技术提供的技术方案为:一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,包括以下步骤:1)安装复合栽培装备;2)西瓜和砧木品种选择;3)嫁接育苗;4)定植;5)水肥管理;6)植株调整;7)采收;8)病虫害防治。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤1)的复合栽培装备,包括有栽培槽、地膜、黑白防渗膜、栽培盆钵、基质袋、营养液池、水泵及其配套灌溉回流管路;营养液池容积为3m3,栽培槽和盖板选用高密度泡沫材料,栽培槽宽度90cm、长6.5m。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤2)中,西瓜选择优良西瓜品种,砧木选择根系发达,抗病性强的砧木品种。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤3)中,嫁接育苗是先进行温汤浸种,小西瓜种子比砧木种子晚处理一周;砧木种子,浸泡洗净后,晾至表面不打滑时进行嗑口处理,然后进行催芽,再将催芽后的砧木种子点播于32穴的穴盘中,西瓜种子点播于育苗盘中,覆土1.5cm~2cm,将播种后的育苗盘放在布置好的地热线上;当砧木第一片真叶展平,接穗子叶未展平时采用插接法进行西瓜嫁接;嫁接时将砧木生长点及真叶彻底摘除,起出接穗,再用同接穗茎粗相同的铁签,从砧木生长点一侧子叶基部向下对侧朝下斜插0.3cm~0.5cm,铁签尖端略微插破茎的表皮,接穗在子叶下0.8cm~1.0cm处45°下刀斜切,切口长O.6cm,切好接穗后立即拔出竹签,将接穗斜插,稍穿破茎的表皮,并使接穗的两片子叶同砧木的两片子叶成十字形后嫁接完成;同时边嫁接边浇水,浇透水后及时摆进育苗苗床,盖上两层塑料膜,待生长10d,嫁接苗完全成活后,逐渐通风直至撤掉拱棚顶部覆盖的塑料膜,及时抹除砧木生长点发出的侧芽,定植前7d~10d,对幼苗由高到低进行低温锻炼,最低温度不低于12℃。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤4)中,定植过程为:当西瓜幼苗4叶1心,嫁接口愈合完好,健壮无病,节间短粗,叶片浓绿,根系发达且嫁接苗龄为30d~35d时,将嫁接苗定植于底部设置有空隙的定植钵内,浸透水,放置在栽培槽盖板上预留的栽培孔内,定植钵底部与基质袋之间预留有0.5cm的空隙用于通气。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤5)中,水肥管理为:定植两周内,栽培槽内保持5-6cm高水位,根系扎进基质袋内前,从定植钵浇水1次,保证西瓜幼苗对水分需求;同时需根据温室内温度及基质袋含水量,适时进行水循环,夏季白天2h循环1次,晚上4-5h循环1次;冬季6h循环1次,基质袋的含水量控制在50-70%;西瓜缓苗期后,给予流量0.15m3/s与高度3-4㎝的营养液供应,EC值控制在2.0-3.0,在西瓜植株伸蔓期和果实生长期施肥3-4次。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤6)中,植株调整为:每株保留二个健壮茎蔓,一个作为结瓜蔓,一个作为辅养蔓,结瓜蔓达到50cm时,用吊蔓器或麻绳进行吊蔓,辅养蔓平铺于垄上;膨大期对主蔓摘心,摘除瓜前多余枝蔓;种植相同品种时采用熊蜂授粉,每667m2温室需授粉熊蜂40头~50头,授粉后,1株瓜秧同时座2~3个幼瓜,最终选留1个果形周正、生长迅速的幼瓜,幼瓜长至200g~300g时,用网丝袋套住幼瓜吊于上部铁丝。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤7)中,采收过程为:采用座瓜标记法鉴别成熟度,用多种颜色的毛线做座瓜标记,记载座果日期,依据气候、瓜龄,结合试样,确定成熟度后,按标记批次采摘;采摘时剪断果柄,轻拿轻放,并进行简单外包装。进一步的,上述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,所述步骤8)中,病虫害防治是以农业防治为基础,综合物理防治、生物防治和化学防治方式。本专利技术的有益效果为:本专利技术提供的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,充分利用了水培与基质培的优点,节水节肥的同时,可提高单位面积果菜产量50%以上,优质蔬菜商品率提高到90%以上,水肥利用效率提高40%以上,节省劳动力60%以上,且无废液产生。附图说明图1显示为水培与基质培复合栽培系统示意图。图2显示为作物定植后系统运行截面图。具体实施方式实施例1:一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,包括以下步骤:步骤一、栽培装备的安装:一种日光温室精品西瓜水培与基质培复合栽培设备,其主要包括栽培槽、地膜、黑白防渗膜、栽培盆钵、基质袋、营养液池、水泵及其配套灌溉回流管路(图1)。生产示范中,首先进行栽培槽与营养液池的设计,营养液池设计容积为3m3。其次,进行栽培槽、基质袋装填、盖板、定植钵的安装,栽培槽和盖板选用密度较高的泡沫材料;安装设备前平整温室地面,铺上地布,摆放栽培槽,槽宽度90cm(栽培两列西瓜宽度),长6.5m,铺上黑白防渗膜,再铺放基质袋两列,盖好盖板。最后进行给水系统、定时开关和回水装置的安装。具体安装情况见图1。步骤二、选用优良品种本地区温室种植精品西瓜多选择新疆生产建设兵团第六师农业科学研究所选育的新优42号等品种;砧木常选择郑州果树研究所育成的超丰抗生王,其根系发达,抗病性强。步骤三、嫁接育苗首先进行温汤浸种,小西瓜种子比砧木种子晚处理一周;砧木种子,浸泡洗净后,晾至表面不打滑时进行嗑口处理。然后进行催芽。然后将催芽后的砧木种子点播于32穴的穴盘中,西瓜种子点播于育苗盘中,覆土1.5cm~2cm,将播种后的育苗盘放在事先布置好的地热线上。当砧木第一片真叶展平,接穗子叶未展平时采用插接法进行西瓜嫁接。嫁接时将砧木生长点及真叶彻底摘除,起出接穗,再用同接穗茎粗相同的铁签,从砧木生长点一侧子叶基部向下对侧朝下斜插0.3cm~0.5cm,铁签尖端稍微插破茎的表皮。接穗在子叶下0.8cm~1.0cm处45°下刀斜切,切口长O.6cm,切好接穗后立即拔出竹签,将接穗斜插,稍穿破茎的表皮,并使接穗的两片子叶同砧木的两片子叶成十字形后嫁接完成。边嫁接边浇水,浇透水后及时摆进育苗苗床,盖上两层塑料膜。10d左右,嫁接苗完全成活后,逐渐通风直至撤掉拱棚顶部覆盖的塑料膜,及时抹除砧木生长点发出的侧芽。定植前7d~10d,对幼苗由高到低进行低温锻炼,最低温度不低于12℃。步骤四、定植当西瓜幼苗4叶1心,嫁接口愈合完好,健壮无病,节间短粗,叶片浓绿,根系发达,嫁接苗龄30d~35d。将其定植于底部多空隙的定植钵内,浸透水,放置在栽培槽盖板上预留本文档来自技高网...
一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法

【技术保护点】
一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,其特征在于,包括以下步骤:1)安装复合栽培装备;2)西瓜和砧木品种选择;3)嫁接育苗;4)定植;5)水肥管理;6)植株调整;7)采收;8)病虫害防治。

【技术特征摘要】
1.一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,其特征在于,包括以下步骤:1)安装复合栽培装备;2)西瓜和砧木品种选择;3)嫁接育苗;4)定植;5)水肥管理;6)植株调整;7)采收;8)病虫害防治。2.根据权利要求1所述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,其特征在于,所述步骤1)的复合栽培装备,包括有栽培槽、地膜、黑白防渗膜、栽培盆钵、基质袋、营养液池、水泵及其配套灌溉回流管路;营养液池容积为3m3,栽培槽和盖板选用高密度泡沫材料,栽培槽宽度90cm、长6.5m。3.根据权利要求1所述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,其特征在于,所述步骤2)中,西瓜选择优良西瓜品种,砧木选择根系发达,抗病性强的砧木品种。4.根据权利要求1所述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法,其特征在于,所述步骤3)中,嫁接育苗是先进行温汤浸种,小西瓜种子比砧木种子晚处理一周;砧木种子,浸泡洗净后,晾至表面不打滑时进行嗑口处理,然后进行催芽,再将催芽后的砧木种子点播于32穴的穴盘中,西瓜种子点播于育苗盘中,覆土1.5cm~2cm,将播种后的育苗盘放在布置好的地热线上;当砧木第一片真叶展平,接穗子叶未展平时采用插接法进行西瓜嫁接;嫁接时将砧木生长点及真叶彻底摘除,起出接穗,再用同接穗茎粗相同的铁签,从砧木生长点一侧子叶基部向下对侧朝下斜插0.3cm~0.5cm,铁签尖端略微插破茎的表皮,接穗在子叶下0.8cm~1.0cm处45°下刀斜切,切口长O.6cm,切好接穗后立即拔出竹签,将接穗斜插,稍穿破茎的表皮,并使接穗的两片子叶同砧木的两片子叶成十字形后嫁接完成;同时边嫁接边浇水,浇透水后及时摆进育苗苗床,盖上两层塑料膜,待生长10d,嫁接苗完全成活后,逐渐通风直至撤掉拱棚顶部覆盖的塑料膜,及时抹除砧木生长点发出的侧芽,定植前7d~10d,对幼苗由高到低进行低温锻炼,最低温度不低于12℃。5.根据权利要求1所述的一种日光温室精品西瓜的水培与基质培复合栽培种植方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:周进张爱萍王静静吴杨焕陈芳刘娜门雪杰
申请(专利权)人:新疆生产建设兵团第六师农业科学研究所
类型:发明
国别省市:新疆,65

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