一种电磁激光开关结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电磁激光开关结构，涉及半导体固体激光器领域，包括：光耦电路和控制光耦电路通断的电磁开关，所述电磁开关位于所述光耦电路的下方；其中光耦电路包括光耦发射端和光耦接收端，所述光耦发射端和所述光耦接收端之间有光耦光通道。采用上述技术方案，由于在光耦电路中直接设置有电磁铁，使得光耦电路的通断控制更精确，并且部件之间没有直接接触，使用寿命更长。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁激光开关结构
本技术涉及半导体固体激光器领域，特别涉及一种电磁激光开关结构。
技术介绍
固态紫外激光器广泛应用于FPC(FlexiblePrintedCircuit柔性电路板)切割、精密微孔加工、非金属材料切割、生物技术和医疗设备、3D打印等领域。其中基于Nd:YAG(Neodymium-doped：YttriumAluminiumGarnet钇铝石榴石晶体)/Nd:YVO4(掺钕钒酸钇)晶体是DPSS紫外激光器的绝佳选择，以非线性晶体KTP(磷酸钛氧钾)、BBO(偏硼酸钡)、LBO(三硼酸锂)等为基础的三倍频技术也已成熟的应用在半导体固态紫外激光器上。1064nm波长的基频光与532nm波长在腔内或腔外和频产生三次谐波(即三倍频)，是获取高功率355nm紫外激光的主要技术手段。现有技术中，均采用物理开关来实现激光器的开关，但是物理开关存在使用寿命短，控制不准确等问题，会导致激光器的使用寿命减短。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种控制精确适用于长期使用的电磁激光开关结构。为了解决上述技术问题，本技术的技术方案为：一种电磁激光开关结构，包括：光耦电路和控制光耦电路通断的电磁开关，所述电磁开关位于所述光耦电路的下方；其中光耦电路包括光耦发射端和光耦接收端，所述光耦发射端和所述光耦接收端之间有光耦光通道。其中，所述电磁开关包括电磁铁和一端固定设置在电磁激光开关结构内壁上的金属弹片，所述金属弹片在所述电磁铁的作用下可上下摆动；在金属弹片上设置有凸起，所述凸起位置位于所述光耦电路的光耦通道下方的弹片端头上。具体的，所述电磁铁包括电磁铁铁芯和电磁线圈，所述电磁线圈缠绕在所述电磁铁芯外表面，所述电磁线圈的两端分别连接电源的正极和负极。具体的，所述金属弹片为一有弧度且设置有凸起的一边短于没有设置凸起的一边。更具体的，所述电磁铁芯包括圆柱形电磁铁芯和矩形电磁铁芯中的一种。其中，电磁激光开关结构还包括电磁铁控制器，所述电磁铁控制器与光耦发射端电性连接，由光耦发射端提供电磁铁开关的反馈信号。采用上述技术方案，由于在光耦电路中直接设置有电磁铁，使得光耦电路的通断控制更精确，并且部件之间没有直接接触，使用寿命更长。附图说明图1为本技术电磁激光开关结构的结构示意图；图2为本技术电磁激光开关结构的使用状态图；以及图3为本技术电磁激光开关结构的侧视图。图中，1-电磁开关，11-电磁线圈，12-电磁铁铁芯，13-弹片，14-凸起，2-光耦电路，21-光耦发射端，22-光耦接收端，23-光耦光通道。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。作为本技术的第一实施例，提出一种电磁激光开关结构，如图1所示，包括：由光耦发射端21和光耦接收端22构成的光耦电路2，其中光耦发射端21和光耦接收端22通电之后在其之间会产生光耦光通道23；还包括控制光耦光通道23通断的电磁开关1，电磁开关1位于光耦电路2的下方；其中，电磁开关1包括由圆柱形的电磁铁铁芯12和电磁线圈11组成的电磁铁和一端固定设置在电磁激光开关结构内壁上的铁质弹片13，其中，如图1所示，电磁铁的电磁线圈11缠绕在电磁铁芯12外表面，电磁线圈11的两端分别连接电源的正极和负极，如图2所示，铁质弹片13上设置有凸起14，凸起14位置位于光耦电路的光耦光通道23下方铁质弹片13的端头上，如图3所示，铁质弹片13为一有弧度且设置有凸起4的一边短于没有设置凸起4的一边，铁质弹片13可以在电磁铁的作用下可上下摆动，从而控制光耦光通道的通断。本领域技术人员可以知道，在上述实施例1的基础上，本技术提出的电磁激光开关结构中，电磁铁芯12还可以使用矩形电磁铁芯。本领域技术人员可以知道，在上述实施例1的基础上，本技术提出的电磁激光开关结构中，弹片13还可以使用任何固态磁性金属。做为第一实施例的优选实施例，在第一实施例的基础上，电磁激光开关结构还包括电磁铁控制器(图中未示出)，电磁铁控制器与光耦发射端电性连接，由光耦发射端提供电磁铁开关的反馈信号。以上结合附图对本技术的实施方式作了详细说明，但本技术不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本技术原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁激光开关结构，其特征在于，包括：光耦电路和控制光耦电路通断的电磁开关，所述电磁开关位于所述光耦电路的下方；其中光耦电路包括光耦发射端和光耦接收端，所述光耦发射端和所述光耦接收端之间有光耦光通道。

【技术特征摘要】
1.一种电磁激光开关结构，其特征在于，包括：光耦电路和控制光耦电路通断的电磁开关，所述电磁开关位于所述光耦电路的下方；其中光耦电路包括光耦发射端和光耦接收端，所述光耦发射端和所述光耦接收端之间有光耦光通道。2.根据权利要求1所述的电磁激光开关结构，其特征在于：所述电磁开关包括电磁铁和一端固定设置在电磁激光开关结构内壁上的金属弹片，所述金属弹片在所述电磁铁的作用下可上下摆动；在金属弹片上设置有凸起，所述凸起位置位于所述光耦电路的光耦通道下方的弹片端头上。3.根据权利要求2所述的电磁激光开关结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘承勇，蔡翀，郑凤金，邓晓春，
申请(专利权)人：福州紫凤光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35